Оборудование для термического окисления
Термическое окисление кремния · Оборудование для роста окисных пленок · Модель Дила-Гроува · Зависимость толщины окисла от времени окисления · Особенности роста тонких и толстых слоев окисла · Свойства термических пленок двуокиси кремния Оборудование для термического окисления. Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 - 1200 ºС. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Схематично вид установки показан на рис. 1 (в современных установках пластины в подложкодержателе располагаются вертикально). Требования к оборудованию: · контролируемая с точностью до 1 градуса температура подложкодержателя, · обеспечение плавного повышения и понижения температуры в реакторе (двухстадийный нагрев), · отсутствие посторонних частиц в реакторе (подложкодержатель сначала вводится в трубу реактора, а затем опускается на дно), · отсутствие посторонних примесей, в частности, ионов натрия на внутренней поверхности реактора (с целью их удаления проводится предварительная продувка трубы реактора хлором), · обеспечение введения кремниевых пластин в реактор сразу после их химической очистки. Химическая реакция, идущая на поверхности кремниевой пластины, соответствует одному из следующих уравнений: · окисление в атмосфере сухого кислорода (сухое окисление): Siтверд.+ O2 = SiO2; · окисление в парах воды (влажное окисление): Siтверд.+2H2O = SiO2 + 2H2; · термическое окисление в присутствии хлора (хлорное окисление); · термическое окисление при взаимодействии молекул воды, синтезированных из атомарно чистых кислорода и водорода непосредственно у поверхности кремния, с атомами кремния (пирогенное окисление). Время окисления в стандартных технологических процессах составляет 4 - 5 часов. Значительным достижением в совершенствовании технологии окисления кремния явилось добавление в окислительную среду в процессе окисления хлорсодержащих компонентов. Это привело к улучшению стабильности порогового напряжения полевых МДП транзисторов, увеличению напряжения пробоя диэлектриков и повышению скорости окисления кремния. Главная роль хлора в пленках двуокиси кремния (обычно с концентрацией хлора 1016- 1020 см-3) заключается в превращении случайно проникших в SiO2 примесных ионов натрия или калия в электрически неактивные. МодельДила-Гроува. Для теоретического обоснования было предложено множество моделей, основанных на объемной диффузии заряженных частиц или нейтральных пар, а также эффектах туннелирования электронов, кинетике адсорбции, образования пространственного заряда, изменении граничных концентраций диффундирующих частиц в зависимости от толщины пленки и многих других. К сожалению, ни один из указанных механизмов не способен полностью объяснить обширный класс имеющихся к настоящему времени экспериментальных данных. Что касается получения пленок двуокиси кремния, то кинетику ее роста в широком диапазоне толщин SiO2 можно объяснить, исходя из достаточно простой модели Дила-Гроува(см. рис. 2). Процесс окисления происходит на границе Si - SiO2, поэтому молекулы окислителя диффундируют через все предварительно сформированные слои окисла и лишь затем вступают в реакцию с кремнием на его границе. Согласно закону Генри, равновесная концентрация твердой фазы прямо пропорциональна парциальному давлению газа P: C* = HP, где C*- максимальная концентрация окислителя в газе для данного значения давления P, В неравновесном случае концентрация окислителя на поверхности твердого тела меньше, чем C*. Поток F1 определяется разностью между максимальной и реальной поверхностной концентраций окислителя: F1 = h(C* - C0), где C0 - поверхностная концентрация окислителя, h - коэффициент переноса. Значение концентрации окислителя C0 зависит от температуры, скорости газового потока и растворимости окислителя в SiO2. Для того чтобы определить скорость роста окисла, рассмотрим потоки окислителя в объеме окисла F2 и на его границе с кремнием F3. Согласно закону Фика, поток через объем окисла определяется градиентом концентрации окислителя: F2 = - D(dC/dz) = D(C0 - Ci)/z0, (1) где Ci - концентрация окислителя в молекулах на кубический сантиметр при z = z0, Величина потока F3 на границе окисла с полупроводником зависит от постоянной K скорости поверхностной реакции и определяется как: F3= kCi (2) При стационарных условиях эти потоки равны, так что F3 = F2 = F1 = F.Следовательно, приравняв соотношения (1) и (2), можно выразить величины Ci и C0 через C*: (3) Для того чтобы определить скорость роста окисла, представим поток F3 как изменение числа молекул в слое dz0 за время dt. Тогда уравнение потока на границе SiO2 - Si будет иметь следующий вид: (4) Скорость роста окисла определяется потоком F3 и количеством молекул окислителя Ni , входящих в единичный объем окисла. Поскольку концентрация молекул SiO2 в окисле равна 2.2*1022 см-3, то для получения двуокиси кремния требуется такая же концентрация молекул кислорода или в два раза большая концентрация молекул воды. Соотношение между величинами z0 и t определяется интегралом вида Зависимость толщины окисла от времени окисления. На скорость окисления влияют также ориентация подложки, присутствие паров воды, наличие натрия, хлора и концентрация легирующей примеси в кремнии. На рис. 3 приведена зависимость толщины пленки SiO2 от времени окисления во влажном кислороде при парциальном давлении паров воды 85*103 Па. Для широкого класса полупроводников и металлов кинетика процесса активного окисления характеризуется в равновесии линейным законом, то в случае пассивного окисления физическая картина процесса усложняется процессом переноса реагента к реакционной поверхности раздела сквозь растущую пленку. При этом кинетика окисления может быть аппроксимирована следующими законами:
· линейным Х(т) = К1*т; (1) · параболическим Х2(т) = К2*т; (2) · кубическим Х3(т) = К3*т; (3) · логарифмическим Х(т) = К4*lg(В*т+ 1); (5) · обратно логарифмическим K5/X(т) = А - lg(т) (6) Существование каждого из этих законов определяется условиями проведения процесса окисления и свойствами исходного материала. Константы К1- К5 зависят от температуры, давления реагента и природы окисляемого материала. Зависимость экспериментально наблюдаемых кинетических закономерностей от температуры процесса приведена в Таблице 1. Особенности роста тонких и толстых пленок двуокиси кремния. Одним из приборов, в которых используются сверхтонкие слои двуокиси кремния толщиной 2 - 5 нм являются энергонезависимые элементы памяти. Обычно для этих целей в применяется многослойная структура металл - нитрид кремния - двуокись кремния - кремний (МНОП транзистор). SiO2 в данной системе позволяет произвести контролируемую инжекцию заряда в нитрид кремния при подаче высокого потенциала на затвор транзистора (цикл записи или стирания информации) и препятствует растеканию этого заряда в отсутствии потенциала на затворе (хранение информации). По мере повышения степени интеграции ИС становится необходимым получение пленок подзатворного диэлектрика с хорошо контролируемыми параметрами толщиной 20-50 нм. В ряде случаев необходимо иметь качественные пленки SiO2 толщиной 5 - 100 нм под маскирующими слоями нитрида кремния для предотвращения появления дефектов в кремниевой подложке, обусловленных наличием механических напряжений. Для получения высокооднородных пленок SiO2 с воспроизводимыми свойствами используют также реакторы пониженного давления (РПД реакторы). Окисление, проводимое в РПД, позволяет синтезировать тонкие слои SiO2 с точностью до нескольких ангстрем. Температура окисления T = 900 - 1000 ºС, давление P = 30 - 300 Па. Окислы гомогенны, аналогичны окислам, полученным в реакторах атмосферного давления, напряженность электрического пробоя пленок E = 10 - 13 МВ/см. Толщина синтезируемых в РПД пленок составляет 2 - 14 нм. Еще одним способом, используемым для производства тонких пленок SiO2, является их получение во влажной атмосфере, но при пониженной температуре (T = 750 ºС) и атмосферном давлении (P = 1 МПа). Толстые окисные пленки получают, как правило, во влажной атмосфере при повышенном давлении. По своим свойствам они более пористые, имеют меньшие значения напряженности пробоя. Такие пленки используются в биполярной технологии для создания окисной изоляции и в МОП технологии - для выращивания толстых изолирующих слоев. Верхний предел по толщине для термического окисления составляет 1-2 мкм. Пленку такой толщины получают при давлении 2*106 Па при окислении в парах воды и температуре 900 ºС в течение 1 - 2 часов. Свойства пленок SiO2 Таблице 2.
Популярное: Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... Почему люди поддаются рекламе?: Только не надо искать ответы в качестве или количестве рекламы... Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (719)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |