Эмиттерный повторитель (VT1,VT2)

1. Параметры транзистора VT2:

Þ В

2. Выберем тип транзистора VT2 (n-p-n), соответствующий найденным параметрам:

	Модель	Тип	P, Вт	Uкэ, В	Ikmax, мA	βmin	fгр, МГц	Cк, пФ	Iко, мА
VT2	КТ315Ж	n-p-n	0,1	15	50	30	100	10	0,05

3. Ток базы:

А.

4. Напряжение на резисторе R5:

В.

5. Параметры транзистора VT1:

А.

В.

6. Выберем тип транзистора VT1 (n-p-n), соответствующий найденным параметрам:

	Модель	Тип	P, Вт	Uкэ, В	Ikmax, мA	βmin	fгр, МГц	Cк, пФ	Iко, мА
VT1	КТ315Ж	n-p-n	0,1	15	50	30	100	10	0,05

7. Ток базы VT1:

А.

8. Пересчет токов:

;

;

;

;

9. Ток делителя:

А

10. Значение сопротивления R5:

Ом

Þ Ом, В.

11. Примем значение R4: Ом Þ

Ом

12. Значения напряжения на резисторах базового делителя:

В.

В.

13. Значения сопротивлений резисторов базового делителя:

Ом Þ

Ом, В

Ом Þ Ом, В

14. Значение емкости конденсатора C2:

мкФ.

15. Величина R_Э~:

16. Входное сопротивление VT1:

Ом.

17. Коэффициент передачи повторителя:

Ом;

Ом;

18. Входные параметры повторителя:

В.

Ом.

19. Амплитуда входного напряжения:

В.

РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ

1. Расчет конденсаторов производится на низких частотах. Распределив искажения равномерно между ними, получим следующее:

2. Расчет емкости конденсаторов производится по формуле:

3. Емкость конденсатора С1.

мкФ.

4. Емкость конденсатора С3.

мкФ.

5. Емкость конденсатора С4.

мкФ.

6. Емкость конденсатора С5.

мкФ.

7. Емкость конденсатора С7.

мкФ.

8. Емкость конденсатора С9.

мкФ.

9. Емкость конденсатора С11.

мкФ.

10. Емкость конденсатора С12.

мкФ.

11. Емкость конденсатора С14.

мкФ.

12. Емкость конденсатора С15.

мкФ.

13. Емкость конденсатора С20.

мкФ.

ЧАСТОТНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ НА ВЕРХНИХ ЧАСТОТАХ

1. Параметры по тех. заданию:

2. Каскад на транзисторах VT12, VT13:

3. Каскад на транзисторе VT10:

4. Каскад на транзисторе VT11:

5. Каскад на транзисторе VT9:

6. Каскад на транзисторе VT4:

7. Каскад на транзисторе VT3:

8. Суммарный коэффициент частотных искажений:

< 1.033 = M_В

АЧX И ФЧХ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Общее выражение для :

,

где ;

2. Выражение для ФЧХ:

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Стабилитрон VD1:

КС139А : ± 0.33 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом.

А

2. Стабилитрон VD2:

КС210Ж: ± 1 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом

А.

3. Стабилитрон VD3:

КС168А: ± 0.68 В, мА, мА, мА, Вт.

А;

Ом Þ Ом

А.

РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ

1. Радиаторы требуется установить на следующих транзисторах: VT12, VT13.

2. Площадь радиатора определяется по следующей формуле:

(см²)

где		–	коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду; для дюралюминия .
		–	тепловое сопротивление переход-среда, К/Вт.
где		–	температура перехода;
		–	температура окружающей среды
		–	рассеиваемая мощность.

3. Радиатор для транзистора VT12:

К/Вт Þ см²;

4. Радиатор для транзистора VT13:

К/Вт Þ см²;

КАРТЫ РЕЖИМОВ

Резисторы

Позиционное обозначение	Тип	Номинал, Ом	Ток, А	Напряжение, В	Мощность, Вт
МЛТ-0.125		R1	0.0144091	31.700	0.4568
МЛТ-0.125		R2	0.0009135	0.100	0.0001
МЛТ-0.125		R3	0.0009044	3.256	0.0029
МЛТ-0.125		R4	0.0000090	0.145	0.000001
МЛТ-0.125		R5	0.0030840	1.727	0.0053
МЛТ-0.125		R6	0.0000191	0.007	0.0000001
МЛТ-0.125		R8	0.0008952	5.550	0.0050
МЛТ-0.125		R9	0.0008138	1.465	0.0012
МЛТ-0.125		R10	0.0000258	0.070	0.000002
МЛТ-0.125		R11	0.0124308	4.102	0.0510
МЛТ-0.125		R12	0.0122882	0.688	0.0085
МЛТ-0.125		R13	0.0003185	0.076	0.00002
МЛТ-0.125		R14	0.0333333	25.000	0.8333
МЛТ-0.125		R15	0.0020560	8.018	0.0165
МЛТ-0.125		R16	0.0018691	1.869	0.0035
МЛТ-0.125		R17	0.0004518	1.084	0.0005
МЛТ-0.125		R18	0.0332994	6.660	0.2218
МЛТ-0.125		R19	0.0322417	1.161	0.0374
МЛТ-0.125		R20	0.0376000	28.200	1.0603
МЛТ-0.125		R21	0.0001212	1.212	0.0001
МЛТ-0.125		R22	0.0001102	5.621	0.0006
МЛТ-0.125		R23	0.0000110	0.165	0.000002
МЛТ-0.125		R24	0.0061828	4.204	0.0260
МЛТ-0.125		R25	0.0010207	0.102	0.0001
МЛТ-0.125		R26	0.0005103	0.612	0.0003
МЛТ-0.125		R27	0.0003034	0.819	0.0002
МЛТ-0.125		R28	0.0000041	1.119	0.0000
СП3-4М		R29	0.0011227	1.123	0.0013
МЛТ-0.125		R31	0.0011270	1.127	0.0013
МЛТ-0.125		R32	0.0011158	5.691	0.0063
МЛТ-0.125		R33	0.0000112	0.167	0.000002
МЛТ-0.125		R34	0.0062597	4.257	0.0266
МЛТ-0.125		R35	0.0011760	1.070	0.0013
МЛТ-0.125		R36	0.0001310	2.620	0.0003
МЛТ-0.125		R37	0.0001643	7.066	0.0012
МЛТ-0.125		R38	0.0053557	6.427	0.0344
МЛТ-0.125		R39	0.0053557	8.569	0.0459
МЛТ-0.125		R40	0.0038972	3.546	0.0138
МЛТ-0.125		R41	0.0050333	1.812	0.0091
МЛТ-0.125		R42	0.0001643	7.724	0.0013
МЛТ-0.125		R43	0.0021042	9.890	0.0208
МЛТ-0.125		R44	0.0452131	1.763	0.0797
МЛТ-0.125		R45	0.0291610	1.808	0.0527
МЛТ-1	1.5	R46	0.5979733	0.897	0.5364
МЛТ-1	1.5	R47	0.6129200	0.919	0.5635

 

Транзисторы

Позиционное обозначение	Тип	Uкэ, В	Uбэ, В	Iк, А	Iб, мА	Pк, Вт
КТ315Ж	VT1	0.699	0.808	0.00009	0.000009	0.00006
КТ315Ж	VT2	1.507	0.808	0.00298	0.000099	0.00450
КТ3102Б	VT3	2.092	0.785	0.01221	0.000081	0.0255
КТ3102Б	VT4	3.393	0.869	0.02804	0.000187	0.0951
КТ342Б	VT5	1.815	0.808	0.000110	0.000011	0.0002
КТ342Б	VT6	2.623	0.808	0.00606	0.000121	0.0159
КТ342Б	VT7	1.762	0.808	0.00011	0.000011	0.0002
КТ342Б	VT8	2.570	0.808	0.00614	0.000123	0.0158
КТ373Б	VT9	14.892	0.808	0.00500	0.00003	0.0745
КТ815А	VT10	15.684	0.895	0.058	0.0015	0.91
КТ626А	VT11	15.684	0.895	0.044	0.0011	0.69
КТ815А	VT12	16.592	0.908	0.583	0.0146	9.673
КТ815А	VT13	16.592	0.908	0.598	0.0150	9.922

Конденсаторы

Позиционное обозначение	Тип	Номинальная емкость, мкФ	Номинальное напряжение, В
C1	К53-16	1	1.6
C2	К50-6	100	6.3
C3	К50-6	47	6.3
C4	К50-6	33	6.3
C5	К50-6	47	6.3
C6	К50-6	680	10
C7	К50-6	33	6.3
C8	К50-6	680	6.3
C9	К53-16	22	1.6
C10	К53-16	10	1.6
C11	К50-6	3.3	6.3
C12	К53-16	0.68	1.6
C13	К53-16	33	1.6
C14	К50-6	33	25
C15	К50-6	22	25
C16	К50-6	22	25
C17	К50-6	0.68	25
C18	К50-6	10	25
C19	К50-6	47	25
C20	К10-17	1500	25

Стабилитроны

Позиционное обозначение	Тип	Uст. ном., В	I, А
VD1	КС139А	3.3	0.0104
VD3	КС210Ж	10	0.00324
VD4	КС168А	6.8	0.011

СПЕЦИФИКАЦИЯ

Резисторы

№ п/п	Позиция	Тип	Количество
1	R1, R2, R3, R4, R5, R6, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37, R38, R39, R40, R41, R42, R43, R44, R45	МЛТ-0,125	42
2	R46, R47	МЛТ-1	2
3	R29	СП3-4М	1

Транзисторы

№ п/п	Позиция	Тип	Количество
1	VT1, VT2	КТ315Ж	2
	VT3, VT4	КТ3102Б	2
	VT5, VT6, VT7, VT8	КТ815Б	4
	VT9	КТ373Б	1
	VT10, VT12, VT13	КТ815A	3
	VT11	КТ626А	1

Конденсаторы

№ п/п	Позиция	Тип	Количество
1	С1, С10, С9, С12, С13	К53-16	5
2	С2, С3, С4, С5, С6, С7, С8, С11, С14, С15, С16, С17, С18, С19	К50-6	14
3	С20	К10-17	1

Стабилитроны

№ п/п	Позиция	Тип	Количество
1	VD1	КС139А	1
2	VD2	КС210Ж	1
3	VD3	КС168А	1

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Нефедов А.В. и Гордеева В.И.

Справочник. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги –М.: “КУбК-а”,1995.

2. Галкин В.И., Булычев А.Л., Лямин П.М.

Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды. Тиристоры.– Минск: “Беларусь”, 1994.

3. Горюнов Н.Н.

Справочник. Полупроводниковые приборы: транзисторы.–Москва: “Энергоатомиздат”, 1985.

4. Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001