V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.

I: {{ 1 }} ; K=А

S:По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?

+:

I: {{ 2 }} ; K=В

S:Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?

+:одинаковая частота и фаза переменного тока

I: {{ 3 }} ; K=В

S:Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей ?

+: асинхронный пуск

I: {{ 4 }} ; K=В

S:Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?

+:возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?

+: синхронный двигатель

I: {{ 6 }} ; K=А

S:От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?

+: от тока возбуждения

I: {{ 7 }} ; K=В

S:По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?

+:

I: {{ 1 }} ; K=А

S:В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:

+:механоэлектрические

+: оптопары

I: {{ 2 }} ; K=Б

S:Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах

+:полупроводник, электроны и дырки

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Параметры режима электронного прибора:

+:ток, напряжение

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Математическая модель электронного прибора:

+:система дифференциальных уравнений

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?

+:сглаживание

I: {{ 6 }} ; K=Б

S:Модуляция это ###

+:изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала

I: {{ 7 }} ; K=Б

S:Амплитудная модуляция это ###

+:изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала

I: {{ 8 }} ; K=Б

S:Частотная модуляция это ###

+:изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей

I: {{ 9 }} ; K=Б

S:Фазовая модуляция это ###

+:изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала

I: {{ 10 }} ; K=А

S:Детектирование это ###

+: процесс, обратный модуляции

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Колебательный контур состоит только из ###

+:индуктивности и емкости

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Колебательный контур состоит из ###

+:все ответы не верны

I: {{ 13 }} ; K=Б

S:Колебательный контур применяется для получения ###

+:резонанса

I: {{ 14 }} ; K=А

S:Колебательный контур служит ###

+: генерирования сигнала определенной частоты

I: {{ 15 }} ; K=А

S:Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###

+:высокое входное сопротивление

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Закон Ома

+:U=IR

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Т_u – длительность импульса):

+:

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###

+:коэффициента усиления от частоты входного сигнала

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Отрицательная обратная связь в усилителе ###

+:снижает искажения

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Усилитель низкой частоты есть ###

+:преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал

V1: Контактные явления

I: {{ 1 }} ; K=А

S:p-n переход образуется при контакте:

+:полупроводник- полупроводник

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:

+:кремния

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Полупроводники по проводимости находятся ###

+:между диэлектриком и проводником

I: {{ 4 }} ; K=А

S:К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###

+:ограниченный температурный режим

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо

+:положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n-области

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным

+:не приложено никакое внешнее напряжение

I: {{ 7 }} ; K=А

S:Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###

+:положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью

I: {{ 8 }} ; K=Б

S:Что такое ширина запрещенной зоны?

+:Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости

I: {{ 9 }} ; K=Б

S:Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:

+:генерация носителей заряда

I: {{ 10 }} ; K=A

S:Что такое дрейф носителей заряда?

+:хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля

I: {{ 11 }} ; K=Б

S:Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:

+:от n-области к p-области

I: {{ 12 }} ; K=A

S:Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:

+:+ p-n -

I: {{ 13 }} ; K=А

S:При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?

+:да

-: нет

I: {{ 14 }} ; K=A

S:За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?

+:за счёт добавления легирующих примесей

I: {{ 15 }} ; K=A

S:За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?

+:за счёт ударной ионизации

I: {{ 16 }} ; K=A

S:Рекомбинация носителей заряда это:

+:возникновение пар носителей заряда

I: {{ 17 }} ; K=A

S:Возникновение пар носителей заряда называют:

+:рекомбинацией

I: {{ 18 }} ; K=A

S:Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:

+:диффузией

I: {{ 19 }} ; K=A

S:Примеси, атомы которых отдают электроны называются:

+: донорами

I: {{ 20 }} ; K=A

S:Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:

+:акцепторами

I: {{ 1 }} ; K=А

S:Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей:

+:выпрямление переменного напряжения

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Тиристор используется в цепях переменного тока для ###

+:регулирования выпрямленного напряжения

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру

+:p-n

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Тиристор имеет структуру:

+:p-n-p-n

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какой из диодов изготавливают из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примесей?

+:тунельный диод

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются ###

+:максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток

I: {{ 7 }} ; K=Б

S:Стабилитронами и стабисторами называются кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные характеристики которых имеют.

+:участки малой зависимости от протекающего тока

I: {{ 8 }} ; K=А

S:Плоскостным называют диод:

+:у которого линейные размеры, определяющие площадью, значительно больше характеристической длины

I: {{ 9 }} ; K=А

S: Какую функцию выполняет стабилитрон?

+:стабилизацию напряжения

I: {{ 10 }} ; K=А

S:Какой вид тока на выходе диода, если он включен в электрическую цепь переменного тока?

+:постоянный

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Какую вольтамперную характеристику имеет симистор?

+:симметричную для прямого и обратного тока

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Какую функцию выполняет диодный мост в источниках питания?

+:выпрямление

I: {{ 13 }}; K=А

S:Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для сглаживания пульсации выходного напряжения?

+:конденсатор

I: {{ 14 }}; K=А

S:Какую функцию выполняет стабилитрон в источниках питания?

+:стабилизация

I: {{ 15 }} ; K=А

S:Какой из элементов необходимо использовать в источниках питания для понижения напряжения в сети?

+:силовой трансформатор

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Для стабилизации выходного тока в источниках питания, какой элемент используется?

+:бареттер

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:выпрямительный диод

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Что произойдет если превысить I_max стабилитрона?

+:пробой перейдёт из электрического в тепловой и стабилитрон сгорит

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Условное обозначение, какого прибора дано КД521Б?

+:кремниевый диод

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:варикап

I: {{ 21 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:триодный тиристор

I: {{ 22 }} ; K=А

S:Как изменится емкость варикапа при увеличении обратного напряжения?

+:уменьшается

I: {{ 23 }} ; K=А

S:Каким устройством стабилизируют ток?

+:бареттером

I: {{ 24 }} ; K=Б

S:При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:

+:растет

I: {{ 25 }} ; K=А

S:Последовательное соединение диодов необходимо для:

+:выпрямления высоких напряжений

I: {{ 26 }} ; K=А

S:Параллельное соединение диодов применяют:

+:когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода

I: {{ 27 }} ; K=Б

S:Диод, используемый в огибающем детекторе, должен иметь:

+:малую емкость перехода.

I: {{ 28 }} ; K=А

S:Варактор может быть использован в целях:

+:настройки генератора на основе диодов Ганна.

I: {{ 29 }} ; K=Б

S:Напряжение прямого прерывания сигнального диода может быть использовано в конструировании:

+:ограничителя шума.

I: {{ 30 }} ; K=Б

S:Максимальное количество тока, которое может обеспечить фотогальванический элемент под солнцем, зависит от:

+:ни от одной из вышеупомянутых причин.

I: {{ 31 }} ; K=Б

S:Электроны атомов полупроводникового материала переходят с высоких уровней энергии на низкие:

+:может произойти фотоэмиссия.

I: {{ 32 }} ; K=Б

S:В стандартном диоде, как только обратное смещение напряжения на переходе p-n превысит лавинное напряжение, дальнейшее увеличение обратного смещения вызовет:

+:увеличение тока через переход.

I: {{ 33 }} ; K=Б

S:Светоизлучающий диод может быть использован в сетях связи, потому что:

+:его интенсивность может быть быстро модулирована.

I: {{ 34 }} ; K=Б

S:В стандартном диоде, как только прямое смещение напряжения на переходе p-n превысит напряжение прямого прерывания, дальнейшее увеличение прямого смещения вызовет:

+:увеличение тока, проходящего через переход.

I: {{ 35 }} ; K=Б

S:Тиректор может быть использован для:

+:подавления нетрадиционных режимов в энергоснабжении.

I: {{ 36 }} ; K=А

S:Емкость перехода варактора при работе в нормальных условиях зависит от:

+:напряжения обратного смещения.

I: {{ 37 }} ; K=А

S:Когда диод с прямым смещением и напряжением больше, чем напряжение прямого прерывания, то прибор:

+:пропускает ток.

I: {{ 38 }} ; K=А

S:Сколько диодов обычно имеет двухполупериодный мостовой выпрямитель? Доступ, что нет необходимости соединять диоды последовательно или параллельно для увеличения значений напряжения или емкости, регулирующей ток:

+:четыре.

I: {{ 39 }} ; K=Б

S:Когда полупроводниковый диод используется как радиочастотный переключатель, важно чтобы:

+:емкость перехода была низкой.

I: {{ 40}} ; K=А

S:Основное свойство полупроводникового диода ###

+:пропускать ток в прямом направлении

I: {{ 1 }} ; K=А

S:Недостаток полевых транзисторов заключается в

+: низком быстродействии

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:

+: =SR_i

I: {{ 3 }} ; K=А

S:В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:

+:h_21Э

I: {{ 4 }} ; K=А

S:Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:

+:ОК

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления транзисторного каскада по мощности

+:К_Р = Р_вых / Р_вх

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Отрицательная обратная связь в усилителях используется с целью

+:повышения стабильности усилителя

I: {{ 7 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления истокового повторителя по напряжению

+:K_U<1

I: {{ 8 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ

+:K_U>>1

I: {{ 9 }} ; K=А

S:Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:

+:h , Y, Z

I: {{ 10 }} ; K=А

S:В какой из схем включения биполярного транзистора достигается наибольшее входное сопротивление

+:ОК

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Соотношение между током базы и током эмиттера в усилительном каскаде с ОБ имеет вид:

+:

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Соотношение между током коллектора и током базы транзистора в схеме с ОЭ имеет вид:

+:

I: {{ 13 }} ; K=А

S:При работе транзистора в ключевом режиме ток коллектора равен нулю:

+:режим отсечки

I: {{ 14 }} ; K=А

S:Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+:введения отрицательной обратной связи по постоянному току

I: {{ 15 }} ; K=Б

S:Усилители низкой частоты усиливают сигнал ###

+:все ответы верны

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Недостаток полевых транзисторов заключается в ###

+: низком быстродействии

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+:схема включения с ОЭ

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, база?

+:схема включения с ОБ

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и коллектор являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+:схема включения с ОК

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Условное обозначение какого прибора дано ГТ115Г?

+:германиевый биполярный транзистор

I: {{ 21 }} ; K=А

S:В МДП транзисторе с индуцированным каналом ток стока при нулевом напряжении затвора?

+:отсутствует

I: {{ 22 }} ; K=А

S:Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину?

+:база

I: {{ 23 }} ; K=Б

S:Каково назначения делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ?

+:задает напряжение смещение базы

I: {{ 24 }} ; K=Б

S:Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+:введения отрицательной обратной связи по постоянному току

I: {{ 25 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:

+:m= d U_CU/ d U_ЗU

I: {{ 26 }} ; K=А

S:Крутизна стокозатворной характеристики полевого транзистора определяется выражением:

+:S = d i_C/ d U _{З U}

I: {{ 27 }} ; K= Б

S:Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:

+:

I: {{ 28 }} ; K=Б

S: Статический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:

+:

I: {{ 29 }} ; K=Б

S:Наибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:

+:ОЭ

I: {{ 30 }} ; K=А

S:Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется:

+:эмиттером

I: {{ 31 }} ; K=А

S:Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:

+:каналом

I: {{ 32 }} ; K=А

S:Электрод , из которого вытекают основные носители заряда, называют:

+:истоком

I: {{ 33 }} ; K=А

S:Электрод , к которому проходят основные носители заряда из канала, называют:

+:стоком

I: {{ 34 }} ; K=А

S:Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют:

+:затвором

I: {{ 35 }} ; K=Б

S:Электростатический разряд предоставляет наивысшую угрозу элементам в схемах, которые используют:

+:МОП-транзисторы

I: {{ 36 }} ; K=А

S:Транзистор n-p-n может быть использован как:

+:любой из вышеупомянутых способов

I: {{ 37 }} ; K=Б

S:В типичном транзисторе n-p-n источник питания подсоединен таким образом, что:

+:коллектор положительный по отношению к эмиттеру

I: {{ 38 }} ; K=А

S:Когда биполярный транзистор p-n-p находится в состоянии обратного смещения:

+:поток тока не проходит через коллектор, когда нет сигнала

I: {{ 39 }} ; K=Б

S:Когда два или более сигналов объединены в простом канале связи, то они могут быть разделены при помощи:

+:мультиплексора/демультиплексора

I: {{ 40 }} ; K=Б

S:Какова принципиальная разница между схемой, которая использует транзистор p-n-p, и схемой, использующей транзистор n-p-n:

+:полярность приложенного напряжения питания постоянного тока к электродам в транзисторе p-n-p противоположна полярности транзистора n-p-n

I: {{ 41 }} ; K=А

S:Когда переход эмиттер-база биполярного транзистора находится в состоянии нулевого смещения при отсутствии входного сигнала, ток через эмиттер-коллектор теоретически:

+: нулевой

I: {{ 42 }} ; K=А

S:Заполните пропуск в следующем предложении: «В контуре, расположенном за эмиттером, ### подсоединяется к «подвешенной земле».

+:коллектор