Э – эмиттер; Б – база; К – коллектор
Транзисторы включаются в схему таким образом, чтобы к p-n-переходу П1 эмиттер-база внешнее напряжение было приложено в прямом направлении, а к p-n-переходу П2 коллектор-база – в обратном направлении. При включении внешних напряжений для обоих полупроводниковых триодов потенциальный барьер между эмиттером и базой понижается, а между базой и коллектором – увеличивается. В результате этого основные носители заряда эмиттерного слоя переходят в область базы, а затем в область коллектора, создавая ток через коллекторный p-n-переход. Одновременно с этим имеет место и переход основных носителей заряда базы через эмиттерный переход. Однако в область базы при изготовлении триода вводят << примесей, чем в эмиттер, поэтому ток через эмиттерный переход создаётся главным образом переходом основных носителей заряда эмиттера через базу. Если время прохождения основных носителей заряда эмиттера через базу много меньше времени их независимого существования, то основная часть этих носителей дойдёт до коллекторного перехода. При этом лишь небольшая часть указанных носителей рекомбинирует в базе с её основными носителями. Значит, величина тока, протекающего через коллекторный переход, определяется и зависит от величины тока, протекающего через эмиттерный переход. Связь между током коллекторной и током эмиттерной цепей: α=dik/diэ при Uk=const. – коэффициент передачи тока. В простейшем случае: α=Ik/Iэ. Для плоскостных транзисторов: α=0,92-0,99. Ток базы: Iб=Iэ-Ik. 4,5,6. Схема включения транзистора с общей базой и её коэффициенты. При рассмотрении усилительных свойств переменных сигналов транзисторов схемы их включения можно рассматривать без источников питания, поскольку в сравнении с другими сопротивления источников оказываются весьма малыми. Включение транзистора возможно по трём схемам: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Схему усилительной ячейки на транзисторе с общей базой можно применять на высоких частотах, однако она имеет коэффициент усиления по току меньше 1 и малое входное сопротивление. Коэффициент усиления по току: Kiб=iвх/iвых=ik/iэ=α<1
KUб=Uвых/iвх=ikRHб/iэRвхб=α RH/Rвх>1 коэффициент усиления по мощности: KPб=KiKU=α2 RHб/Rвхб>1 Здесь Rнб – сопротивление нагрузочного резистора в схеме с общей базой; Rвхб – входное сопротивление усилительного каскада. Как выводить формулы: Общие формулы, независимые от схемы включения транзистора: - коэффициент усилительного каскада по току Ki=iвых/iвх - коэффициент усиления по напряжению KU=Uвых/Uвх i, u – - коэффициент усиления по мощности KP=Ki∙KU мгновенные значения - входное сопротивление каскада Rвх=Uвх/iвх За основной электрод, от которого отсчитываются напряжения, в данной схеме принимается база. Эмиттерная цепь – входная, а коллекторная – выходная. Отсюда Kiб=iвых/iвх=ik/iэ=α , где ik – ток коллектора, iэ – ток эмиттера. Соотношение между токами эмиттера, коллектора и базы для схемы с общей базой: iэ=ik+iб, где iб – ток базы. Входящее в выражение для коэффициента усиления по напряжению входное сопротивление для этой схемы оказывается равным Rвхб=Uэб/iэ=Rэб. Это сопротивление открытого p-n-перехода. Rэб~ 10-100 Ом. В усилителях на транзисторах сопротивление коллекторного перехода RH>> сопротивления слоя базы Rб>> сопротивления эмиттерного перехода Rэ. Поэтому KU>1. В соответствии с условными положительными направлениями напряжений нетрудно установить, что сигналы на входе и на выходе схемы с общей базой совпадают по фазе. 7,8,9. Схема включения транзистора с общим эмиттером и её коэффициенты. Наиболее часто используют схему с общим эмиттером, с помощью которой возможно осуществить усиление по току, по напряжению и наибольшее по сравнению с другими схемам усиление по мощности. У схемы ОЭ малое входное сопротивление, порядка сотен Ом. Во многих справочниках по транзисторам даётся коэффициент усиления по току для схемы ОЭ: β=ik/iб. β~10-100. Связь β c α можно выразить из системы: α=ik/iэ β=α/(1-α), iэ=ik+iб или α=β/(1+ β)
Популярное: Организация как механизм и форма жизни коллектива: Организация не сможет достичь поставленных целей без соответствующей внутренней... Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной... Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (3777)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |