Выбор и обоснование метода создания заданной конфигурации элементов

При изготовлении данной микросхемы целесообразно использовать способ получения конфигурации при помощи свободной маски, так как допуски на номинал не превышают 20%.

В зависимости от способа нанесения пленки, свойств материала пленки, требований по точности, плотности размещения элементов и других факторов, выбирают метод свободной (съемной) или контактной маски.

Метод свободной (съемной) маски основан на экранировании части подложки от потока частиц напыляемого вещества с помощью специального трафарета — съемной маски, которая с высокой точностью повторяет спроектированную топологию тонкопленочной структуры.

Маску называют съемной, потому что она изготавливается и существует отдельно от подложки. Съемная маска — это тонкий экран из металлической фольги с отверстиями, очертания и расположение которых соответствуют требуемой конфигурации напыляемой пленки. При напылении пленочных элементов маску закрепляют в маскодержателе, который обеспечивает плотный прижим и ее фиксированное положение по отношению к подложке.

В промышленных условиях наибольшее распространение получили биметаллические маски. Такие маски представляют собой пластину толщиной 80-100мкм из бериллиевой бронзы, покрытую с одной или двух (для трехслойных масок) сторон тонким слоем никеля (10-20мкм). Бронзовая пластина служит механическим основанием, конфигурация достигается за счет рисунка в слое никеля.

Биметаллические маски рассчитаны на многократное применение. Обычно они выдерживают около ста циклов напыления пленок, после чего подлежат замене.

Схема изготовления тонкопленочной интегральной микросхемы с помощью свободных масок представлена на рис. 4

Схема изготовления тонкопленочной интегральной микросхемы с помощью свободных масок

                                                      A B         

1

2

3

4

5

6

A - свободная маска; B - подложка

1,2 — напыление резисторов, проводников и контактных площадок

3-6 — напыление слоев конденсатора и защитной пленки

Рис. 4

Выбор компонентов

В данной схеме 4 активных компонента: транзисторы VT1...VT4.

Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359А.

Основные параметры:

Габаритные размеры, мм:

Интервал рабочих температур: -50¸85 °C

Масса не более 0.010г

Размеры контактных площадок зависят от способа получения конфигурации (для маски: внешние - 0.4 * 0.4 мм, внутренние 0.2 * 0.25 мм)

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора изображены на рис. 5

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ359А

                                                              L

0.2  

                                                                                    0.75

   n                              0.75                           n + 0.2

               m                                                m + 0.2

H

Рис. 5