Выбор и обоснование принципиальной схемы предварительного усилителя ФПУ
В соответствии со структурной схемой приведенной ранее, ФПУ конструктивно делится на два функционально независимых усилителя: предварительный и оконечный. Рассмотрим предварительный усилитель. Основным требованием, при соблюдении прочих условий (заданной полосы пропускания) предъявляемых к предварительному усилителю является обеспечение заданного отношения сигнал/шум. Динамический диапазон фотоприемного устройства по минимальному сигналу определяется собственными шумами ФПУ, которые состоят из шумов фотодиода и шумов усилителя. От выбора типа транзистора, используемого во входном каскаде, зависит шум усилительной схемы. Для требуемого частотного диапазона шумовые параметры биполярного транзистора (БП) и полевого транзистора (ПТ) соизмеримы, поэтому выбираем биполярный транзистор при использовании которого проще осуществить заданный частотный диапазон. Эти токи определяются из следующих выражений (3.1) – (3.4)
; (3.1) ; (3.2) ; (3.3) ; (3.4) где Iф0 – постоянный ток засветки; RIN = – 155дБ / Гц – относительная интенсивность шума; – диапазон принимаемых частот; К – постоянная Больцмана; Т – температура (в Кельвинах). Постоянная оптическая мощность, величина которая определяется исходной рабочей точкой на вольт – амперной характеристике лазера для получения минимальных нелинейных искажений (комбинационные искажения) и потерями в ВОК, падающая на фотодиод, создает фототок сигнала и фототок фоновой засветки, определяемыми постоянной оптической мощностью, определяется соотношением
iф= l·Pсв/η·h·ν или iф=А·Рсв, А=l/η·h·ν,
где Рсв – падающая на ФД оптическая мощность; η – квантовый выход; h – 6,63·10-34 – постоянная Планка; ν – частота света. При Рсв на выходе НЛПН равном 0,5мВт на ФПУ будем иметь Iф0=А·Рсв/D, где D – потери в линии. С учетом потерь на двух оптических разъемах (α=1дБ/км) и затуханием ОК (α=1дБ/км) суммарные потери D=3дБ/км, что составляет 10lgD=10lg3=0,5 раз.
,
А = 0,7 Вт/А. Подставляя фототок Iф0 в выражение (1) и (2) получим следующие соотношения i2ш,ф0 = 2 Iф0Δf = 32·10-19·1,75·10-4 = 5,6·10-15А2, i2ф,ш = I2ф0·10RIN/10·Δf = (0,175·10-3)2·10-15·106 = 3,06-1·10-17A2.
т.е. мы выяснили, что шумовой ток, создаваемый постоянной оптической мощностью за счет RIN на два порядка меньше шумового тока, создаваемого постоянной фоновой засветкой и, соответственно, его влиянием в нашем случае можно пренебречь. Таким образом, чем меньше ток базы, тем меньше шумы транзистора, но при малых токах ухудшается h21, а также ухудшаются частотные свойства, ухудшается fт, поэтому для вышесказанного частотного диапазона компромиссным решением будет использование СВЧ транзистора при токах покоя (Iк ≈ 1÷2 мА). Формула коэффициента шума показывает справедливость этих допущений. Например, при Rг = 1 кОм (эквивалентное сопротивление нагрузки ФД по переменному току), более нежелательно из-за больших частотных искажений. При fв ≥ 400МГц необходимо использовать СВЧ транзистор 2Т3114В-6, у которого fгр ≈ 4,7ГГц при Iк = 2мА
,
где r’б – сопротивление тела базы; r б’э – сопротивление базы-эмиттер; h21э – 100; r’б – 5 Ом (для транзистора 2Т382А); Rг=R1||R2||R4≈1кОм; rб’э=26/Iк·h21. При токе Iк=2мА, h21э=100, r’б=10 Ом. При этих данных rб’э=1,3кОм; F=1,45 эквивалентный шумовой ток, учитывающий R транзистора, равен
для f=1МГц
При минимизации собственных шумов ФПУ и максимизации динамического диапазона к построению электрической принципиальной схемы ФПУ и выбору режимов транзисторов его каскадов, особенно выходных, предъявляются противоречивые требования. Во-первых, транзисторы выбираются СВЧ диапазона, например 2Т3114В-6, маломощные, с fгр≥4 ГГц. Ток покоя входного каскада нами уже выбран из условия минимизации шумов. Транзистор 2Т3114В-6 имеет следующие параметры: Pк доп = 25 мВт; Iк доп = 15 мА; Uк доп = 5 В; fг= 4,7 ГГц; h21= 100; Cк = 0,4 пФ; rрасч = 6 нс. Чтобы совместить эти противоречивые требования (минимальные шумы, максимальный частотный и динамический диапазон), входной каскад выполняется по схеме эмиттерного повторителя, который обладает этими свойствами. Второй каскад для обеспечения заданного частотного и динамического диапазонов выполняется по каскадной схеме с местной обратной связью (ОС). В качестве 2-го и 3-го каскадов используется СВЧ микросхема типа М 45121–2. Наличие во втором каскаде ФПУ обратной связи увеличивает особенно динамический диапазон, а также и частотный, при этом не ухудшаются шумовые свойства ФПУ, так как первый каскад создает требуемое усиление по мощности. Это же позволяет ток покоя каскадной схемы выбрать достаточно большим, что в свою очередь увеличивает глубину обратной связи и тем самым уменьшает нелинейные и частотные искажения. Электрические параметры микросхемы приведены в табл. 3.1.
Таблица 3.1 – Электрические параметры микросхемы
3.2 Выходной каскад Выходной каскад для согласования с внешней нагрузкой выполнен по схеме эмиттерного повторителя. При этом Rн=50 Ом и ток покоя выбирается достаточно большим. В качестве выходного транзистора VT2 можно использовать тот же транзистор, что и в предварительном усилителе: 2Т3114В-6. Учет всех этих рекомендаций позволил реализовать схему ФПУ, которая изображена на рис. 3.2 и 3.3. Первые три транзистора охвачены общей отрицательной обратной связью (ОООС), что позволяет увеличить частотный и динамический диапазоны без ухудшения чувствительности. Анализ принципиальной схемы ФПУ показывает, что использование в качестве входного каскада эмиттерного повторителя позволяет решить одновременно много задач: – уменьшить нелинейные искажения входного каскада; – увеличить его частотный диапазон; – уменьшить нелинейные искажения второго каскада путем увеличения глубины местной ОС за счет малого выходного сопротивления эмиттерного повторителя. Все это не ухудшает чувствительности ФПУ, так как входной каскад в h21 раза усиливает мощность сигнала. Определим граничную частоту усиления ФПУ
U2(p) = τ1(p)·K(p) = Јф·Zвх·F·K(p),
где U2(p) – напряжение на входе ФПУ; U1(p) – напряжение на нагрузке ФД, т.е. комплексном сопротивлении по переменному току, действующему между базой входного транзистора и общим проводом; К(р) – общий коэффициент усиления всех каскадов ФПУ, кроме выходного; Јф – фототок сигнала; Zвх – входное сопротивление ФПУ при действии общей ОС, охватывающей первые два каскада. В нашем случае К(р) = К1(р)·К2(р) ≈ К1·К2 ≈ К2, так как К1 = 1 и усиление этих каскадов можно считать в нашем частотном диапазоне постоянным.
Тогда, при Zвх,F = Zвх , Fкз = 1, Fхх = 1+КВ(р), где В(р) = ; = Rг·Свх; Zвх = ;
получим
1 + B0K = F0, , K2 = 4
Частота верхнего среза для входных каскадов ФПУ (первого и второго) при действии общей ООС равна
, , .
ФПУ может быть выполнен и на дискретных транзисторах, по приведенной выше схемотехнике, но при этом должны использоваться транзисторы с fг > (4÷5) ГГц. Технология использования возможна гибридно-пленочная.
Популярное: Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Почему стероиды повышают давление?: Основных причин три... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (212)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |