Примесная проводимость п/п.
Это проводимость обусловленна примесями: -внедрения -замещения Роль примесей могут играть нарушения кристалической решетки. -Если внедрить в кристал Ge элемент I группы сурьму Sb, тогда один из 5 валентных электронов Sb окажется свободным, тогда образуется эл. проводимость, а примесь называется донорной. -Если внедрить элемент III группы индий I тогда 1 ковалентная связь останется останется свободной => Образуется легко перемещаемая дырка (дырочная проводимость), примесь называют акцепторной. Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п > П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – n типа. Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным. В п/п имеется 4 составляющие тока: i=(in)Д +(ip)Д+(in)Е+(ip)E Д-диффузионный Е-дрейфовый
Электрические переходы. Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны. Различают: p-n, p-p+, n-n+, м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах) Электронно-дырочный p-n переход. Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p-n переходе Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости. р n
Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> << nn Если pp>> nn то p-область эмитерная, n- область- база В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей. На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей. Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. С другой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфого тока неосновных носителей. В конце концов диффузионный ток станет = дрейфовому току и суммарный ток через переход будет = 0 U контакта ≈ jт ln((Pp0)/(np0)) jт≈25мB температурный потенциал при 300 К Uк=0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge. Различают 3 режима работы p-n перехода: 1)Равновесный (внешнее поле отсутствует)
2) Прямосмещенный p-n переход.
В результате Uвнпадает =>возникает диф. ток электорнов I=I0 eU/mjт m ≈ 1 Ge 2 Si I0 тепловой ток. I обусловлен основными носителями зарядов. Кроме него ток неосновных носителей будет направлен встречно.: I= I 0 (e U/m j т -1) 3)Обратно смещенный p-n переход I- обусловлен токами неосновных носителей I=- I0
ВАХ p-n перехода
Популярное: Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Почему люди поддаются рекламе?: Только не надо искать ответы в качестве или количестве рекламы... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (168)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |