Расчет принципиальной схемы генератора линейно - изменяющегося напряжения
В качестве разделительного конденсатора С1 возьмем алюминиевый оксидно-электролитический конденсатор К50-9-30В-10 мкФ. В качестве элемента VT1 возьмем транзистор КТ3108Б p n p, ВЧ, со следующими параметрами: b = 50 – 100; Iкmax = 200 мА; Uкбmax = 45 В; Uкэmax = 45 В; Uбэн = 0,6 В; I кбо = 0,2 мкА.
Рассчитаем конденсатор С2 в генераторе пилообразного напряжения. Ток разряда конденсатора С2 равен:
; (1)
Максимальный ток разряда конденсатора С2:
200 мА;
Емкость конденсатора С2:
; (2)
Ф.
В качестве С2 возьмем керамический монолитный конденсатор К10-47-50В-0,44 мкФ. Ток заряда конденсатора С2 вычисляется по формуле:
; (3) =0,13 А.
Для того чтобы конденсатор C2 успевал разрядиться за время обратного хода to сопротивление транзистора VT1 должно быть равно:
; (4)
=15.15 Ом. Конденсатор С2 успеет разрядиться, так как транзистор VT1 во время разряда С2 находится в насыщенном состоянии, в котором сопротивление транзистора равно единицам ОМ. Расчет резистора R1 осуществляется следующим образом:
; (5)
Ток IR1 протекающий через резистор R1:
; (6)
8 мА. Из формулы (5) находим значение резистора R1:
кОм. Из ряда номиналов Е 24 выбираем значение R1=2 кОм.
Мощность, рассеиваемая на резисторе R1:
; (7) =0,128 Вт. В качестве элемента R5 возьмем резистор МЛТ-0,25-2к±0,5. В качестве VT2 выбираем транзистор КТ315А npn , ВЧ со следующими параметрами: b = 50-350; I кmax = 100 мА; U кэmax = 25 В; U кэн = 0,4 В; U бэн = 1,1 В. Для поддержания транзистора VT2 в открытом состоянии необходимо чтобы напряжение Uкэ было больше Uкэн. Амплитуда напряжения на конденсаторе С2 UС4 = 10 В. Возьмем напряжение Uкэ = 2 В, тогда напряжение на резисторе R3 равно:
UR3=Е к – ( Uкэ +UС2); (8)
UR3=16- (2 + 10) = 4 В.
Произведем расчет резистора R3:
; (9)
Oм.
Из ряда номиналов Е24 выбираем резистор R3= 170 Ом . Мощность, рассеиваемая на резисторе R3:
; (10) Вт. В качестве элемента R3 выбираем резистор МЛТ-0,125-170±0,5% . Транзистор VT2 будет открыт, если U БЭ ³ U БЭН в схеме U БЭVT2= 1,5 В. Напряжение стабилизации стабилитрона V1 находим из условия:
U ст= U R3 + U БЭVT2; (11)
U ст= 4+1,5=5,5 В.
Выберем стабилитрон 2С210А со следующими параметрами:
U ст = 9 – 10,5; I стmin=3 мА; I стmax=15 мА; r д= 15 Ом; I ст= 5 мА.
Расчет резистора R2 осуществляется следующим образом:
; (12) Напряжение UR2 определяется как разность напряжения питания ЕК и напряжения стабилизации UСТ:
UR2 = ЕК - UСТ; (13)
UR2 =16-5,5= 10,5 В.
Из формулы (12) найдем значение R2:
= 2100 Ом. Из ряда номиналов Е24 резистор R2=2200 Ом. Мощность, рассеиваемая на R2:
; (14) =0,05 Вт. Выбираем резистор МЛТ-0,125-680- 0,5% . Расчет коэффициента нелинейности генератора пилообразного напряжения осуществляется из следующего условия:
e *100%; (15)
Для расчета Rвыхэ построим схему замещения транзистора VT2.
Рисунок 2 – схема замещения транзистора.
Расчет схемы замещения транзистора произведем по h-параметрам. h11б = 40 Ом; h22б = 0,3 мкСм; h12б = 45.
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:
; (16)
Ом.
Сопротивление коллекторного перехода:
; (17)
=65359 Ом.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:
; где - тепловой потенциал; (18)
=2,7 Ом.
Сопротивление базы транзистора:
; (19)
Ом.
RВЫХЭ = (R3+ ) ½½(r б +(r д ½½R2))½½r* к; (20)
RВЫХЭ = 4930,1 Ом.
Из формулы (15) рассчитаем коэффициент нелинейности генератора пилообразного напряжения:
e %.
Полученный коэффициент нелинейности генератора намного меньше данного e = 0,4 % . Заключение Спроектированное и рассчитанное выше устройство имеет низкий коэффициент нелинейности x=0,024%, что позволяет получить на выходе пилообразные импульсы с малой степенью искажений. Из полученных расчетов следует, что данный генератор линейно – изменяющегося напряжения с динамической обратной связью обеспечивает низкий коэффициент нелинейности, а выходные напряжения ограничены лишь допустимыми параметрами транзистора. Список литературы 1. Четвертков А Р, Дубровский С С, Иванов А В “Резисторы” : Справочник, Москва 1991г. 2. Аксенов А И, Нефедов А В “Резисторы Конденсаторы” : Справочное пособие, Москва 2000г. 3. Аксенов А И, Нефедов А В “Отечественные полупроводниковые приборы” : Справочное пособие, Москва 2000г. 4. Бондарь В А “Генератор линейно – изменяющегося напряжения ”, 1988г. 5. Гусев В Г, Гусев Ю М “Электроника”: Учебное пособие для вузов, Москва 1982. 6. Гершунский Б С “Справочник по расчету электронных схем”, Киев 1983. 7. Хоровиц П , Хилл У ”Искусство схемотехники” : Москва 2001г. 8. Валеева Р. Г, Старцев Ю В “Методические указания по оформлению курсовых и дипломных проектов для студентов специальностей 210300 – “Роботы и робототехнические системы”, 220200–“Автоматизированные системы обработки информации и управления”, 210100- “Управление и информатика в технических системах”/УГАТУ, 1997.
Популярное: Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация... Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Организация как механизм и форма жизни коллектива: Организация не сможет достичь поставленных целей без соответствующей внутренней... Почему стероиды повышают давление?: Основных причин три... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (296)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |