Билет№3 Схемы включения и режимы работы биполярного ТР.
Три схемы включения: 1) С Общей Базой (ОБ): Вход ЭБ ; Выход КБ ; Схема не обеспечивает усиления по току, но усиливает напряжение. Входное сопротивление малое. Для того, чтобы транзистор мог усиливать электрический сигнал, т.е. работать в активном режиме, эмиттерный переход транзистора нужно сместить в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Это можно сделать, в частности, при включении транзистора по схеме с общей базой (рис.2.22). При этом источник ЕЭ смешает эмиттерный переход в прямом направлении, а источник ЕК смещает коллекторный переход в обратном направлении. Эти два источника включены последовательно, причём их средняя точка присоединена к общей шине питания, к которой и присоединена база транзистора. Именно поэтому такое включение транзистора называется схемой с общей базой. При смещении эмиттерного перехода в прямом направлении через него пойдёт эмиттерный ток IЭ. Этот ток будет состоять из потока электронов из эмиттерной области в базовую In и потока дырок из базовой области в эмиттерную Ip: IЭ=In+Ip. Поскольку проводимость эмиттерного перехода много больше проводимости слоя базы, можно пренебречь током дырок Ip и считать, что IЭ@In. Большая часть электронов, попадающая в тонкую базовую область транзистора, при своём движении может оказаться в зоне коллекторного перехода, в котором положительное напряжение источника ЕК заставит их пройти р-n переход. Возникнет коллекторный ток IК (заметим, что если не будет эмиттерного тока, то коллекторного тока также не будет, т.к. коллекторный р-n переход закрыт с помощью источника ЕК). Меньшая часть электронов, попадающих в базу, не дойдёт до коллектора, т.к. электроны могут рекомбинировать с дырками базовой области (происходит взаимное уничтожение электронов и дырок). По первому закону Кирхгофа эмиттерный ток будет равен сумме коллекторного и базового токов: IЭ=IК+IБ, (13) где IБ – это ток дырок, которые будут рекомбинировать в базе с электронами. Следовательно, в образовании токов в транзисторе используются заряды обоих знаков, как отрицательные - электроны, так и положительные - дырки. По этой причине транзистор называется биполярным. Положим, что IК=αIЭ, где α – коэффициент передачи эмиттерного тока из цепи эмиттера в цепь коллектора, причём из-за того, что эмитерный ток больше чем поток электронов через эмиттерный переход, а часто электроны рекомбинируют в базе с дырками α‹1. Тогда из (13) следует, что IК/α=IК+IБ и IК=IКα/(1-α)=βIБ, где β=α/(1-α) - коэффициент усиления базового тока, т.к. при α›0,5, β›1. Таким образом, если транзистор включить так, чтобы входным током был бы ток базы, коллекторный (выходной) ток получится в β раз больше (у современных транзисторов – элементов микросхем β≈100). Одной из схем, в которой входным током является ток базы, может быть схема включения транзистора с общим эмиттером (рис.2.23). Её отличие от схемы с общей базой состоит в том, что источник коллекторного напряжения присоединяется к коллектору и эмиттеру, причём эмиттер подключается к общей шине питания источников ЕБ и ЕК. 2) С Общим Эмитером (ОЭ): Вход БЭ ; Выход КЭ ; Обеспечивает усиление по току и напряжению. Входное сопротивление больше, чем у схемы с ОБ. 3) С Общим Коллектором (ОК) : Вход БЭ ; Выход Еп-КЭ ; Усиливает ток, но не усиливает напряжение. 1)режим отсечки - оба перехода закрыты, при этом через ТР идёт сравнительно небольшой ток; 2)режим насыщения – оба перехода открыты; 3)активный режим – один из переходов открыт, а другой закрыт. Билет№24 Шумы Тепловой. Обусловлен хаотичным тепловым движением электронов. Мощность пропорциональна t. Присутствует во всех приборах где есть свободные электроны, при температуре выше абс. 0 . Способ уменьшения – охлаждение схемы. Мощность теплового шума определяется формулой P=kT∆f Дробовой. Присутствует в приборах, где есть потенциальный барьер. Заряд электронов дискретен поэтому дискретно и изменение тока. i²=2kT*Iэ*Δf
Популярное: Организация как механизм и форма жизни коллектива: Организация не сможет достичь поставленных целей без соответствующей внутренней... Как распознать напряжение: Говоря о мышечном напряжении, мы в первую очередь имеем в виду мускулы, прикрепленные к костям ... Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (208)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |