Нормальный активный режим.
В этом режиме переход Б-Э смещен в прямом направлении, а Б-К - в обратном. При анализе основных схем включения транзисторов (здесь ОЭ, а далее ОБ и ОК) воспользуемся упрощенным (эквивалентным) представлением биполярного транзистора для низких частот, изображенном на рис.5. б. Входная цепь представлена динамическим входным сопротивлением rбэ, а в коллекторной цепи использован управляемый источник тока коллектора (Iк = S × Uбэ), где
При этом внутреннее динамическое сопротивление включено параллельно этому источнику тока, как и следует из теории электрических цепей (Теорема Теверена об эквивалентном генераторе). При определении основных характеристик и параметров схемы здесь и далее будем считать, что идеальные источники напряжений питания (Еп) и входного сигнала (Uвх). Ток коллектора
1) Iк = a / 1 - a × Iб + 1/1 - a × Iкбо = b × Iб + (1+b) × Iкбо » b × Iб,
где: a - коэфициент передачи по току (т.е. коэфициент передачи тока из эмиттерной цепи в коллекторную) в схеме с ОЭ. Т. к. b>>1, то в схеме с ОЭ возможно усиление по току (потому, что Iб<<Iк!). 2) Ток базы закрытого транзистора. При Uбэ = 0 (транзистор закрыт) Iб » Iкбо, т.е. из базы вытекает ток, » обратному тепловому току перехода К-Б. 3) Входное сопротивление
Тогда ток базы, который также зависит и от Uбэ можно примерно определить так:
Iб = Iк × b, где b = h21 э
4) Коэфициент усиления по напряжению
5) Коэфициент усиления по току
6) Выходное сопротивление
Режим насыщения В этом режиме оба перехода смещены в прямом направлении. Внешним проявлением режима насыщения является отсутствие зависимости Iк от Iб. Для схемы с ОЭ существует некоторый “граничный” ток Iбн, при котором достигается насыщение коллекторного тока Iкн = b × Iбн При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не увеличивается и может быть введен некоторый коэфициент, характеризующий: 1) Степень насыщения
N = Iб / Iбн Þ Iкн = N × Iк
2) Входное сопротивление
Rвхн = Rвх / b,
где Rвх - входное сопротивление в активной линейной области. 3) Выходное напряжение
Uвых = Uкэн » Uбэ
Это так называемое остаточное напряжение на участке К - Э, слабо зависящее от величины коллекторного тока. 4) Выходное сопротивление
Rвых » rкэ » Rвых / b » Rк / b,
где Rвых - выходное сопротивление в активной линейной области. Режим отсечки В этом режиме оба перехода смещены в обратном направлении. 1) Iэ » 0 2) Iк » Iкбо 3) Iб » - Iкбо Границей режима отсечки является обратное напряжение (напряжение отсечки) на переходе Б-Э (Uбэобр), при котором Iэ = 0! В большинстве цифровых схем Uбэобр такое, при котором Iб уменьшается в 100-200 раз!! Схема с общей базой В этой схеме управляющее напряжение прикладывается к участку Э-Б, а входной сигнал снимается с резистора нагрузки, вкюченного в коллекторную цепь. Потенциал базы при этом фиксирован, а потенциал Э должен быть меньше потенциала Б, если переход Б-Э смещен в прямом направлении.
а) б) Рис.7
На рис.7 показана схема включения транзистора с ОБ и ее эквивалентная схема на низких частотах.
Популярное: Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (144)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |