Порядок выполнения работы. Измерение толщин эпитаксиальных слоев кремния производится в структурах типа n/n+
Измерение толщин эпитаксиальных слоев кремния производится в структурах типа n/n+, p/p+, n/p+, p/n+ при толщинах пленки более 2-х микрон. Погрешность измерения ~ 10%. В структурах «слаболегированная» эпитаксиальная пленка – сильнолегированная подложка благодаря значительному различию оптических констант (показателей преломления и поглощения) эпитаксиального слоя и подложки происходит интеграция монохроматических ИК-лучей, отраженных от поверхности эпитаксиального слоя и границы эпитаксиальный слой – подложка (рис. 2.1) Отражение формируется в области концентраций примеси выше 1018 см-3.
Рис. 2.1
Рис. 2.2
Наиболее сильное различие коэффициентов преломления и поглощения эпитаксиального слоя и подложки наблюдается в длинноволновой области инфракрасного диапозона (l более 7 мкм), что соответствует области волновых чисел менее 1400 см-1. Интерферограмма или спектр отражения эпитаксиальной структуры имеет вид, представленный на рис. 2.2. Амплитуда интерференционных пиков максимальна в длинноволновой области (малые волновые числа) и уменьшается в сторону коротких длин волн (больших волновых чисел). Расчетная формула для нахождения толщины эпитаксиального слоя имеет вид: (3) где t – толщина эпитаксиального слоя, мкм; n – коэффициент (показатель) преломления эпитаксиального слоя (n = 3,42); nm, nm+x – волновые числа, соответствующие максимуму на интерферограмме (nm+x > nm) , см-1; m – порядок интерференционного максимума; x – разность порядковых номеров интерференционных максимумов. Процесс измерения состоит из следующих операций: · Подготовить прибор к измерениям согласно инструкции. · Установить в оба канала прибора отражательные приставки и проверить их юстировку, поместив в них плоские аллюминированные зеркальные пластинки. · Извлечь зеркало из приставки измерительного канала. · Установить образец с эпитаксиальной структурой в приставку измерительного канала эпитаксиальным слоем к лучу. · Записать спектр интерференции в области волновых чисел менее 1600 см-1 (400 – 1600 см-1). · Рассчитать толщину эпитаксиального слоя по формуле (3).
Содержание отчета
Содержание отчета должно включать: цель работы, описание установки, описание образцов, результаты работы и их анализ.Описание установки должно содержать описание блок-схемы прибора. Анализ результатов работы – расчет толщины эпитаксиального слоя по записанной интерферограмме спектра отражения образца.
2.5. Контрольные вопросы и задания
1. Что такое характеристические частоты? 2. Каковы области применения ИК-спектрометрии в полупроводниковом производстве? 3. Чем объясняется непостоянство амплитуды интерференционных пиков в интерферограмме эпитаксиальной структуры? 4. Каким образом качество эпитаксиального слоя (какие его параметры) влияет на вид интерферограммы отражения?
Популярное: Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... Почему стероиды повышают давление?: Основных причин три... Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (705)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |