Определим H–параметры в рабочей точке.

 

 

Iк , мА
6
5
4					Δ Iк 0
3								Δ Iк
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ 0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

                                               Δ U_кэ

Iб, мкА
50
40			Δ Iб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

                                                                                         Δ U_бэ

 

Δ I_{к 0}= 1,1 мА, Δ I_{б 0} = 10 мкА, Δ U_бэ = 0,014 В , Δ I_б = 20 мкА, Δ U_кэ= 4 В, Δ I_к= 0,3 мА

H-параметры:

 

 

Определим G – параметры.

 

               

           Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

 

 

G-параметр:

G_11э= 1,4 мСм, G_12э= - 0,4*10 ^–6

                                      G_21э= 0,15 ,   G_22э= 4,1*10 ^–3 Ом

 

 

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

 

 

           Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

 

               

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

 

 

 

Собственная постоянная времени транзистора:

 

Крутизна:

 

 

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

 

Граничная частота коэффициента передачи тока:

 

 Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:

 

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

 

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

 

 

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

 

           Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

 

I_к0= 3 мА, U_кэ0= 4,2 В и точку с координатами:

I_к= 0, U_кэ= U_кэ0 + I_к0* R_~= 4,2 + 3*10 ^–3 * 847 = 6,7 В

 

Iк , мА
6
5
4					А
3 Iк 0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ 0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

 

Определим динамические коэффициенты усиления.

 

 

 

Iк , мА
6
5					А
4								Δ Iк
3 Iк 0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ 0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

                                                Δ U_кэ

Iб, мкА
50
40			Δ Iб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

                                                                                         Δ U_бэ

 

Δ I_к= 2,2 мА, Δ U_кэ= 1,9 В, Δ I_б = 20 мкА, Δ U_бэ = 0,014 В

 

Динамические коэффициенты усиления по току К _I и напряжению К _U определяются соотношениями:

 

 

                         Выводы:

 

              

 

 

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

 

Библиографический список.

 

1) “Электронные приборы: учебник для вузов”  Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..