Расчет импульсного детектора.

1. Для детектирования радиоимпульсов используем последовательный диодный детектор на диоде Д2В с параметрами С_д=1пФ, R_i =160Ом, выполненный по схеме:

В таких детекторах используют германиевые диоды.

2. Определим ёмкость конденсатора и сопротивление нагрузки равна:

С _Н =10 С _Д - С _М = 7 пФ ,

где С _Д = 1 пФ – ёмкость диода, С _М = 3 пФ – монтажная ёмкость.

         , после этого определим коэффициент передачи К _д,

, тогда. из графика 9,2 найдём К _дкоторый равен  0,99., зная его из графика 9,5 находим , отсюда где (для последовательного детектора)

3. Проверим соотношение,   при невыполнении которого заметно падает коэффициент передачи детектора К _Д :           1,5*10 ^-6 >> 1,06*10^-8

4. Вычислим индуктивность нагрузки

,

где Q _H = 0.6, R _{H K} = 1.65· R _H = 358.05 КОм.

5. Для улучшения фильтрации напряжение промежуточной частоты служит дроссель настраиваемый собственной ёмкостью С _ф = 2 пФ на частоту:

f _ф = (0.5…0.7) f _п = 45 МГц

6. Определим индуктивность дросселя.

.

 

 

Расчет пьезоэлектрического фильтра.

Исходные данные:

- ƒ ₀ = ƒ _ПЧ = 30 МГц;

- ƒ _-Н = 24.9 МГц;      ƒ _Н = 25.3 МГц;

- R ₀ = 1000 Ом;

1. Ширина полосы пропускания одного канала Δƒ ₀ = 0.2 МГц.

2. В полосе задерживания при расстройке средней частоты на Δƒ = ± 200 КГц затухание должно быть не меньше α ₀ = 50 дБ.

3. Материал кварц АТ – среда.

Расчет:

1. Определяем нормированную частоту:

2. Определяем граничную частоту полосы задерживания фильтра прототипа НЧ:

По графику на рис.18 определяем класс фильтра n:

n = 5

Из таб. 3 в приложении находим значения элементов фильтра

Δ a = 0.05 неп
a 1	a 2	a 3	a 4	a 5	r 1
0.61	1.61	2	1.61	0.61	1

3. Прототип фильтра выглядит так:

4. Преобразовываем НЧ прототип в узкополосный с одинаковыми индуктивностями α₁. Величину нормированной индуктивности находим как:

5. Переходим к схеме МПФ:

6. Выполняем расчет частного резонатора

7. Вычисляем коэффициенты связи между резонаторами:

8. Определяем расстояния между резонаторами по формуле (25):

- толщина пластины, где

Задаёмся величиной частотного понижения Δ = 0,015 и вычислим правые части неравенства

,         

Определяем конструктивные параметры ς по формуле:

;            

По графику на рис.9 находим нормированные частоты:

η = 0.18;          η _∞ = 0.15;

;

Теперь переходим к расчету расстояния между резонаторами непосредственно:

N ₁ и N ₃ определяются по графику: N ₁ = N ₃ = 0.9

10. Выбираем размеры пластины = 22х12х0,204мм;

11. Рассчитаем эквивалентную динамическую индуктивность и ёмкость по формулам:       , где ρ= 2649, e ₂₆ = -0.095

           

                        

Номинальная индуктивность резонатора:            

Статическая ёмкость C ₀ равна:            

Сопротивление нагрузки на входе и выходе фильтра:

               

Величину дополнительной ёмкости связи определим по формуле:

, где      

C _СВ = 2 C ₀ = 1.4 мФ

12. Переходим к схеме МПФ:

13. Конструкция фильтра.

Расчет УНЧ.

Исходные данные:

- f _{В 0.707}  = 30.05 МГц;

- U _{m ВЫХ} = 5 В;

- С _Н = 10 пФ;

- R _Н = 100 КОм;

              Расчёт.

1. Параметры транзистора должны удовлетворять условиям:

U _{КЭ max} ≥ ΔU _ВЫХ + U _НАЧ + U _Э = 22.5 В,

где ΔU _ВЫХ = 2 U _{m ВЫХ} = 10 В,   U _НАЧ = 5 В, U _Э = 7.5 В.

         f _T ≥ (20÷50) f _{В 0.707}  =(601÷1502.5) МГц.

Указанным требованиям удовлетворяет транзистор КТ602Г

g ₂₁ ≈ 40·10 ^{-3 См};     r _б ≈ 100 Ом;   С _К = 8 пФ; g ₂₂ ≈ 10 ^{-4 См};   f|Y₂₁| ≈ 70 МГц.

2. Определим спад частотной характеристики ε_{В ВЫХ} = 0.4 · ε_В = 0.12, где

ε _В = 0.3 (при М _В = 0.7)

 - коэффициент, учитывающий влияние транзистора

на общий спад частотной характеристики.

3. Зададимся Y_f = 0.08 и вычислим глубину обратной связи и R _f .

;       ;         

         ;

         ;              

         ε _C = ε _{В ВЫХ} - ε _{| Y 21 | f} = 0.03

             

4. Зададимся монтажной ёмкостью С _М = 5 пФ и найдём полную паразитную ёмкость.

С ^/₂ = С _{22 f} ( ω _B)+ С _H ( ω _B) + С _М = 0.795 нФ.

,        где χ _В = 2 КОм;

        

5. Определим эквивалентную постоянную времени цепи нагрузки (d = 2, d _Ш = 2.6).

τ₂( ω _B)= R ^/ ₂ ( ω) С ^/₂ = 66.6 мкс.

         ;

         ;

         U _КЭ = U _НАЧ + U _{m ВЫХ} = 10 В

         I _K = I _НАЧ + U _{m ВЫХ} ( g ^/ ₂ - g ₂₂ ) = 20 мА.

6. Напряжение источника питания определяется по формуле:

Е _П = U _КЭ + I _K · R _K + U _Э = 24.18 В

         ;

         g _ВХ = 10 ^{-3 См,  С} _ВХ = 80 пФ.