Оформление расчетно-пояснительной записки

Работа выполняется на стандартных листах бумаги формата А4. Образец титульного листа приведен в приложении 4.

Текст записки необходимо писать четко, разборчиво. Полная принципиальная электрическая схема выполняется на листе формате A3 с условными графическими обозначениями электро-радиоэлементов согласно требованиям ЕСКД[12]. Перечень электро-радиоэлементов можно разместить на принципиальной электрической схеме или на отдельном листе (листах) расчетно-пояснительной записки (приложение 5). Графики рекомендуется выполнять на миллиметровой бумаге или в любом компьютерном редакторе.

Наряду с этим необходимо строго придерживаться установленных ГОСТами буквенных обозначений каждой физической величины.

В процессе расчета каждого параметра необходимо сначала провести его расчетную формулу, затем подставить цифровые значения каждого его элемента, а полученный результат в принятых единицах измерения СИ округлить до практически необходимой величины, например,- до номинальных значений ряда Е24 величин резисторов. Очень важно научиться выбирать по справочникам или каталогу тип резистора (по рассчитанному значению сопротивления и мощности рассеивания) и конденсатора (по рассчитанному значению емкости и рабочего напряжения) с учетом допусков ± 5, ± 10, ± 15, ± 20%.

При выборе электро-радиоэлементов можно выбирать отечественные и/или импортные типы комплектующих элементов.

Следует иметь в виду, что в справочниках приводятся предельные значения параметров приборов, которые при правильном выборе должны превышать расчетные значения не менее чем на 20…30%, но запас по допустимой мощности и току коллектора транзистора может быть в несколько раз. Слишком большой запас по электрическим параметрам приводит к удорожанию схем и в некоторых случаях к увеличению габаритных размеров и массы оборудования.

При выполнении вычислений параметров схем на компьютере в тексте расчетно-пояснительной записки необходимо привести расчетные формулы, поясняющие физический смысл вычислений, название и программу расчета.

Расчетно-пояснительная записка должна содержать введение, в котором излагается цель проводимых расчетов, примеры использования этих схем в системах автоматики. Каждая часть расчетов должна иметь исходные данные, схему, расчет и краткие выводы.

В заключении следует сформулировать выводы по работе: отметить, насколько рассчитанные устройства удовлетворяют требованиям технического задания, раскрыть достоинства и недостатки разработанной схемы, указать на трудности в работе.

Список литературы оформляется с учетом библиографических требований. Оглавление должно быть согласовано с указанием номеров разделов, подразделов и страниц.

Общий объем расчетно-пояснительной записки не должен превышать 20-30 страниц.

 

Список литературы

Основная

1. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций. Санкт-Петербург: «Корона Принт», 2004. - 416 с. (4-е изд.).

2. Марченко А. Л. Основы электроники. Учебное пособие для вузов. Москва: «ДМК Пресс», 2008.-296 с.

3. Белов Н.В. Электротехника и основы электроники : учебное пособие / Белов Н.В., Ю. С. Волков. – СПб. : Лань, 2012 . – 432 с.

4. Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника: учеб.пособие / А. И. Кучумов. - 4-е изд., стер. - Москва: Гелиос АРВ, 2011. - 336 с.

5. Опадчий, Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): учеб. / Ю. Ф. Опадчий; авт.: Глудкин О.П., Гуров А.И. - Москва: Горячая линия - Телеком, 2007. - 768 с.

6. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Г.С. Найвельт, К.Б. Мазель, Ч.И. Хусаинов и др.; Под ред. Г.С. Найвельта. – М.: Радио и связь, 1985. – 576 с., ил.

7. Транзисторы: Справочник/ О.П. Григорьев,В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев – М.: Радио и связь, 1989. – 272 с.:ил.

8. Резисторы: Справочник / В.В. Дубровский, Д.М. Иванов, Н.Я. Пратусевич и др. Под ред. И.И. Четвертакова и В.М. Терехова. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.: ил.

9. Конденсаторы: Справочник/И.И. Четвертаков, М.Н. Дьяконов, В.И. Присняков и др.: Под ред. И.И. Четвертакова, М.Н. Дьяконова. – М.: Радио и связь, 1993. -392 с.

10. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Полежаев. – М.: Радио и связь, 1990. – 336 с.: ил.

11. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / С.В. Якубовский, Л.И. Ниссельсон, В.И. Кулешова и др.; Под ред. С.В. Якубовского. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.: ил.

12. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов и др.; Под ред. Э.Т. Романычевой. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1989. -448 с.: ил.

 

Дополнительная

13. Б.Ю. Семенов. Силовая электроника: от простого к сложному. – М: ил.. СОЛОН-Пресс, 2005. – 416 с.

14. Пиз А. Роберт. Практическая электроника аналоговых устройств. Поиск неисправностей и отработка проектируемых схем: Пер. с англ. – М.: ДМК Пресс, 2001. – 320 с.:, ил.

15. Браун М. Источники питания. Расчет и конструирование.: Пер. с англ. – К.: «МК-Пресс», 2007. – 288 с., ил.

16. Бриндли К., Карр Дж. Карманный справочник инженера электронной техники / Пер. с англ. – М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2002. – 480 с.: ил.

 

Интернет-ресурсы

16. http://window.edu.ru/resource/102/45102 Промышленная электроника.

17. http://bourabai.ru/library/lavrov.pdf Электротехника и электроника: Конспекты лекций.

18. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=4009530 Электроника. Полный курс лекций.

19. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=2190609 Аналоговая и цифровая электроника (полный курс).

20. http://www.twirpx.com/file/216942/ Основы электроники.

21. http://padabum.com/d.php?id=283Электроника и схемотехника.

22. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=2191664 Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: справочник.

23. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=3388551 Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: справочник.

 

 

Приложение 1

Паспортные данные транзисторов КТ3102n-p-n проводимости Таблица 2

Тип	Uкбо и,В	Uкэо и, В	Iкmax(и), мА	Pкmax, Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, дБ
КТ3102АМ			100(200)	0,25	100-200	≤0,05	≥150	≤10
КТ3102БМ			100(200)	0,25	200-500	≤0,05	≥150	≤10
КТ3102ВМ			100(200)	0,25	200-500	≤0,015	≥150	≤10
КТ3102ГМ			100(200)	0,25	400-1000	≤0,015	≥150	≤10
КТ3102ДМ			100(200)	0,25	200-500	≤0,015	≥150	≤4
КТ3102ЕМ			100(200)	0,25	400-1000	≤0,015	≥150	≤4
КТ3102ЖМ			100(200)	0,25	100-250	≤0,015	≥150	-
КТ3102ИМ			100(200)	0,25	200-500	≤0,05	≥150	-
КТ3102КМ			100(200)	0,25	200-500	≤0,015	≥150	-

где:

Uкбо	- максимально допустимое напряжение коллектор-база;
Uкбо и	- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база;
Uкэо	- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;
Uкэо и	- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер;
Iкmax (и)	- максимально допустимый постоянный и (импульсный) ток коллектора;
Pкmax	- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
h21э	- статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
Iкбо	- обратный ток коллектора;
fгр	- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
Кш	- коэффициент шума биполярного транзистора.

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ502 p-n-p проводимости Таблица 3

Тип

Предельные параметры

RТ п-с, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iкmax, мА

Iк и max, мА

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0 max, В

Pкmax, мВт

Tос, °C

Tпmax, °C

Tmax, °C

h21э

Uкэ, В

Iэ, мА

Uкэ нас, В

Iкб0, мкА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ502А

40...120

0,6

КТ502Б

80...240

0,6

КТ502В

40...120

0,6

КТ502Г

80...240

0,6

КТ502Д

40...120

0,6

КТ502Е

40...120

0,6

Паспортные данные транзисторов КТ503 n-p-n проводимости Таблица 4

Тип

Предельные параметры

RТ п-с, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iкmax, мА

Iк и max, мА

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0 max, В

Pкmax, мВт

Tос, °C

Tпmax, °C

Tmax, °C

h21э

Uкэ, В

Iэ, мА

Uкэ нас, В

Iкб0, мкА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ503А

40...120

0,6

КТ503Б

80...240

0,6

КТ503В

40...120

0,6

КТ503Г

80...240

0,6

КТ503Д

40...120

0,6

КТ503Е

40...120

0,6

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ814 p-n-p проводимости Таблица 5

Тип	Предельные параметры	RТ п-к, °C/Вт
Параметры при T = 25°C
Iк, max, А	Iк и, max, А	Uкэ0гр, В	Uэб0max, В	Pкmax, Вт	Tк, °C	Tпmax, °C	Tкmax, °C	h21эmin	Uкб, В	Iэ, А	Uкэ нас, В	Iкб0, мА	fгр, МГц	Cк, пФ	Cэ, пФ
КТ814А	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ814Б	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ814В	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ814Г	1,5										0,15	0,6	0,05

 

Паспортные данные транзисторов КТ815 n-p-n проводимости Таблица 6

Тип	Предельные параметры	RТ п-к, °C/Вт
Параметры при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	TК, °C	Tпmax, °C	TК max, °C	h21Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКБ0, мА	fгр, МГц	CК, пФ	CЭ, пФ
КТ815А	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ815Б	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ815В	1,5										0,15	0,6	0,05
КТ815Г	1,5										0,15	0,6	0,05

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ816 p-n-р проводимости Таблица 7

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0 гр, В

Uэб0 max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21Э min

Uкб, В

Iк, А

Uкэ нас, В

Iкбо, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ816А

0,6

0,1

КТ816Б

0,6

0,1

КТ816В

0,6

0,1

КТ816Г

0,6

0,1

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ817n-p-n проводимости Таблица 8

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0 гр, В

Uэб0 max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21Э min

Uкб, В

Iк, А

Uкэ нас, В

Iкбо, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ817А

0,6

0,1

КТ817Б

0,6

0,1

КТ817В

0,6

0,1

КТ817Г

0,6

0,1

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ818, 2Т818 p-n-p проводимости Таблица 9

Тип	Предельные параметры	RТ п-к, °C/Вт
Параметры при T = 25°C
Iк, max, А	Iк и, max, А	Uкэ0гр, В	Uкб0max, В	Uэб0max, В	Pкmax, Вт	Tк, °C	Tпmax, °C	Tкmax, °C	h21э min	Uкэ(Uкб),В	Iк (Iэ), А	Uкэ нас, В	Iкб0, мА	fгр, МГц	Cк, пФ	Cэ, пФ	tвыкл, мкс
КТ818А											(5)							2,5	1,67
КТ818Б											(5)							2,5	1,67
КТ818В											(5)							2,5	1,67
КТ818Г											(5)							2,5	1,67
КТ818АМ																		2,5
КТ818БМ																		2,5
КТ818ВМ																		2,5
КТ818ГМ																		2,5
2Т818А											(5)	(5)						2,5	1,25
2Т818Б											(5)	(5)						2,5	1,25
2Т818В											(5)	(5)						2,5	1,25
2Т818А2											(5)	(5)						1,2	3,13
2Т818Б2											(5)	(5)						1,2	3,13
2Т818В2											(5)	(5)						1,2	3,13

 

 

Паспортные данные транзисторов КТ819, 2Т819 n-p-n проводимости Таблица 10

Тип	Предельные параметры	RТ п-к, °C/Вт
Параметры при T = 25°C
Iк, max, А	Iк и, max, А	Uкэ0гр, В	Uкб0max, В	Uэб0max, В	Pкmax, Вт	Tк, °C	Tпmax, °C	Tкmax, °C	h21э min	Uкэ(Uкб),В	Iк (Iэ), А	Uкэ нас, В	Iкб0, мА	fгр, МГц	Cк, пФ	Cэ, пФ	tвыкл, мкс
КТ819А											(5)							2,5	1,67
КТ819Б											(5)							2,5	1,67
КТ819В											(5)							2,5	1,67
КТ819Г											(5)							2,5	1,67
КТ819АМ																		2,5
КТ819БМ																		2,5
КТ819ВМ																		2,5
КТ819ГМ																		2,5
2Т819А											(5)							2,5	1,25
2Т819Б											(5)							2,5	1,25
2Т819В											(5)							2,5	1,25
2Т819А2											(5)	(5)						1,2	3,13
2Т819Б2											(5)	(5)						1,2	3,13
2Т819В2											(5)	(5)						1,2	3,13

 

Рис. 11. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ814, КТ815

 

 

Рис. 12. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ816

 

 

Рис. 13. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ817

 

Рис. 14. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ818

 

 

Рис. 15. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ819

 

 

Паспортные данные других типов транзисторов Таблица 11

 

Тип	Iкmax, A	Iк и max, A	Uкэо, В	Uкбоmax, В	Uэбоmax, В	Ркmax, Вт	Тпmax, 0С	Тпmax, С	h21	Проводимость	Uкэ нас, В	Iкбо, мА	fгр,МГц	Ск, пф	tвыкл, мкс	Rп-к,0 С\Вт
КТ3117А	0,4	0,8				0,3			40-200	n-p-n	0,6	0,01			-	0,35
2Т3117А	0,4	0,8				0,3			40-200	n-p-n	0,6	0,01			0,06	0,35
2Т3117Б	0,4	0,8				0,3			100-300	n-p-n	0,6	0,01			-	0,35
КТ917А									20-60	n-p-n
КТ935А									20-100	n-p-n
КТ943А									40-200	n-p-n
КТ961В	1,5								100-250	n-p-n	0,5	0,01
КТ972А										n-p-n	1,5				0,2	15,6
КТ973А										p-n-p	1,5					15,6
2Т974А									10-120	p-n-p

 

ПаспортныеданныетранзисторовКТ827n-p-nиКТ825p-n-pпроводимостей Таблица 12

 

Тип

Iк max, мА

Uкэо,В

Uкбоmax,В

Pmax, Вт

Тп max, °С

h21

Uкбо,В

Iэ,А

Uкбэнас,В

Iкбо, мкА

fгр,МГц

tвкл, мкс

tвыкл, мкс

RTп-с, 0С/Вт

КТ827А

750...18000

1,4..10,9

КТ827Б

750…18000

1,4..10,9

КТ827В

750...18000

1,4..10,9

КТ825Г

КТ825Д

КТ825Е

 

Рис. 16. Схемы составных транзисторов КТ827, КТ825

 

 

Рис.17.Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ827, КТ825

 

Паспортные данные диодов Таблица 13

 

Тип	Uобр, В	Iпр, А	Uпр, В/при Iпр, А	Iобр, мкА	Fmax, кГц	Cд, пФ	tвосст, мкс
КД522А		0,1	1/				0,004
КД522Б		0,1	0,95/				0,004
КД205А		0,5	1,0/		0,15
КД202Г		3,5	0,9/3,5		1,2
КД202Р			0,9/5
КД213А			1/
2Д216А			1,2/1
2Д2990А			1,4/20
2Д2997А			1/30

 

Паспортные данные стабилитронов Таблица 14

 

Тип	Uст ном, В при Iст	Pmax, мВт	Значения параметров при Т=25°С, Iпрном	Предельные значения параметров при Т=25°С	Тk max, °С
Uстmin,В	Uстmax,В	rст,Ом	αст,·10 -2, %/°С
Iст min, мА	Iст max, мА
КС107А	0,7(10)		0,63	0,77		-34
КС106А	3,2(0,25)		2,9	3,5		-13	0,01	0,5
КС133А	3,3(10)		2,97	3,68		-11
КС147А	4,7(10)		4,23	5,17		-9
КС156А	5,6(10)		5,04	6,16		±5
КС168А	6,8(10)		6,12	7,48		±6
КС175Ж	7,5(4)		7,1	7,9			0,5
2С112А	7,5(5)		6,82	8,21		±4
КС182А	8,2(5)		7,6	8,8
КС191Ж	9,1(4)		8,6	9,6			0,5
2С210А	10,0(0,5)		9,0	10,5
2С212В	12,0(5)		10,94	13,1		7,5
КС515А	15,0(5)		13,5	16,5
КС216Ж	15,0(2)		15,2	16,8			0,5	7,8
КС518А	18,0(5)		16,2	19,8
Д815Ж	18,0(500)		16,2	19,8
Д816А	22,0(150)		19,6	24,2
КС224Ж	24,0(2)		22,8	25,2			0,5	5,2
КС527А	27,0(5)		24,3	29,7
Д816Б	27,0(150)		24,2	29,5
КС533А	33,0(10)
Д816В	33,0(150)		29,5	36,0
КС551А	51,0(1,5)		48,0	54,0				14,6
Д817Б	68,0(50)		61,0	75,0

 

 

Приложение 2

Числовые значения рядоввыпускаемых резисторов и конденсаторов Таблица 15

ЕЗ	Е6	Е12	Е24	ЕЗ	Е6	E12	Е24	ЕЗ	Е6	Е12	Е24	ЕЗ	Е6	Е12	Е24
						1,8	1,8		3,3	3,3	3,3			5,6	5,6
			1,1								3,6				6,2
		1,2	1,2	2,2	2,2	2,2	2,2			3,9	3,9		6,8	6,8	6,8
			1,3				2,4				4,3				7,5
	1,5	1,5	1,5			2,7	2,7	4,7	4,7	4,7	4,7			8,2	8,2
			1,6								5,1				9,1

 

Типы и характеристики постоянных резисторов Таблица 16

Тип	Мощность, Вт	Сопротивление, Ом – МОм(М)	Тип	Мощность, Вт	Сопротивление, Ом- кОм (к)-МОм (М)
МЛТ, ОМЛТ	0,125	8,2 - 3М	СП2-5 переменные	0,5	10 - 100к
0,25	8,2 - 5,1М		10 - 100к
0,5	1 - 5,1М		10 - 100к
	1 - 10М	СП2-6 переменные	0,25	100 - 1М
	1 - 10М	0,5	100 - 2,2М
С2-23	0,062	10 - 100к	С2-33	0,125	1 - 3М
0,125	24 - 2М	0,25	1 - 5,1М
0,25	2 - 3М	0,5	1 - 5,1М
0,5	24 - 5,1М		1 - 10М
	1 - 10М		1 - 10М
	1 - 10М

 

Типы и характеристикипостоянных конденсаторов Таблица 17

Тип	Напряжение, В	Емкость, пФ, нФ(н), мкФ (мк)	Тип	Напряжение, В	Емкость, мкФ (мк)
К10-9		2 - 2н 11 - 3н 27 - 3н	К50-36		20мк - 5000мк
	10мк - 2000мк
	5мк - 2000мк
	0,82н - 15н 0,15н - 0,15мк 1н - 0,47мк		2мк - 2000мк
	1мк - 200мк
К50-6		50мк - 5000мк
КМ-6		0,12н - 5н 0,12н - 6н 0,18н - 6н 0,47н - 10н		10мк - 4000мк
	1мк - 4000мк
	1мк - 4000мк
	1мк - 2000мк
	0,82н - 15н 15н - 0,15мк 22н - 2,2мк		1мк - 200мк
К50-20	6,3	10мк - 5000мк
	2мк - 2000мк
К10-52	25; 50	10 - 1н		2мк - 1000мк
25; 50; 100	10 - 7,5н		1мк - 2000мк
К50-22	6,3	2200мк - 22000мк		1мк - 200мк
	1500мк - 15000мк	К50-3А		2мк - 5000мк
	1000мк - 10000мк		2мк - 1000мк
	680мк - 6800мк		1мк - 200мк
	220мк - 2200мк		1мк - 100мк
	100мк - 680мк

 

 

Приложение 3