Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке

 

1.) Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора, Используя выходные характеристики транзистора (Рис. 4)

 

 

 

Рис. 4

 

2.) Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис.5)

 

 

Рис. 5

 

3.) Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис. 6)

 

 

Рис. 6

4.) Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:

Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято

(DI_б , DI_к ,DU_бэ , DU_кэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).

 

Определение величин эквивалентной схемы транзистора

 

Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 3.

 

SUВХ

Рис. 7

 

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода;

 

 

2. Выходное сопротивление транзистора;

 

3. Сопротивление коллекторного перехода;

 

 

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;

 

 

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;

 

 

6. Распределение сопротивления базы;

 

 Берем  = 100 Ом

 

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;

 

7 нФ

 

8. Собственная постоянная времени транзистора;

 

 

9. Крутизна транзистора;

 мА/В

Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора

1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

2. Предельная частота в схеме с ОЭ:

 

 

3. Предельная частота транзистора по крутизне:

 

4. Максимальная частота генерации:

 

Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному

Току

 

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

 

 

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

 

1.) ;

 

2.) - точка покоя (т.О)

 

Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 8 (прямая CD).

 

∆ I Б=0,01 мА

Рис.8

Построение сквозной характеристики

 

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками приведенными на рисунке 8. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости I_к от U_бэ) представлены в таблице 1, а график зависимости на рисунке 9.

 

Таблица 1

Iк, мА	0,2	1,6	3,6	5,5	6,6	8,5	10,2	11,8	13,3
Uбэ, В	0,5	0,59	0,61	0,63	0,64	0,65	0,66	0,67	0,68
Iб, мА	0	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,07	0,08