РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ.
Требования к усилителю мощности:
рабочая частота – 25 МГц; выходная мощность – не менее 25 Вт.
В качестве активного элемента в усилителе мощности будет использоваться биполярный транзистор КТ927Б т. к. он обеспечивает требуемую выходную мощность и может работать на требуемой частоте. Параметры транзистора приведены в ПРИЛОЖЕНИИ 2.
3.1 Схема усилителя мощности.
Схема усилителя мощности приведена на рисунке 5.
Рис.5.
Назначение элементов схемы усилителя мощности:
R1 и R2 - используются как делитель напряжения для обеспечения фиксированного смещения; обеспечивают автосмещение; корректируют частотную характеристику; С1 и С5 – разделительные емкости; L2 – блокировочная индуктивность; С3 – блокировочная емкость; L1 и С2 – входная согласующая цепь; L3 и С3 – выходная согласующая цепь.
3.2 Расчет режима работы и энергетический расчет
Выбираем амплитуду импульсов коллекторного тока ik max из условия:
ik max ≤ (0.8 … 0.9) ∙ ik доп,
где ik доп – допустимая амплитуда импульсов коллекторного тока (справ.);
ik max = 0.8 ∙ 10 = 8 А.
Выбираем напряжение источника питания из условия:
Еп ≤ Uк доп /2,
где Uк доп – допустимая амплитуда напряжения на коллекторе (справ.);
Еп ≤ 70 / 2 = 35, выбираем Еп = 20 В.
Рассчитываем напряженность граничного режима работы активного элемента ξгр
ξгр = 1- iк max / Sгр∙ Еп = 1- 8 / 5 ∙ 20 = 0.92,
где Sгр – крутизна граничного режима (справ.).
Найдем амплитуду импульсов первой гармоники коллекторного напряжения
Uk1 = ξгр ∙ Еп = 0.92 ∙ 20 = 18.4 В.
Определим амплитуду импульсов первой гармоники коллекторного тока
Ik1 = α1(θ)∙ ik max = 0.5 ∙ 8 = 4 А,
где α1(θ) – коэффициент Берга, θ = 90˚.
Рассчитаем постоянный ток, потребляемый коллекторной цепью транзистора
Ik0 = α0(θ)∙ ik max = 0.318 ∙ 8 = 2.54 А,
где α0(θ) – коэффициент Берга, θ = 90˚.
Найдем мощность первой гармоники
P1 = Ik1 ∙ Uk1 / 2 = 4 ∙ 18.4 / 2 = 36.8 Вт.
Определим мощность, потребляемую от источника питания
P0 = Ik0 ∙ Eп = 2.54 ∙ 20 = 50.8 Вт.
Рассчитаем мощность, рассеиваемую на активном элементе
Pрас = Р0 – Р1 = 50.8 – 36.8 = 14 Вт.
Найдем к.п.д. усилителя
η = Р1 / Р0 = 36.8 / 50.8 = 0.72, т.е 72%.
Определим амплитуду управляющего заряда
Qy1 = ik max / [ωгр ∙ ( 1- cos θ )]= 8 / [2 ∙ π ∙ 100 ∙ 106 ∙ ( 1- cos 90˚ )] = 12.73 ∙ 10-9 Кл, где ωгр – граничная частота работы транзистора, θ – угол осечки коллекторного тока. Найдем постоянную составляющую напряжения эмиттерного перехода
Uэп = uотс – γ0 (π –θ) ∙ Qy1 /Cэ = 1 – 0.5 ∙ 12.73 ∙ 10-9 / 2300 ∙ 10-12 = -0.76 В,
где uотс – напряжение отсечки, γ0 - коэффициент Берга, Cэ – емкость эмиттерного перехода (справ.).
Определим минимальное мгновенное напряжение на эмиттерном переходе
uэ min = uотс – (1 – cos (π –θ) ) ∙ Qy1 / Cэ = 1 – 12.73 ∙ 10-9 / 2300 ∙ 10-12 = - 4.5 В.
Рассчитаем выходное сопротивление транзистора
Rk = Uk1 / Ik1 = 18.4 / 4 = 4.6 Ом.
Определим коэффициент, показывающий во сколько раз увеличивается входная емкость транзистора счет паразитной емкости коллекторного перехода
æ = 1 + γ1 (θ) ∙ ωгр∙ Ск ∙Rk = 1 + 0.5 ∙2 ∙ π ∙ 100 ∙ 106 ∙ 150 ∙ 10-12 ∙ 4.6 = 1.217,
где Ск – емкость коллекторного перехода.
Найдем амплитуду первой гармоники тока базы с учетом тока через емкость Ск
Iб = ω ∙ Qy1 ∙ æ = 2 ∙ π ∙ 25 ∙ 106 ∙ 12.73 ∙ 10-9 ∙ 1.217 = 2.43 A.
Рассчитаем сопротивление корректирующего резистора, подключаемого параллельно входу транзистора, служащего для симметрирования импульсов коллекторного тока
RЗ = 1 / ωβ ∙ Cэ = 1 / 2 ∙ π ∙ 5 ∙ 106 ∙ 2300 ∙ 10-12 = 13.8 Ом,
где ωβ – частота, на которой модуль коэффициента усиления тока в динамическом режиме уменьшается в √2 раз по сравнению со статическим режимом. ωβ находится по формуле ωβ = ωгр / B , где В – средний коэффициент усиления тока (15…30).
Определим мощность, рассеивающуюся на корректирующем сопротивлении
= 0.55 Вт.
Найдем входное сопротивление транзистора
Rвх = γ1 (θ) ∙ ωгр∙ Lэ / æ = 0.5 ∙2 ∙ π ∙ 100 ∙ 106 ∙ 1 ∙ 10-9 / 1.217 = 0.26 Ом,
где Lэ – индуктивность эмиттерного вывода транзистора (справ.).
Определим мощность, обусловленную прямым прохождением мощности в нагрузку через Lэ и связанную с Rвх
P’’вх =I2б1 ∙ Rвх / 2 = 2.432 ∙ 0.26 / 2 = 0.76 Вт.
Рассчитаем входную мощность, требуемую для обеспечения заданной выходной мощности
Pвх = P’вх + P’’вх = 0.55 + 0.76 = 1.31 Вт.
Найдем коэффициент передачи по мощности усилителя
Kp = (P1 + P’’вх) / Pвх = ( 36.8 + 0.76 ) / 1.31 = 28.7
Определим входную индуктивность усилителя
Lвх = Lб + Lэ / æ = 1 ∙ 10-9 + 2 ∙ 10-9 / 1.217 = 2.82 нГн,
где Lб – индуктивность базового вывода транзистора (справ.).
Рассчитаем входную емкость усилителя
Свх = æ ∙ Сэ / γ1 (π - θ) = 1.217 ∙ 2300 ∙ 10-9 / 0.5 = 5.6 нФ.
Найдем усредненное за период колебаний сопротивление коррекции Rпар
Rпар = RЗ ∙ γ1 (π - θ) = 13.8 ∙ 0.5 = 6.9 Ом.
3.3 Расчет цепи питания усилителя мощности.
Выбор схемы цепи питания.
Цепь питания содержит источник постоянного напряжения и блокировочные элементы. Благодаря блокировочным элементам исключаются потери высокочастотной мощности в источнике питания, и устраняется нежелательная связь между каскадами через источник питания. В качестве схемы цепи питания выберем параллельную схему (рис. 6.), когда источник питания, активный элемент и выходная цепь включены параллельно. Последовательная схема цепи питания не будет использоваться, потому что требуется, чтобы выходная согласующая цепь пропускала постоянный ток.
Рис. 6.
Емкость Сбл с индуктивностью Lбл и емкостью Ср образуют колебательный контур резонирующий на частоте меньшей рабочей частоты усилителя, что может привести к возбуждению колебаний. Чтобы исключить их применяют антипаразитный резистор Rап и проектируют цепь питания как ФНЧ.
Определим блокировочную индуктивность из условия
ωmin ∙ Lбл >> Rk
Lбл >> Rk / ωmin = 4.6 / 2 ∙ π ∙ 25 ∙ 10-6 = 29.3 ∙ 10-9
Lбл = 10 мкГн.
Рассчитаем сопротивление антипаразитного резистора из условия
Rап << 0.1 ∙ Rk = 0.1 ∙ 4.6 = 0.46 Определим емкость блокировочного и разделительного конденсаторов
Сбл = Ср = Lбл / 2 ∙ Rап = 10 ∙ 10-6 / 2 ∙ 0.46 = 10.9 мкФ.
3.4 Расчет цепи смещения усилителя мощности.
Выбор схемы цепи смещения.
Напряжение смещения биполярного транзистора в оптимальном режиме зависит от входного напряжения, а следовательно от входной мощности. Обеспечить требуемое напряжение смещения с помощью фиксированного смещения нецелесообразно, поскольку изменение входной мощности приведет к отклонению режима работы транзистора по постоянному току от оптимального. Для стабилизации режима работы транзистора применяют комбинированное смещение, при этом к базе транзистора необходимо подвести постоянное напряжение отсечки uотс и обеспечить автосмещение Uавт = γ0( π – θ) ∙ Qy1 / Cэ.
Рассчитаем требуемое сопротивление автосмещения и элементов схемы смещения Rсм = , так как θ = 90˚ формула приимет вид Rсм = Rз = , где τβ –постоянная времени на частоте ωβ (частота, на которой модуль коэффициента усиления тока в динамическом режиме уменьшается в √2 раз по сравнению со статическим режимом. ωβ находится по формуле ωβ = ωгр / B , где В – средний коэффициент усиления тока) и находится по формуле τβ = 1 / ωβ = 1 / 2 ∙ π ∙ 5 ∙ 106 = 31.8 нс.
Rсм = 13.8 Ом. Применяя схему смещения, приведенную на рисунке7, необходимо чтобы выполнялись условия: Eп ∙ R2 / ( R1 + R2 ) = Uотс , R1 ∙ R2 /( R1 + R2 ) = Rсм.
Эти условия выполняются при R1 = 278.6 Ом ≈ 280 Ом и R2 = 14.6 Ом ≈ 15Ом.
Популярное: Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе... Почему стероиды повышают давление?: Основных причин три... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (213)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |