В схеме с общим эмиттером

Для схемы с общим эмиттером, изображенной на рис. 3,б, сохраняется соотношение между токами транзистора (13). Уравнение коллекторного тока (10) также справедливо, но с учетом особенности данной схемы, заключающейся в том, что коллекторное напряжение U_к в данном случае приложено не только к коллекторному, но и к эмиттерному переходу:

где U_кб – напряжение на коллекторном переходе.

Поскольку в формуле (10) в показателе степени должно быть напряжение на коллекторном переходе для схемы с ОЭ напряжение U_к в этой формуле необходимо заменить на U_кб = U_к - U_б. Кроме того, ток коллектора нужно выразить как функцию I_б, поскольку входным током теперь является ток базы.

Используя формулы (10), (13) и (19) нетрудно получить уравнение коллекторного тока для схемы с ОЭ:

.

(20)

Введем обозначение:

.

(21)

Подставив в формулу (21) значение

,

(21)

получим:

.

(22)

Формула (22) раскрывает физический смысл коэффициента β. Он носит название коэффициента передачи тока базы. Величина β значительно больше единицы, что видно из формулы (21). Чем ближе α к единице, тем больше β.

Используя введенный коэффициент β, запишем (20) в виде:

.

(23)

При условии U_к < 0 и  уравнение (23) принимает вид:

.

(24)

Выходными характеристиками транзистора в схеме с общей базой являются зависимости:

.

(25)

При I_б = 0 и, следовательно, U_б = 0 выходная характеристика в соответствии с формулой (20) описывается выражением:

.

(26)

Характеристика (26) отличается от соответствующей характеристики (9) для схемы с общей базой тем, что на ее обратной ветви (при U_к < 0) ток в (β+1) раз больше обратного тока насыщения I_ко (рис. 8).

Рис. 8

При I_б > 0 выходные характеристик в соответствии с (23) сдвигаются по вертикали на величину βI_б и одновременно еще сдвигаются вправо на величину U_б, что следует из соотношений (19) и (23). А величина U_б тем больше, чем больше ток I_б. В результате выходные характеристики не пересекают ось ординат, а полностью располагаются в первом квадранте, как показано на рис. 8. Еще одна особенность схемы с общим эмиттером заключается в том, что минимальное значение коллекторного тока I_к = I_ко получается при отрицательном токе базы I_б = -I_ко. Транзистор в схеме с общим эмиттером управляется не только положительным, но и отрицательным входным током в диапазоне от I_б = 0 до I_б = -I_ко. На рис. 8 указаны области активного режима, отсечки и насыщения. Область насыщения (заштрихована) находится левее крутой части вольтамперных характеристик. Область отсечки (тоже заштрихована) лежит между осью U_к и характеристикой I_б = -I_ко. По выходным характеристикам можно определить выходное сопротивление транзистора R_вых и дифференциальный коэффициент передачи тока базы β по формулам:

	(27)
	(28)

Рис. 9

Входныехарактеристики транзистора в схеме с ОЭ

.

(29)

имеют вид, аналогичный соответствующим характеристикам для схемы с ОБ. Однако при увеличении U_к кривые I_б(U_б) смещаются не вверх, а вниз, как показано на рис. 9.Это смещение, как и в предыдущем случае, невелико. По входным характеристикам можно определить входное сопротивление транзистора по формуле:

(30)