 |
Главная |
Выбор и обоснование элементной базы схемы силового блока управления
 2019-10-11 |
 235 |
 Обсуждений (0) |
из
5.00
|
1. Выбор и обоснование постоянных резисторов. Эксплуатационные данные резисторов типа МЛТ и CF-25 приведены в таблице 1:
Табл. 1
| № | Параметр | МЛТ | CF-25 |
| 1 | Номинальное сопротивление | 1 Ом÷10 МОм | 1 Ом ÷ 10 МОм; |
| 2 | Диапазон рабочих температур, °С | -55°С ÷ +125°С | -55°С ÷ +125°С |
| 3 | Отклонение, % | 1 ÷ 5 | 1 ÷ 5 |
| 4 | Длина корпуса | 7,0 мм | 6,0 мм |
| 5 | Ширина корпуса | 3,0 мм | 2,3 мм |
Исходя из параметров таблицы, принято решение выбрать резисторы типа CF-25, так как они подходят по номинальным параметрам и имеют меньшие габариты.
2. Выбор и обоснование электролитический конденсаторов. Предельные эксплуатационные данные конденсаторов типов К50-6 и К53-1 приведены в таблице 2:
Табл. 2
| № | Параметр | К50-6 | К53-1 |
| 1 | Диапазон рабочих температур, °С | -10 ÷ +70 | -60 ÷ +125 |
| 2 | Номинальная емкость, мкФ | 1 ÷ 100 | 0,033 ÷ 100 |
| 3 | Отклонение, % | ±80 ÷ -20 % | ±10 ÷ ±30 |
| 4 | Номинальное напряжение, В | 6,3 ÷ 200 | 6,3 ÷ 40 |
Исходя из параметров таблицы, принято решение выбрать электролитические конденсаторы К53-1, так как они обладают меньшим отклонением от номинальной емкости.
3. Выбор и обоснование выбора полевых транзисторов. Эксплуатационные данные транзисторов IRF520 и AUIRF1324:
Табл. 3
| № | Параметр | IRF520 | AUIRF1324 |
| 1 | Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 | 24 |
| 2 | Максимальный ток сток-исток при 25°С, А | 9,7 | 35,3 |
| 3 | Максимальное напряжение затвор-исток, В | ±20 | ±20 |
| 4 | Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 48 | 300 |
Исходя из параметров таблицы, принято решение выбрать AUIRF1324 так как он обладает большей рассеиваемой мощностью.
Основные технические характеристики транзистора МП40:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
4. Выбор и обоснование выбора светодиодов. Параметры светодиодов приведены в таблице 4:
Табл. 4
| № | Параметр | АЛ307А | АЛ102БМ |
| 1 | Цвет свечения | Красный | Красный |
| 2 | Сила света, кд/м2 | 100 | 200 |
| 4 | Номинальный прямой ток, мА | 30 | 60 |
| 5 | Максимально допустимый прямой ток, мА | 20 | 20 |
| 6 | Максимально допустимая температура корпуса, °С | 70 | 70 |
В качестве сигнальных светодиодов выбираем АЛ102БМ, так как у него больше сила света.
Описание работы части схемы
Напряжение питания 12В через разъёмы КР14, КР15 поступает на вход интегрального стабилизатора напряжения DA1, собранного на микросхеме КРЕН5А. На выходе стабилизатора формируется напряжение 5В которое подается через разъем КР1 на плату управления, а также поступает через КП16 и КП21 на сервопривод 1 и 2. Так же 12В поступает через контакт КР12 для включения внешнего устройства.
Для управления реле сигнал с платы управления через разъем КР2 поступает на электронный ключ выполненный на транзисторе VT1 и резисторах R3 и R4. Для индикации срабатывания данного электронного ключа к коллектору транзистора VT1 через ограничивающий резистор R2 подключен светодиод. Для контроля работы данного участка схемы параллельно к ней через ограничивающий резистор R1 к входам КР8 и КР9 подключен светодиод.
Для управления яркостью локального (внутреннего) света сигнал с платы управления через разъем КР5 поступает на силовой ключ, способ работы которого основан на ШИМ, выполненный на транзисторе VT2 и резисторе R7. Для контроля работы данного участка схемы через ограничивающий резистор R5 к входам КР24 и КР25 подключен светодиод.
Для управления яркостью внешнего света сигнал с платы управления через разъем КР6 поступает на силовой ключ, способ работы которого основан на ШИМ, выполненный на транзисторе VT3 и резисторе R8. Для контроля работы данного участка схемы через ограничивающий резистор R6 к входам КР26 и КР27 подключен светодиод.
Технология изготовления печатной платы
Номер
Операции перехода
Оборудование
Материал
Режим
