Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером
Чайковский филиал Федерального государственного бюджетного Образовательного учреждения высшего образования «Пермский национальный исследовательский политехнический университет» (ЧФ ПНИПУ)
Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине: «Преобразовательные устройства» на тему: «Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером»
Выполнил Студент гр. АТПП-14-1 боз. Радостев Е.Р.
Принял Доцент. Ковязин А.В.
2018г. СОДЕРЖАНИЕ Введение3 Задание 4 Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером5 Вывод 7 Приложение 1
Введение Биполярный транзистор, это полупроводниковый прибор, состоящий из двух p − n переходов и имеющий три вывода. Биполярный транзистор (далее просто транзистор) состоит из трёх чередующихся областей полупроводников, имеющих проводимость p и n типов (рис. 3). В зависимости от их расположения различают транзисторы p − n − p и n − p − n типов. Условные графические обозначения транзисторов обоих типов приведены на рис.4 . Выводы транзистора имеют следующие наименования: Э – эмиттер, Б – база и К – коллектор. Направление стрелки указывает положение области с проводимостью n типа. Рисунок 3 - . Упрощённая структура биполярного транзистора Рисунок 4 – Условные графические обозначения транзистора
Задание на курсовую работу Рассчитать параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером на примере транзистора КТ315 при следующих значениях номиналов элементов схемы: Ек = 25 В, Rк = 100 Ом, R1 = 10 кОм.
Электрическая схема: Рисунок 1 – Схема усилительного каскада с общим эмиттером Вольт – амперные характеристики (ВАХ) транзистора КТ315: Рисунок 2 – ВАХ транзистора (p-n-p) в схеме ОЭ: а) выходные; б) входные
Расчет параметров усилительного каскада на транзисторе по схеме с общим эмиттером По графикувыходных характеристик транзистора мы отмечаем: и
По графику входных характеристик транзистора мы находим:
По второму закону Кирхгофа находим ток . Рассчитываем сопротивление R2.
По графику входных характеристик отмечаем и ∆ .
По графику выходных характеристик находим и ∆
После этого рассчитываются hпараметры транзистора. -входное сопротивление схемы.
-коэффициент обратной связи по напряжению.
-коэффициент передачи по току или усиление по I.
-выходная проводимость.
Зная параметрырассчитаем следующие параметры.
Выходные сопротивление схемы. коэффицент усиления по напряжению.
Вывод: В данной курсовой были рассчитаны параметры схемы усилительного каскада с общим эмиттером транзистора КТ 315. На графиках входных и выходных характеристик транзистора отмечены параметры,используемые в расчетах усилительного каскада на транзисторе.
Популярное: Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Как распознать напряжение: Говоря о мышечном напряжении, мы в первую очередь имеем в виду мускулы, прикрепленные к костям ... ©2015-2020 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (688)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |