СИМВОЛИЧЕСКИЙ МЕТОД РАСЧЕТА
1 степень сложности:
209. Определить параметры реальных катушек индуктивности, измеряя силу тока и напряжение на зажимах катушки. Получить у преподавателя номер катушки. При проведении опытов использовать приставной источник питания напряжением 18 В. Проверить полученные результаты методом 3-х вольтметров, построить векторные диаграммы.
210. Определить параметры реальных конденсаторов, измеряя силу тока и напряжение на зажимах конденсатора. Использовать конденсаторы стенда, номер конденсатора получить у преподавателя. Проверить полученные результаты методом 3-х вольтметров, построить векторные диаграммы.
211.
212. Определить Lэ и Rэ катушек индуктивности при их параллельном соединении. Построить векторные диаграммы.
213. 214. Определить Cэ конденсаторов при их параллельном соединении. Построить векторные диаграммы.
215. Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника.
216. Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.
217. Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы.
218. Определить полную, активную и реактивную мощность цепи.
219. Определить полную, активную и реактивную мощность цепи.
220. Определить токи в цепи следующими методами: МКТ, МУП, МЭГ.
221. Определить токи в цепи следующими методами: МКТ, МУП, МЭГ.
2 степень сложности: К главе 7 из постоянного тока.
222. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 223. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.
224. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 225. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 226. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 227. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; 228. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 229. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 230. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 231. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om 232. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om 233. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om.
234. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 235. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. 236. Задание: Определить характер нагрузки пассивного двухполюсника. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820 Om. К главе 8 из 1 постоянного тока.
237. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om; 238. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
239. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om; 240. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om; 241. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
242. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
243. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
244. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;
245. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
246. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами;
247. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
248. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
249. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
250. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om; 251. Задание: Определить токи и напряжения в цепи со смешанным соединением элементов, построить векторные диаграммы. Дано: Катушки индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резисторы R1=1.5 kOm, R2=820Om;
Еще один вид задания 252. Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями. Дано: Приставной источник питания ~ 18 В. R= 200 Om. 253. Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями. Дано: Приставной источник питания ~ 18 В. Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами. R= 200 Om. 254. Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями. Дано: Приставной источник питания ~ 18 В. Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами. R= 200 Om.
255. Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями. Дано: Приставной источник питания ~ 18 В. Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами. R= 200 Om. 256. Задание: Экспериментально и теоретически определить зависимость U = U(jw) на элементах приведенной схемы. Построить годографы. Определить по ним максимальную погрешность между теоретическими и экспериментальными значениями. Дано: Приставной источник питания ~ 18 В. Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами. R= 200 Om.
К главе 9 из постоянного тока.
257. Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем. Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резистор R=200 Om;
258. Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем. Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резистор R=200 Om; 259. Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем. Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резистор R=200 Om;
260. Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем. Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резистор R=200 Om; 261. Задание: Определить полную, активную и реактивную мощность цепи при различных значениях частоты (для 5 различных точек). Построить кривые зависимостей |S(w)|, P(w), Q(w). Сравнить экспериментальные данные с данными, полученными расчетным путем. Дано: Катушка индуктивности и конденсатор с известными параметрами; Резистор R=200 Om;
РЕЗОНАНС.
1 степень сложности.
262. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора: С = 0,51 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом. — осциллограф.
263. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом.
— осциллограф
264. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора: С = 2 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом. — осциллограф.
265. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом. — осциллограф.
266. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом. — осциллограф.
267. Для последовательного резонансного контура определить частоту резонанса и добротность (тремя способами). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ. Для измерения тока включить последовательно с контуром сопротивление R=1 Ом, напряжение на нем будет равно току в цепи. Сопротивление генератора равно Rг=7 Ом. — осциллограф.
268. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.
269. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.
270. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.
271. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.
272. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ.
273. Для последовательного резонансного контура получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.
274. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.
275. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.
276. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.
277. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.
278. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ.
279. Для параллельного резонансного контура определить частоту резонанса, добротность. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.
280. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.
281. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.
282. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.
283. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.
284. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ. 285. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f), IL=f(f), Ic=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.
2 степень сложности.
286. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.
287. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.
288. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.
289. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.
290. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ. 291. Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.
292. Для последовательного резонансного контура определить добротность, при которой напряжения на конденсаторе и катушке не имеет максимумов. Получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.
293. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 0,51 нФ.
294. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 1 нФ. 295. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 2 нФ.
296. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 3 нФ. 297. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 5 нФ. 298. Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 10 нФ. 3 степень сложности.
299. Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). С1 = 1 нФ.
300. Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). С1 = 10 нФ, С2 = 5 нФ.
301. Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). С1 = 5 нФ, С2 = 10 нФ.
302. Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). С1 = 5 нФ.
303. Для сложного резонансного контура определить частоты, при которых возникает резонанс токов и резонанс напряжений. Получить зависимость I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). С1 = 10 нФ.
Популярное: Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной... Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (748)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |