ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. ПРИБОРЫПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
| ГОСТ 2.730-73
|
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование
| Обозначение
|
1. (Исключен, Изм. № 2).
|
|
2. Электроды:
|
|
база с одним выводом
|
|
база с двумя выводами
|
|
Р-эмиттер с N-областью
|
|
N-эмиттер с Р-областью
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью
|
|
коллектор с базой
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот
|
|
область собственной электропроводности (I-область):
l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа
|
|
обедненного типа
|
|
5. Переход PN
|
|
6. Переход NP
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип
|
|
9. Затвор изолированный
|
|
10. Исток и сток
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов:
|
|
электрически, не соединенные с корпусом
|
|
электрически соединенные с корпусом
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку
|
|
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Наименование
| Обозначение
|
1. Эффект туннельный
|
|
а) прямой
|
|
б) обращенный
|
|
2. Эффект лавинного пробоя:
а) односторонний
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).
|
|
9. Эффект Шоттки
|
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование
| Обозначение
|
1. Диод
|
|
Общее обозначение
|
|
2. Диод туннельный
|
|
3. Диод обращенный
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
|
|
а) односторонний
|
|
б) двухсторонний
|
|
5. Диод теплоэлектрический
|
|
6. Варикап (диод емкостный)
|
|
7. Диод двунаправленный
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами
|
|
9. Диод Шотки
|
|
10. Диод светоизлучающий
|
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование
| Обозначение
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
|
|
3. Тиристор диодный симметричный
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду
|
|
по катоду
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:
|
|
общее обозначение
|
|
с управлением по аноду
|
|
с управлением по катоду
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении
|
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование
| Обозначение
|
1. Транзистор
а) типа PNP
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
Наименование
| Обозначение
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом
|
|
г) обедненного типа с N-каналом
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
| |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование
| Обозначение
|
1. Фоторезистор:
а) общее обозначение
|
|
б) дифференциальный
|
|
2. Фотодиод
|
|
З. Фототиристор
|
|
4. Фототранзистор:
|
|
а) типа PNP
|
|
б) типа NPN
|
|
5. Фотоэлемент
|
|
6. Фотобатарея
|
|
Таблица 10
Наименование
| Обозначение
|
1. Оптрон диодный
|
|
2. Оптрон тиристорный
|
|
3. Оптрон резисторный
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
|
|
а) совмещенно
|
|
б) разнесенно
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом от базы
|
|
б) без вывода от базы
|
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование
| Обозначение
|
1. Датчик Холла
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника
|
|
2. Резистор магниточувствительный
|
|
3. Магнитный разветвитель
|
|
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование
| Обозначение
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:
|
|
а) развернутое изображение
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент)
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов
|
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование
| Обозначение
| Отпечатанное обозначение
|
1. Диод
|
|
|
2. Транзистор типа PNР
|
|
|
3. Транзистор типа NPN
|
|
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
|
|
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN
|
|
|
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное