Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь


ОЧИСТКА ГАЗОВ ОТ СЕРНИСТОГО АНГИДРИДА



2016-01-26 643 Обсуждений (0)
ОЧИСТКА ГАЗОВ ОТ СЕРНИСТОГО АНГИДРИДА 0.00 из 5.00 0 оценок




КАТАЛИТИЧЕСКИМОКИСЛЕНИЕМ.

Данный метод ос­нован на окислении S02 в S03 на катализаторе с после­дующей абсорбцией S03 и образованием серной кисло­ты. Окисление S02 в S03 протекает по реакции S02+ 1/2О2= S03+ +96 кДж/моль.

Константа равновесия этой реакции определяется уравнением

(5.16)

Вычисленные по этой формуле константы равновесия реакции и соответствующие величины степени превраще­ния S02 в S03 имеют следующие значения:

Температура, °С………390 425 475 525 600 650
Константа равновесия

КР, МПа……………….. 57,5 24,5 8,23 3,2 0,95 0,47
Степень превращения

S02 в S03, %.....................99,0 98,4 95,2 91,0 73,0 57,0

Таким образом, по условиям равновесия повышение температуры не благоприятствует окислению S02 в S03. Энергия активации этой реакции очень велика, поэтому без катализатора реакция гомогенного окисления S02 в S03 практически не проходит даже при высокой тем­пературе.

В качестве катализатора при производстве серной кислоты применяют в основном контактную массу БАВ, названную по начальным буквам элементов, входящих в ее состав (бария, алюминия, ванадия), и контактную массу СВД (сульфованадиеводиатомовую). Контактную массу формуют в виде гранул, таблеток или колец.

Зависимость константы скорости реакции окисления S02 в S03 на катализаторах БАВ и СВД приведена на рис. 5.6. Перелом кривой при 440 °С связан с изменением энергии активизации в этой точке. Таким образом, при увеличении температуры с 400 до 500 °С константа ско­рости реакции увеличивается более чем в 30 раз, а кон­станта равновесия уменьшается в 9 раз. Следовательно, процесс окисления S02 в S03 зависит от двух величин, одна из которых с повышением температуры увеличива­ется, а другая уменьшается. Анализ показывает, что кривая зависимости скорости образования S03 имеет максимум. Наиболее благоприятная температура процес­са равна 460 - 480° С. При объемной скорости газов 10000 ч-1 достигается степень окисления S02 не менее 90%.

Рисунок 5.6 - Зависимость константы скорости реакции окисления S02 в S03 от температуры на ванадиевых катализаторах БАВ и СВД.

Высокая температура протекания реакции окисле­ния S02 создает трудности при практическом осуществ­лении данного процесса в производственных условиях. Как было показано, основными загрязнителями атмосферы S02 являются аглофабрики и котельные, отходящие газы которых имеют тем­пературу около 150° С, при которой контактное окисле­ние газов является невозможным. Поэтому в схеме кон­тактного окисления нужно предусмотреть нагрев агло­мерационных газов до 450 °С. Источником тепла может явиться готовый агломерат, нагретый до высокой темпе­ратуры в зоне обжига. Этот агломерат нужно охладить, поэтому целесообразно совместить узел охлаждения аг­ломерата и нагрева газов перед контактным аппаратом.

Принципиальная схема контактного окисления S02, содержащегося в агломерационных газах, до S03 пред­ставлена на рис. 5.7. Агломерационные газы, содержа­щие S02, проходят грубую очистку от пыли в инерци­онном пылеуловителе и тонкую очистку в электрофиль­тре. Затем эти газы подогревают со 150 до 450 °С нагре­тым воздухом, охлаждающим агломерат. Превращение S02 в S03 происходит в контактном аппарате. После этого агломерационные газы охлаждают до 250 °С в теп­лообменнике воздухом, подаваемым на охлаждение аг­ломерата. Образовавшийся при охлаждении туман сер­ной кислоты улавливают электрофильтром. Очищенный воздух из электрофильтра выбрасывают в атмосферу, а серную кислоту сливают в сборник и используют в ка­честве товарного продукта. Данная схема очистки тре­бует существенной переделки агломерационной машины.

1 - инерционный пылеуловитель; 2 - электрофильтр для тон­кой очистки газов от пыли; 3 - контактный -аппарат для окис­ления S02 в S03; 4 - теплообменник для охлаждения газов и выделения из них серной кислоты; 5 - электрофильтр для улавливания серной кислоты

Рисунок 5.7 - Схема процесса очистки дымовых газов от S02.

Разновидностью описанного способа очистки газов от S02 является процесс «Кийоура ТИТ», разработанный в Японии. Данный процесс отличается тем, что окислен­ный горячий газ охлаждают до температуры ниже точ­ки росы серной кислоты и вводят в газовый поток газо­образный аммиак, который взаимодействует с S02 с об­разованием сульфата аммония. Последний образуется в виде крупных кристаллов (≈100 мкм), благодаря че­му хорошо улавливается в электрофильтрах.

Разработаны схемы последовательного двойного кон­тактного окисления S02. В одной из этих схем газы пос­ле окисления в первом контактном аппарате и отделения из них серной кислоты поступают во второй кон­тактный аппарат. Благодаря этому общая степень очи­стки является относительно высокой. Недостатком дан­ного способа является большой расход тепла на нагрев газов перед вторым контактным аппаратом и большое число аппаратуры. Агломерационные газы содержат наряду с S02 также СО, которая неблагоприятно влияет на процесс контакт­ного окисления S02 в S03. Установлено, например, что в присутствии СО при 450 °С и содержании 0,4% S02, объемной скорости газа 12 000 ч-1 степень окисления S02 снижается с 90 до 80%.

Таким образом, очистка агломерационного газа в контактных аппаратах по схеме очистки дымового газа котельных недостаточно эффективна. Поэтому целесо­образно применять комплексную очистку газа от S02 и СО, т. е. окислять СО в СО2 на палладиевом катализа­торе. При такой схеме очистки достигают подачи на ва­надиевый катализатор газа, очищенного от СО, и повы­шения его температуры примерно на 100 °С за счет окис­ления СО в СО2. В результате этого на ванадиевом катализаторе достигают необходимой температуры.



2016-01-26 643 Обсуждений (0)
ОЧИСТКА ГАЗОВ ОТ СЕРНИСТОГО АНГИДРИДА 0.00 из 5.00 0 оценок









Обсуждение в статье: ОЧИСТКА ГАЗОВ ОТ СЕРНИСТОГО АНГИДРИДА

Обсуждений еще не было, будьте первым... ↓↓↓

Отправить сообщение

Популярное:
Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация...
Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение...



©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (643)

Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы



(0.011 сек.)