Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь


СИМВОЛИЧЕСКИЙ МЕТОД РАСЧЕТА



2015-11-12 748 Обсуждений (0)
СИМВОЛИЧЕСКИЙ МЕТОД РАСЧЕТА 0.00 из 5.00 0 оценок




1 степень сложности:

 

209.

Определить параметры реальных катушек индуктивности, измеряя силу тока и напряжение на зажимах катушки. Получить у преподавателя номер катушки. При проведении опытов использовать приставной источник питания напряжением 18 В.

 
 

Проверить полученные результаты методом 3-х вольтметров, построить векторные диаграммы.

 

 
 

210.

 
 

Определить параметры реальных конденсаторов, измеряя силу тока и напряжение на зажимах конденсатора. Использовать конденсаторы стенда, номер конденсатора получить у преподавателя.

 
 

Проверить полученные результаты методом 3-х вольтметров, построить векторные диаграммы.


 

211.


Определить Lэ и Rэ катушек индуктивности при их последовательном соединении. Построить векторные диаграммы.

 

212.

Определить Lэ и Rэ катушек индуктивности при их параллельном соединении. Построить векторные диаграммы.

 

213.


Определить Cэ конденсаторов при их последовательном соединении. Построить векторные диаграммы.

214.

 
 

Определить Cэ конденсаторов при их параллельном соединении. Построить векторные диаграммы.

 

215.

Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.


Получить у преподавателя номер варианта, состоящий из 2 цифр: 1-я цифра номер схемы, вторая цифра номер разрываемой ветви. В опыте использовать катушку и конденсатор параметры, которых были определены ранее.

 

 

216.

Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

 

 

217.

 
 

Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

 

 

218.

Определить полную, активную и реактивную мощность цепи.

 

 

 
 

 

219.

Определить полную, активную и реактивную мощность цепи.

 
 

 

220.

 
 

Определить токи в цепи следующими методами: МКТ, МУП, МЭГ.

 

221.

Определить токи в цепи следующими методами: МКТ, МУП, МЭГ.

 

 
 

 

 

2 степень сложности:

К главе 7 из постоянного тока.

 

222.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

 
 

223.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

 

 

224.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

225.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

226.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

227.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;


Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

228.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

229.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

230.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.


231.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om

232.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om

233.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

 


 

 

234.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

235.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

236.

Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.

 
 

К главе 8 из 1 постоянного тока.

 

237.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

238.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

239.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

240.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;


241.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

242.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

243.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

244.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;


Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

245.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

246.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;


Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

247.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

248.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

249.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

250.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

251.

Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.

Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;

 

 

Еще один вид задания

252.

Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями.

Дано: Приставной источник питания ~ 18 В.


Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами.

R= 200 Om.

253.

Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями.

Дано: Приставной источник питания ~ 18 В.

Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами.

R= 200 Om.


254.

Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями.

Дано: Приставной источник питания ~ 18 В.

Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами.

R= 200 Om.

 


255.

Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями.

Дано: Приставной источник питания ~ 18 В.

Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами.

R= 200 Om.


256.

Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями.

Дано: Приставной источник питания ~ 18 В.

Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами.

 
 

R= 200 Om.

 

 

К главе 9 из постоянного тока.

 

257.

Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем.

Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резистор R=200 Om;

 

 
 

 

258.

Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем.

Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резистор R=200 Om;


259.

Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем.

Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

 
 

Резистор R=200 Om;

 

260.

Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем.

Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резистор R=200 Om;


261.

Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем.

Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами;

Резистор R=200 Om;


 

 

РЕЗОНАНС.

 

1 степень сложности.

 

262.

Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора: С = 0,51 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 
 


— осциллограф.

 
 

 

263.


Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 

 

 
 


— осциллограф

 
 

 

264.


Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора: С = 2 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 
 


— осциллограф.

 
 

 

265.


Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 
 


— осциллограф.

 
 

 

 

266.


Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 
 


— осциллограф.

 
 

 

267.


Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.

 
 


— осциллограф.

 
 

 

 

268.


Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 0,51 нФ.

 

269.

Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 1 нФ.

 

270.

Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 2 нФ.

 

271.

Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 3 нФ.

 

272.

Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 5 нФ.

 

273.

Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 10 нФ.

 

274.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 0,51 нФ.

 
 

 

275.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 1 нФ.

 
 

 

276.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 2 нФ.

 

 
 

277.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 3 нФ.

 

 
 

278.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 5 нФ.

 

 
 

279.

Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 10 нФ.

 

 
 

280.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 0,51 нФ.

 

281.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 1 нФ.

 

 

282.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора

С = 2 нФ.

 

283.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.

 

284.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ.

285.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.

 

2 степень сложности.

 

286.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.

 
 

 

287.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.

 
 

 

288.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.

 
 

 

 

289.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.

 
 

 

290.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ.

 
 

291.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.

 
 

 

292.

Для последовательного резонансного контура определить добротность, при которой напряжения на конденсаторе и катушке не имеет максимумов. Получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.

 

 

293.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 0,51 нФ.

 

 
 

294.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 1 нФ.

 
 

295.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 2 нФ.

 

 
 

296.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 3 нФ.

 
 

297.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 5 нФ.

 
 

298.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 10 нФ.

 
 

3 степень сложности.

299.

Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f).

С1 = 1 нФ.

 

300.

Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f).

С1 = 10 нФ, С2 = 5 нФ.

 

301.

Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f).

С1 = 5 нФ, С2 = 10 нФ.

 

 

302.

Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f).

С1 = 5 нФ.

 

 

303.

Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f).

С1 = 10 нФ.

 

 



2015-11-12 748 Обсуждений (0)
СИМВОЛИЧЕСКИЙ МЕТОД РАСЧЕТА 0.00 из 5.00 0 оценок









Обсуждение в статье: СИМВОЛИЧЕСКИЙ МЕТОД РАСЧЕТА

Обсуждений еще не было, будьте первым... ↓↓↓

Отправить сообщение

Популярное:
Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной...
Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе...



©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (748)

Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы



(0.006 сек.)