Выбор емкостей C57 и C58

Выбор емкости C 57:

Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора C57:

Выбираем конденсатор КПК-МН.

Его характеристики:

· Номинальное напряжение 350В;

· Минимальная емкость, не более 4пФ;

· Максимальная емкость, не менее 15пФ;

· Длина 15мм;

· Высота 9мм;

· Ширина 11мм;

· Внешний вид:

 

Выбор емкости C 58:

Амплитуда напряжения на обкладках конденсатора C58:

Для реализации емкости C58 необходимо включить параллельно конденсаторы К10-17 и КТ4-28.

Характеристики конденсатора К10-17:

· Номинальное напряжение 25В;

· Номинальная емкость 91пФ;

· Ширина (1,5…1,2)мм;

· Длина (1,3…8,6)мм;

· Высота (1,8…3,3)мм;

· Внешний вид:

 

Характеристики конденсатора КТ4-28:

· Номинальное напряжение 25В;

· Минимальная емкость, не более 4пФ;

· Максимальная емкость, не менее 20пФ;

· Длина 2,8мм;

· Высота 1,2мм;

· Ширина 2,6мм;

· Внешний вид:

 

Назначение всех элементов принципиальной схемы радиопередатчика

 

Кварцевый автогенератор

VT1, ZQ1, C4, C1, C2 – емкостная трехточка.

L1 – блокировочная индуктивность.

C7 – блокировочная емкость.

R1, R4 – делитель напряжения, необходимый для подачи смещения на базу.

R6 – для подачи питания на коллекторную цепь и подачи смещения на базу транзистора VT1.

С8 – блокировочная емкость.

 

Фазовый модулятор

L2, VD1, VD2, C11, C12 – колебательный контур. При подаче модулирующего напряжения, варикапы изменяют свою емкость, следовательно меняются параметры контура и происходит модуляция.

 

Умножитель на 2

R14 – для подачи смещения на базу.

C14 – блокировочная емкость.

L3, C15, C16 – колебательный контур, настроенный на 2 гармонику.

R20 – для подачи смещения за счет тока базы.

 

C48, L12 – Г-образный четырехполюсник.

 

Усилитель НЧ

C3 – блокировочная емкость.

R2 – для настройки микрофона.

C5, C6 – блокировочные емкости.

R3, C5, C6 – цепь автосмещения.

C9 – блокировочная емкость.

R7 – для питания стоковой цепи транзистора VT2.

C10 – блокировочная емкость.

R8, R11 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT3.

R12 – обеспечивает автосмещение.

R13 – для питания коллекторной цепи транзистора VT3.

C13 – блокировочная емкость.

R15, R16 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT5.

R18 – обеспечивает автосмещение.

R19 – для подачи питания на коллекторную цепь транзистора VT5.

C17 – блокировочная емкость.

С18 – блокировочная емкость.

VD3, VD4 – ограничительные диоды. Необходимы для ограничения по амплитуде резких всплесков речевого сигнала. Следовательно происходит увеличение коэффициента модуляции.

C22, L5, C23 – П-образный ФНЧ.

C24 – блокировочная емкость.

R24, R25 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT8.

R27 – обеспечивает автосмещение.

C28 – блокировочная емкость. Шунтирует коллекторную цепь транзистора VT8 по высокочастотному току, попавшему с модулятора.

R28 – для подачи питания на коллекторную цепь транзистора VT8.

C29 – блокировочная емкость.

R29 –для подачи смещения на варикапы VD1, VD2.

C41 – блокировочная емкость.

R30 – для изменения девиации.

R31, C45, R10 – интегратор.

 

Усилитель мощности

C52, L15 – Г-образный четырехполюсник.

L16 – блокировочная индуктивность.

C53 – блокировочная емкость.

L17 – нагрузка.

C54, C55, L18 – Т-образный четырехполюсник.

L19 – блокировочный дроссель. Задает нулевое смещение на базе.

L20 – блокировочная индуктивность.

L21, L22, C57, C58 – колебательный контур. Согласует выходной каскад передатчика с нагрузкой.

Заключение

 

В ходе выполнения курсового проекта был рассчитан оконечный каскад передатчика. Был произведен конструкторский расчет катушек индуктивности и выбор стандартных номиналов емкостей и блокировочных дросселей. Были приобретены навыки анализа принципиальных схем радиопередающих устройств.

Список использованной литературы

 

1. Проектирования радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов/В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, И.А. Попов и др.; Под ред. В.В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь, 1993, 512с.

2. Шумилин М. С., Козырев В. Б., Власов В. А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и связь, 1987.

3. Методические указания к курсовому проектированию по дисциплине “Устройства формирования сигналов” /Л.И. Булатов, Б.В. Гусев. Екатеринбург: Изд-во УГТУ, 2003 г.

Приложение 1

Параметры транзистора КТ-934В

Параметры идеализированных статических характеристик	Сопротивление насыщения транзистора rнас, Ом	0,45
	Сопротивление материала базы rБ, Ом
	Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера rЭ, Ом	0
	Напряжение отсечки коллекторного тока ,В	0,7
	Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ β0	50
Высокочастотные параметры	Частота единичного усиления по току fT, МГц	700
	Барьерная емкость коллекторного перехода CК, пФ	22
	Барьерная емкость эмиттерного перехода CЭ, пФ	200
	Постоянная времени коллекторного перехода τК, пС	5
	Барьерная емкость активной части эмиттерного перехода СКА, пФ
	Индуктивность вывода эмиттера LЭ, нГн	1
	Индуктивность вывода базы LБ, нГн	2.8
	Индуктивность вывода коллектора LК, нГн	2.5
Предельно допустимые значения	Допустимое напряжение на коллекторе в схеме с ОЭ UКЭ.ДОП, В	60
	Допустимое обратное значение напряжения на эмиттерном переходе UБЭ.ДОП, В	4
	Допустимая постоянная составляющая тока коллектора IК0.ДОП, А	2