РАСЧЕТ МАЛОМОЩНОГО УМНОЖИТЕЛЯ ЧАСТОТЫ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
Исходные данные. 1. Выходная мощность . 2. Коэффициент умножения . 3. Угол отсечки коллекторного тока . 4. Частота сигнала на входе умножителя . 5. Параметры транзистора (см. банк данных в программе расчета).
ПОРЯДОК РАСЧЕТА УМНОЖИТЕЛЯ
1. Угол отсечки тока коллектора при умножении на 2 выбирается равным , а при умножении на 3 принимается . 2. Коэффициенты гармоник: 0, 1, n , 0, 1, n и коэффициенты формы тока gn= n / 0 = n/ 0вычисляются по формуле (4.1) разд. 4 или таблицам [1]. 3. Режим работы выбираем критическим. Коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания , где - граничная частота транзисторов в схеме с ОЭ; - активная емкость коллекторного перехода; - крутизна линии критического режима; - напряжение источника питания. 4. Напряжение n-й гармоники на коллекторе . 5. Амплитуда n-й гармоники тока коллектора . 6. Максимальное сопротивление нагрузки . 7. Сопротивление нагрузки умножителя Если условие не выполняется, то необходимо принять 8. Амплитуда импульса тока коллектора 9. Постоянная составляющая коллекторного тока . 10. Амплитуда первой гармоники тока коллектора 11. Параметры транзистора. Крутизна по переходу ,
где -температура перехода, . Сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе , статическая крутизна транзистора , диффузная емкость эмиттерного перехода CД и постоянная времени открытого эмиттерного перехода рассчитываются по формулам (2.2) – (2.5) разд. 2. Частота, на которой крутизна транзистора уменьшается до 0,7 от S: Нормированная частота , где fвх - частота сигнала на входе умножителя; необходимо также проверить выполнение условия Косинус фазового аргумента крутизны на частоте 12. Амплитуда напряжения возбуждения
13. Фаза первой гармоники тока коллектора в градусах 14. Входная проводимость (параллельный эквивалент)
15. Входное сопротивление (последовательный эквивалент) 16. Мощность возбуждения 17. Коэффициент усиления мощности 18. Потребляемая мощность 19. Коэффициент полезного действия 20. Мощность, рассеиваемая в транзисторе в виде тепла: 21. Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе. ,
где , - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; - сопротивление перехода – корпус. Температура корпуса транзистора определяется температурой окружающей среды :
22. Напряжение смещения
23. Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе , ,
где - напряжение отсечки тока транзистора; - предельно допустимое обратное напряжение на эмиттерном переходе. МАЛОМОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ
Популярное: Почему человек чувствует себя несчастным?: Для начала определим, что такое несчастье. Несчастьем мы будем считать психологическое состояние... Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (1028)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |