Технологии производства п/п материалов

ОТЧЕТ

о прохождении производственной практики

 

 

Студента Оконешникова А.А.

группы 33425/1

 

Руководитель практики

Каров Д.Д.

 

 

Санкт-Петербург

Содержание:

1. Введение……………………………………………………………………3

2. Лекции по производству предприятия.…………………………...……..3

2.1 Структура и организация производства электронных компонентов…..………..3

2.2 Технологии производства п/п материалов……………………….…….………….5

2.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия: технология и оборудование.……….………...7

2.4 Мощные полупроводниковые лазеры……………………………………….……10

2.5 Инфракрасные твердотельные фотоприёмные устройства……………….…….12

2.6 Современные методы литографии……………………………….……………….14

2.7 Разработка PDK. Проведение СВЧ и DC измерений. Создание моделей……..17

3. Выводы……………………………………………………………………19

 

Введение.

С 29.06 по 07.07 2015 года проходил практику в ЗАО «Светлана Рост». Где я был ознакомлен с деятельностью компании.

ЗАО «Светлана – Рост» является единственным в России предприятием полного цикла – от разработки и производства полупроводниковых материалов ‒ многослойных эпитаксиальных наногетероструктур – до производства пластин с кристаллами заказанных элементов (фаундри) в области твердотельной СВЧ и фотоприемной компонентной базы.

План проведенных лекций.

Структура и организация производства электронных компонентов в мировой экономики и России.

· Структура производства СВЧ электронных компонентов:

1. Производство "стандартных" изделий низкой степени интеграции (дискретные приборы – транзисторы, в т.ч. мощные, МИС – усилители, преобразователи и т.д.)

2. Производство "стандартных" изделий высокой степени интеграции (процессоры, приемо-передающие модули и т.д.)

3. Производство быстро сменяемых изделий (усилители, фазовращатели, преключатели, восстановители сигнала).

· Цикл разработка – производство ЭКБ:

· Типы предприятий по функциональному назначению:

Научныйцентр: поиск новых возможностей, определение предельно достижимых возможностей

Дизайн–центрбазовый: проектирование технологий, построение правил проектирования (Design Kit)

Дизайн–центркристальногоуровня: проектирование и разработка конструкций монолитных интегральных схем

Интегрированныйпроизводитель(Integrated Device Manufacturer): разработка и производство монолитных интегральных схем

Foundry (Кристальноепроизводство):разработка технологий, технологические услуги по изготовлению монолитных интегральных схем

Эпихаус(Epihouse, MBE foundry):разработка и производство эпитаксиальных материалов

· Комплекс ответственности производителя:

Epihouse

1. Проектирование профиля пластин

2. Технология выращивания пластин

Дизайн-центр

3. Схемотехническое проектирование

4. Топологическое проектирование

5. Изготовление пластин с кристаллами

e [3212]" strokeweight="2pt">

Foundry

микросхем

IDM

6. Тестирование (приемка) пластин

7. Технология воплощения топологии

8. Тест топологии

9. Резка и корпусирование

10.Тестирование (приемка) готовых

изделий

 

Технологии производства п/п материалов

Устройства наноэлектроники базируются на физических эффектах в наноструктурах и наноматериалах, таких как туннелирование, квантовый размерный эффект, управления спином частиц и др.

Эпитаксиальные системы, размерные характеристики которых лежат в

нанометровом диапазоне, являются сегодня предельно перспективными при разработке широкого спектра наноэлектронных устройств.

Эпитаксиальные системы- тонкие многослойные полупроводниковые структуры (гетероструктуры или наноструктуры), нанесенные с помощью специальной технологии на твердую монокристаллическую подложку.

Эпитаксия– выращивание слоев с наследованием кристаллографических признаков предыдущих слоев

• Чем ближе объект к атомному масштабу тем дальше от термодинамического равновесия должны отходить методы его создания.

• Выращивание гетерограниц требует отхода от термодинамического равновесия.

Виды эпитаксии:

Жидкофазная

Газовая (MOCVD):

Послойный рост - решетки согласованы, энергия поверхности подложки выше суммы энергий поверхности пленки и интерфейса (материал смачивает подложку)

Островковый рост - решетки рассогласованы, материал не смачивает подложку (сжимающие напряжения в островках)

Релаксация с образованием островков - решетки рассогласованы, материал смачивает подложку- псевдоморфный рост

Рис. 1. Изменение во времени полной энергии эпитаксиальной структуры

 

Молекулярно-лучевая (MBE):