Функциональный генератор

Функциональный генератор (рисунок 7) позволяет с помощью кнопок лицевой панели выбирать форму выходного сигнала: синусоидальную, треугольную и прямоугольную.

Рисунок 7 - Функциональный генератор

- FREQUENCY - установка частоты выходного сигнала;

- DUTY CYCLE - установка коэффициента заполнения в %: для импульсных сигналов это отношение длительности импульса к периоду повторения - величина обратная скважности, для треугольных сигналов - соотношение между длительностями переднего и заднего фронта;

- AMPLITUDE - установка амплитуды выходного сигнала;

- OFFSET - установка смещения (постоянной составляющей) выходного сигнала.

- В самом низу лицевой панели представлены выходные зажимы. При заземлении клеммы COM (общий) на клеммах "-" и "+" получаем парафазный сигнал.

 

Группы компонентов Analog Ics, Mixed Ics, Digital ICs

Рисунок 8 - Группы компонентов Analog Ics, Mixed Ics, Digital ICs

8.1 Analog Ics - аналоговые микросхемы:

Линейная модель операционного усилителя.

Нелинейная модель операционного усилителя.

Дополнительные типы операционных усилителей.

Дополнительные типы операционных усилителей.

Компаратор напряжения.

Микросхема для систем фазовой автоподстройки частоты, состоящая из фазового детектора, фильтра нижних частот и управляемого напряжением генератора.

8.2 Mixed Ics - микросхемы смешанного типа:

Разрядный АЦП.

Разрядный ЦАП с внешними опорными источниками тока и парафазным выходом.

Разрядный ЦАП с внешним опорным источником напряжения.

Моностабильный мультивибратор.

Популярная микросхема многофункционального таймера 555 (отечественный аналог КР1006ВИ1).

8.3 Digital Ics - цифровые микросхемы:

В этой группе собраны модели цифровых ИМС серий SN74 и CD4000 (отечественные ИМС серий 155 и 176 соответственно). Для конкретных микросхем вместо символов хх ставятся соответствующие номера.

 

Группа компонентов Transistors

Рисунок 9 - Группа компонентов Transistors

Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типа.

Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором, n-канальные с обогащённой подложкой и p-канальные с обеднённой подложкой, с раздельными или соединёнными выводами подложки и истока.

Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором, n-канальные с обогащённым затвором и p-канальные с обеднённым затвором, с раздельными или соединёнными выводами подложки и истока.

P-канальный и n-канальные арсенид-галлиевые полевые транзисторы.

 

Группа компонентов Diodes

Рисунок 10. - Группа компонентов Diodes