Классификация системы обозначений транзисторов.

Согласно стандарту ОСТ 11.336.919-81 положено буквенно-числовое обозначение транзисторов:

1. буква или цифра

1 Г – германий и его соединения

2 К – кремний и его соединения

А – галлий и его соединения

И – для соединений И

 2. Для обозначения подклассов транзистора:

 Т –для биполярных

 П –для полевых

 3. Цифра

 1-маломощные транзисторы

 2-маломощные средней частоты

 3-маломощныевысокочастотные

4-средней мощности низкочастотные

5-средней мощности среднечастотные

6-средней мощности высокочастотные

7-большой мощности

8-большой мощности средней частоты

9-большой мощности высокочастотные

4. Цифра от 0,1 до 999 номер порядковой разработки

5. Буквы русского алфавита от А до Я, кроме З,О,Ч

6. Классификация по электрическим параметрам транзистора

 7. Цифра – обозначает конструктивные особенности транзистора

Примеры:

ГТ101А – германиевый биполярный маломощный низкочастотный, № разработки 01,гр. А

2Т339А-2 – кремниевый биполярный маломощный высокочастотный, №39, гр. А

Стары обозначения до 61 года.

Состоит из 2-х или 3-х элементов.

1-й элемент(буква) П- характеризует класс биполярных транзисторов МП – корпус металлический, способом холодной сварки

2-й элемент (цифра) от 1 до 99

1-99 германиевые маломощные низкочастотные

101-199 кремниевые маломощные низкочастотные

201-299 германиевые мощные низкочастотные

301-399 кремниевые мощные низкочастотные

401-499 германиевые маломощные ВЧ,СВЧ

501-599 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

601-699 германиевые мощные ВЧ,СВЧ

701-799 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

3-й элемент. Классификация по параметрам(буква)

 

Тип транзистора	Расшифровка	Uкэ max.	Iк max	B	Ƒ гр	P max
КТ3102А	Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам.	30В	300 мА	350	300мГц	500 мВт
КТ315Б	Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам.	20 В	100 мА	50-350	270 мГц	150 мВт
КТ812Б	Кремневый, биполярный, большой мощности СЧ, парам.	300 В	8 А	80	6-12 мГц	50 мВт
П609	биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ.	25 В	300 мА	60	120 мГц	1 Вт
КТ203Б	Кремневый, биполярный, маломощный транзистор, СЧ, парам.	30 В	10 мА	30-90	10 мГц	150 мВт
П416	биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. Парметр.	15 В	25 мА	90-200	80 мГц	100 мВт
КТ209	Кремневый, биполярный, маломощный СЧ.	45 В	300 мА	80	10 мГц	200 мВт

 

Интегральная схема

 

Интегральная микросхема – это микроэлектронное устройство, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов соединительных элементов, имеющих высокую плотность, которая с точки зрения требования к испытанию, приемки, постановки и эксплуатаций рассматривается как единое целое. Элемент интегральной микросхемы - это часть интегральной схемы, реализующая функций какого-либо электра-радиоэлемента; эта часть выполняется нераздельно от других частей и не может быть выделена как самостоятельный компонент. Компонент интегральной микросхемы, в отличие, от элемента может быть выделен как самостоятельное изделие.

3.5.1 ИС подразделяются на:

Пленочные. Те, в которых все межэлементные соединения и сами элементы выполнены в виде токопроводящих пленок, изолированными диэлектрическими материалами.

Полупроводниковые. Те, в которых все элементы и соединения выполнены на поверхности и в объеме полупроводникового кристалла.

Гибридные. Те, в которых на подложке содержатся как простые дискретные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, и транзисторы), так и кристаллы полупроводниковых микросхем.

3.5.2 В зависимости от требований исполнения они могут быть:

Заказные. На основе стандартных или специальных элементов по функциональной схеме заказчика.

Полузаказные. На основе базовых матричных кристаллов, имеющих определенный набор сформированных элементов.

Общего применения (определенного функционального назначения).

3.5.3 Обозначение интегральных микросхем:

Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки. Оно состоит из четырех элементов:

·  Первый элемент – эта цифра соответствующая конструктивно технологической группе

Обозначают полупроводниковые интегральные микросхемы

Гибридные микросхемы

Пленочные, вакуумные, керамические интегральные микросхемы

· Второй элемент – обозначает подгруппу и вид микросхемы, состоит из двух букв (см. в справочнике).

· Третий элемент определяет порядковый номер разработки серий и состоит из двух (от 00 до 99) или трех (от 000 до 999) цифр.

· Четвертый элемент – обозначает порядковый номер микросхемы данной серий и состоит из одной или нескольких цифр.

 

3.5.4 К этим основным элементам обозначения микросхем могут, добавятся и другие классификационные признаки:

Дополнительная буква в начале четырех элементов обозначения обозначает особенность конструктивного исполнения:

·  Р – пластмассовый корпус типа ДИП.

·  А – пластмассовый планарный корпус

·  Е – метало полимерный корпус типа ДИП.

·  С – стеклокерамический корпус типа дип.

·  И – стеклокерамический планарный корпус

·  К – керамический безвыводной корпус

В начале обозначения для микросхем используемых в условиях широкого применения приставляется буква «К»