Порядок выполнения работы

3.1 Снятие основной кривой поляризации и определение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика.

Собрать измерительную цепь в соответствии со схемой на рис. 6.4. Перевести переключатель П в положение «1». Установить на входе цепи напряжение 120 В. На экране осциллографа должна наблюдаться гистерезисная диаграмма поляризации сегнетоэлектрика. Подобрать масштаб по вертикальной оси осциллографа так, чтобы изображение занимало весь экран.

Внимание: в процессе выполнения последующих пунктов лабораторной работы не допускается изменять положение масштабного переключателя осциллографа.

Измерить и записать в табл. 6.2 координаты вершины гистерезисного цикла: x_m, y_m (координаты вершины можно определить как половину размаха изображения по горизонтальной и вертикальной осям экрана). Повторить измерения, изменяя входное напряжение как показано в табл.6.2.

Таблица 6.2

h = мм, d = мм, S = pd ² /4 = м².

При расчете использовать формулы: ,  где h, S – соответственно толщина и площадь слоя сегнетоэлектрика.

3.2 Определение масштабов по осям экрана осциллографа.

Переключатель П установить в положение «2». Вращением регулировочной рукоятки ЛАТРа, установить на входе цепи напряжение в пределах 40…60 В. На экране осциллографа должна наблюдаться наклонная прямая линия, представляющая кулон-вольтную характеристику Q(U) линейного диэлектрика конденсатора С_о2. Занести в табл. 6.1 значения напряжения U и размаха колеба­ний луча осциллографа по горизонтали – Dх и верти­кали – Dу.

Таблица 6.1

Масштабы по осям координат определяются по следующим формулам:

                                       (6.5)

3.3 Определение потерь в сегнетоэлектрике при комнатной температуре.

Устанавливая поочередно на входе цепи напряжение 60, 80, 120 В зарисовать на кальку осциллограммы петли гистерезиса. В табл. 6.3 занести координаты вершин гистерезисных циклов.

                                             Таблица 6.3

Оформление отчета

1. Привести схему экспериментальной установки, данные измерительных приборов и исследуемого элемента.

2. Оформить таблицы с результатами измерений и вычислений. При вычислении U_m и Q_m  использовать координаты вершин осциллограмм гистерезисного цикла с учетом масштабов по осям осциллографа (табл. 6.1). Площадь гистерезисного цикла S_QU (табл. 6.3) определяется непосредственно по осциллограммам путем подсчета числа квадратных миллиметров (по миллиметровой бумаге), укладывающихся внутри петли.

3. По данным табл. 6.2 построить основную кривую поляризации D(E) и график зависимости относительной диэлектрической поляризации от напряженности электрического поля e _r(Е).

4. Привести осциллограммы гистерезисных циклов для трех значений напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе.

5. Дать краткие выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. Что называют сегнетоэлектриками? Какие материалы обладают сегнетоэлектрическими свойствами?

2. Что такое диэлектрическая проницаемость, как ее можно практически определить?

3. Почему диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков значительно превышает проницаемость обычных диэлектриков и зависит от напряженности внешнего электрического поля?

4. В чем причина возникновения гистерезиса при поляризации сегнетоэлектриков?

5. Как происходит процесс поляризации сегнетоэлектриков?

6. Почему вольтамперная характеристика сегнетоэлектрических конденсаторов нелинейна?

7. Какими параметрами характеризуют потери мощности в диэлектриках?

8. Как и почему зависит диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков от температуры?

9. Как получить на экране осциллографа кулон-вольтную характеристику?

10. Назовите области применения сегнетоэлектриков.