Оптическая элементная база

2015-12-07

203

Обсуждений (0)

0.00 из 5.00 0 оценок

Активная элементная база на основе светодиодов	Тест
В1		Какие элементы называют светодиодами?
	О+	Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока.
	О	Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него обратного тока.
	О	Светодиодом называют полупроводниковый диод, генерирующий когерентное излучение при пропускании через него электрического тока
	О	Светодиодом называют полупроводниковый транзистор на базе n–p перехода, поглощающий кванты света при протекании через него обратного тока.
В2		Чем сопровождается излучательный переход электрона?
	О+	Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 1,23/DE и конкурирующими безызлучательными переходами через промежуточные уровни
	О	Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 6,63/DE
	О	Излучательный переход электрона сопровождается температурным, концентрационным и примесным тушением люминесценции
	О	Излучательный переход электрона сопровождается поглощением фонона с длиной волны l = 1,76/DE
В3		Какие полупроводники относятся к таковым с прямозонной энергетической структурой?
	О+	GaAs, GaAlAs, GaAsP, GaSb, GaN, InGaAsP, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe
	О	Ge и Si
	О	SiC
	О	GaP AlAs, AlP
В4		Выберите неправильное утверждение
	О+	В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны. В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0.
	О	В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0.
	О	В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k = 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны.
	О	В зависимости от типа кристаллической структуры и характера химических связей в полупроводниках реализуется либо та, либо иная форма зависимости энергии электронов Е от волнового вектора k.
В5		Как обозначаются светодиоды?
	О+
	О
	О
	О
В6		Для возникновения люминесценции необходимо выполнение условий
	О+	Все вместе
	О	Используемый материал должен обладать дискретным спектром разрешенных электронных состояний (именно поэтому не наблюдается люминесценция металлов);
	О	Конкретная схема энергетических уровней и вероятности переходов между ними должны обеспечивать возможность протекания трех процессов: 1) возбуждения электронов, 2) перехода их на центры излучения, 3) перехода в равновесное состояние с испусканием кванта;
	О	Энергия квантов возбуждающего воздействия должна превышать метастабильный уровень (центр свечения), а вероятность излучательных переходов — превышать вероятность безызлучательных
В7		В какой области светодиодов происходит генерация оптического излучения?
	О+	Неравновесные носители распространяются от плоскости инжекции на расстояние, равное диффузионной длине, т.е. генерация квантов света будет происходить только в этой области (центры свечения)
	О	При любом переходе электрона с высшего уровня на низший
	О	При любом переходе электрона с низшего уровня на высший
	О
В8		Принцип работы светодиода. Работа светодиода основана на
	О+	спонтанной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда, инжектируемых в активную область (базу) светодиода. В этом случае дырки из р-области и электроны из n-области движутся навстречу друг другу и рекомбинируют при попадании в область перехода с выделением фотонов (свечение в р-n переходе, находящемся под напряжением, приложенным в прямом направлении).
	О	преобразовании оптического излучения на входе в электрический сигнал на выходе на основе фундаментального поглощения вблизи края запрещенной зоны
	О	испускании света возбужденными электронами
	О	квантовых переходах электронов «вверх» — в направлении увеличения их энергии
В9		Процесс введения в какую-либо область твердого тела неравновесных носителей называют
	О+	Инжекцией
	О	Рекомбинацией
	О	Стимуляцией
	О	Накачкой
В10		Способы управления длиной волны излучения светодиода
	О+	Изменение композиционного состава материала активной зоны,
	О	Комбинация контактирующих между собой материалов, изменение толщины активного слоя
	О	Изменение ширины запрещенной энергетическая зоны, эВ
	О	Изменение приложенного напряжения
В11		В качестве излучательной среды в светодиодах видимого диапазона необходимо использовать
	О+	прямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,8–2,8 эВ
	О	непрямозонные полупроводники
	О	кристаллы с шириной запрещённой зоны более 4 эВ
	О	полупроводники с шириной запрещённой зоны E_g = 0
В12		Отличительная черта излучения светодиода
	О+	некогерентность
	О	монохроматичность
	О	когерентность
	О	лучевая направленность
В13		В основе работы светодиода лежит одно из следующих физических явлений
	О+	электролюминесценция
	О	разряд в газовой среде
	О	индуцированное излучение
	О	тепловое излучение
В14		Светодиоды являются активной элементной базой для
	О+	Светоизлучающего элемента
	О	Светоприёмного элемента
	О	Усилителя мощности
	О	Выпрямителя напряжения
В15		Светодиоды изготовляют на основе
	О+	полупроводниковых материалов
	О	проводниковых материалов
	О	изоляционных материалов
	О	полимеров

	О+
	О
	О
	О

2015-12-07

203

Обсуждений (0)

0.00 из 5.00 0 оценок

Обсуждение в статье: Оптическая элементная база

Обсуждений еще не было, будьте первым... ↓↓↓