МДП–транзистор со встроенным каналом

На рис. 7 показана структура МДП – транзистора со встроенным каналом и полярности подаваемых напряжений для случая канала p – типа.

Условные графические изображения транзисторов этого типа приведены на рис. 8.

Структура МДП – транзистора со встроенным каналом аналогична структуре транзистора, рассмотренного в предыдущем разделе, за исключением того, что в подложке между стоком и истоком методом диффузии сформирован проводящий канал. Сток, исток и канал имеют одинаковый тип проводимости и между ними нет потенциальных барьеров. Поэтому между стоком и истоком существует достаточно высокая проводимость при отсутствии напряжения на затворе.

Модуляция проводимости канала, как и прежде, производится изменением напряжения на затворе U_зи. Однако в данном случае напряжение U_зи может быть как положительным, так и отрицательным. В случае p – канала (рис.7) отрицательное напряжения на затворе притягивает дырки, то есть обогащает канал основными носителями и повышает его проводимость. Положительное напряжение U_зи выталкивает основные носители из канала, то есть обедняет канал и снижает его проводимость.

При некотором напряжении U_зи = U_{зи отс} (напряжение отсечки) проводимость канала пропадает и ток через него невозможен.

При фиксированном напряжении на затворе U _зи < U_{зи отс} увеличение напряжения на стоке U _си приводит к росту тока стока I _с, при малых U _си, как и прежде, наблюдается почти линейный рост тока. По мере увеличения U _си происходит расширение ОПЗ у стокового электрода и при некотором значении U _си = U _{си нас} (напряжение насыщения) проводящий канал у стокового электрода перекрывается ОПЗ (отсечка канала), после чего рост тока I _с почти прекращается.

Выходные характеристики МДП – транзистора со встроенным каналом показаны на рис. 9а. Их ход аналогичен ходу выходных характеристик ранее рассмотренных ПТ. На рис. 9б приведены характеристики передачи МДП – транзистора со встроенным каналом. Как и для ПТУП они исходят из некоторой точки на оси U _зи, соответствующей напряжению отсечки. В отличие от соответствующих характеристик ПТУП характеристики передачи в данном случае переходят и в область напряжений противоположной полярности. МДП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения канала носителями, так и в режиме обогащения. Транзисторы данного типа являются нормально открытыми приборами.

Экспериментальная часть