Расчет подавителя синфазной помехи
Расчет усилительных преобразователей обычно ведут от выхода по входу. Поэтому расчет транзисторной части устройства, т. е. подавителя помех, следует начинать с транзисторов VT1, VT2 и VT3, VT4. Прежде всего необходимо выполнить условие Rвых. VT1,VT2 >> Rист., где Rвых VT1,VT2=0,5*Rвых. VT1 Для выполнения этого неравенства составим уравнение: 20*Rист. =0.5*Fz.1*rкэ.1, где I к.п.1 – сила тока покоя VT1; Fz1 – глубина ООС типа Z в каскаде с VT1. Учитывая, что глубина ООС должна быть достаточно большой, примем Fz.1»20. Тогда Значение Iк.п.1 получилось более 1 мА, это означает что условие Rвых. VT1,VT2 >> Rист. легко выполняется и при силах тока Iк.п.1> 1 мА. Чтобы не пересчитывать преобразователь питания, выберем силу тока Iк.п.1 = 1 мА. Для этого уменьшим Fz1 : Iк.п.1= Iк.п.2= Iк.п.3= Iк.п.4. Определим значение сопротивлений R1= R2= R3= R4: , где S1 – крутизна коллекторного тока VT1, jт – термопотенциал p-n перехода; jт »25мВ. Поскольку уточненное значение Fz1=6,087<10, определим уточненное значение выходного сопротивления транзисторов VT1 – VT4:
должно удовлетворять условию . В данном случае условие выполняется: ≥ Обозначим U1 напряжение покоя между базой VT1 и шиной +Еп. Тогда U1=Iк.п.1*R1+Uбэ.1, где Uбэ.1=0,6 В. Отметим, что значение U1 справедливо и для VT2..VT5, VT8, VT9, VT12. Выбор транзисторов VT1..VT4 произведем с помощью следующих величин: max Uкэ.1 = Eп - Iк.п.1 ∙ R1 = = 6.725 В; max Iк.сред.1 = Iк.п.1 = 6,542 мА; max Pк.1 = Iк.п.1 ∙ (Eп - Iк.п.1 ∙ R1) = 0.044 мВт.
При выборе типа транзистора VT1..VT4 следует учитывать: А) Обязательно обеспечить комплементарность пар транзисторов VT1, VT2 и VT3, VT4. Б) Желательно иметь наибольший коэффициент усиления по току (b). В) Желательно обойтись без составных транзисторов. Г) Желательно, чтобы транзисторы VT1, VT3, VT5, VT9 входили в одну микросборку, а транзисторы VT2, VT4, VT8, VT12 – в другую (комплементарную к первой). Таблица 5. Параметры комплементарных транзисторных микросборок
Т.к. в схеме подавителя синфазной помехи используется принцип управления «по свидетелю», то транзистор VT5 следует выбрать такого же типа, как и VT1, VT2. Аналогично тип VT8 совпадет с типом VT2, VT4. При этом: Iк.п.5= Iк.п.8= Iк.п.1; R5=R6=R1 Для повышения термостабильности транзисторных преобразователей будем проектировать токовые зеркала на VT5, VT9 и VT8, VT12 в прямом варианте, т.е. принимаем R7=R8=R1. транзисторы VT6 и VT10 выбираем с помощью тех же величин, которые использовались при выборе VT1. при этом желательно, чтобы VT6 и VT10 входили в одну микросборку. Транзисторы VT8 и VT12 выбираются как комплементарные к VT6, VT10. На этом расчет по постоянному току закончен.
Популярное: Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (440)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |