По материалу и конструкции корпуса

Содержание.

 

Техническое описание биполярных транзисторов…………………………………………....3

 

Список нормативных документов, регламентирующих порядок проведения измерений....8

 

Термины, обозначения и определения………………………………………………………....9

 

Методы проведения измерений……………………………………………………………..…11

 

I. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте. ……………………….11

 

Метод измерения коэффициента шума сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц. …………………………………………………………………...11

 

Метод измерения коэффициента шума способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц. ……………………………………………………………12

 

II. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер….14

 

Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе ………………………………………………………………………...…..14

 

Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе.………………………………………………………………………..….16

 

Протокол проведения измерений…….…………………………………….………………….20

 

Техническое описание биполярных транзисторов.

 

Транзистор — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

Фотография некоторых типов дискретных транзисторов.

Классификация транзисторов.

По основному полупроводниковому материалу.

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

§ Германиевые

§ Кремниевые

§ Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре.

§ Биполярные

§ n-p-n структуры, «обратной проводимости».

§ p-n-p структуры, «прямой проводимости»

§ Полевые

§ с p-n переходом

§ с изолированным затвором

§ Однопереходные

§ Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)

Комбинированные транзисторы.

§ Транзисторы со встроенными резисторами — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

§ Транзистор Дарлингтона — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

§ на транзисторах одной полярности

§ на транзисторах разной полярности

§ Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

§ Биполярный транзистор с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.

По мощности.

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

§ маломощные транзисторы до 100 мВт

§ транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

§ мощные транзисторы (больше 1 Вт).

По исполнению.

§ дискретные транзисторы

§ корпусные

§ для свободного монтажа

§ для установки на радиатор

§ для автоматизированных систем пайки

§ бескорпусные

§ транзисторы в составе интегральных схем.

По материалу и конструкции корпуса.

§ Металло-стеклянный

§ Пластмассовый

§ Керамический

Прочие типы.

§ Одноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т. н. «остров») между двумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением на затворе, связанном с ним ёмкостной связью.

§ Биотранзистор

 

Транзистор применяется в:

§ Усилительных схемах. Работает, как правило, в усилительном режиме. Существуют экспериментальные разработки полностью цифровых усилителей, на основе ЦАП, состоящих из мощных транзисторов. Транзисторы в таких усилителях работают в ключевом режиме.

§ Генераторах сигналов. В зависимости от типа генератора транзистор может использоваться либо в ключевом (генерация прямоугольных сигналов), либо в усилительном режиме (генерация сигналов произвольной формы).

§ Электронных ключах. Транзисторы работают в ключевом режиме. Ключевые схемы можно условно назвать усилителями (регенераторами) цифровых сигналов. Иногда электронные ключи применяют и для управления силой тока в аналоговой нагрузке. Это делается, когда нагрузка обладает достаточно большой инерционностью, а напряжение и сила тока в ней регулируются не амплитудой, а шириной импульсов. На подобном принципе основаны бытовые диммеры для ламп накаливания и нагревательных приборов, а также импульсные источники питания.

Транзисторы применяются в качестве активных (усилительных) элементов в усилительных и переключательных каскадах.

Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления мощности, чем транзисторы, но работают только в ключевом (переключательном) режиме.

§ Модуляторах.

§ Демодуляторах (Детектор).

§ Инверторах (лог. элемент).

§ Микросхемах на транзисторной логике.

 

 

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.

В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название – биполярные.

В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами.