Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь


Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером



2018-07-06 688 Обсуждений (0)
Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером 0.00 из 5.00 0 оценок




Чайковский филиал

Федерального государственного бюджетного

Образовательного учреждения высшего образования

«Пермский национальный исследовательский политехнический университет»

(ЧФ ПНИПУ)

 

Пояснительная записка к курсовой работе

по дисциплине: «Преобразовательные устройства»

на тему:

«Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером»

 

Выполнил

Студент гр. АТПП-14-1 боз. Радостев Е.Р.

 

Принял

Доцент. Ковязин А.В.

 

 

2018г.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение3

Задание 4

Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером5

Вывод 7

Приложение 1

 


 

Введение

Биполярный транзистор, это полупроводниковый прибор, состоящий из двух p − n переходов и имеющий три вывода. Биполярный транзистор (далее просто транзистор) состоит из трёх чередующихся областей полупроводников, имеющих проводимость p и n типов (рис. 3). В зависимости от их расположения различают транзисторы p − n − p и n − p − n типов. Условные графические обозначения транзисторов обоих типов приведены на рис.4 . Выводы транзистора имеют следующие наименования: Э – эмиттер, Б – база и К – коллектор. Направление стрелки указывает положение области с проводимостью n типа.

Рисунок 3 - . Упрощённая структура биполярного транзистора

Рисунок 4 – Условные графические обозначения транзистора

 

 


 

Задание на курсовую работу

Рассчитать параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером на примере транзистора КТ315 при следующих значениях номиналов элементов схемы: Ек = 25 В, Rк = 100 Ом, R1 = 10 кОм.

 

Электрическая схема:

Рисунок 1 – Схема усилительного каскада с общим эмиттером

Вольт – амперные характеристики (ВАХ) транзистора КТ315:

Рисунок 2 – ВАХ транзистора (p-n-p) в схеме ОЭ: а) выходные; б) входные


 

Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером

По графикувыходных характеристик транзистора мы отмечаем: и

По графику входных характеристик транзистора мы находим:

По второму закону Кирхгофа находим ток .

Рассчитываем сопротивление R2.

По графику входных характеристик отмечаем и ∆ .

По графику выходных характеристик находим и ∆

После этого рассчитываются hпараметры транзистора.

-входное сопротивление схемы.

-коэффициент обратной связи по напряжению.

-коэффициент передачи по току или усиление по I.

-выходная проводимость.

Зная параметрырассчитаем следующие параметры.

Выходные сопротивление схемы.

коэффицент усиления по напряжению.

 

Вывод:

В данной курсовой были рассчитаны параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером транзистора КТ 315. На графиках входных и выходных характеристик транзистора отмечены параметры,используемые в расчетах усилительного каскада на транзисторе.

 

 

 



2018-07-06 688 Обсуждений (0)
Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером 0.00 из 5.00 0 оценок









Обсуждение в статье: Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером

Обсуждений еще не было, будьте первым... ↓↓↓

Отправить сообщение

Популярное:
Как построить свою речь (словесное оформление): При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою...
Как распознать напряжение: Говоря о мышечном напряжении, мы в первую очередь имеем в виду мускулы, прикрепленные к костям ...



©2015-2020 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (688)

Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы



(0.007 сек.)