Расстояние которое может пройти носитель заряда

- диффузионная длина

30. Ток через р-n переход резко возрастет с увеличением обратного напряжения.

- пробой

 

Туннельный, лавинный, тепловой, поверхостный это-

- пробой

 

Изменение зарядов при инжекции определяет

- диффузионная емкость

Для преобразования переменного тока в постоянный используется

- полупроводниковый диод

Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости.

- варикап

Полупроводниковый диод предназначенный для стабилизации напряжения, имеет достаточно низкое напряжение пробоя, может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.

- стабилитрон

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике

- туннельный диод

Укажите схему включения стабилитрона

правильный ответ

 

Как называется пробой, определяемый резким ростом обратного тока за счёт столкновений с атомами

- лавинный пробой

39. Как изменяется барьерная емкость с увеличением обратного напряжения p-n перехода?

- уменьшается

Укажите обратную ветвь ВАХ (вольт-амперная характеристика)

Тіректік диодтың вольт-амперлік сипаттамасының кері тармағын көрсетіңіз

 

 

Что показывает коэффициент переноса?

- показывает долю основных носители в общей части носителей в базе

Связь между коллекторным и эмиттерным токами в транзисторе при обратном включении коллекторного перехода

Что обозначает активный режим транзистора?

- эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении

44. Какие характеристики называются выходными статическими характеристиками транзисторов?

I₂ = f (U₂) при I₁=const

45. Укажите смещение транзистора с общим эмиттером типа п-р-п в активном режиме?

 

46. Какой из Һ-параметров является коэффициентом передачи по току?

h₂₁

В какой схеме включения транзистора выходное сопротивление будет минимальным?

- в схеме с ОК

В какой схеме соединения транзистора будет большее усиление по току?

в схеме с ОК

49. Укажите входную характеристику транзистора типа р-п-р , включенного по схеме с ОЭ, если U_кэ<0.

50. Укажите коэффициент обратной связи h₁₂ в схеме ОЭ

h₁₂=

51. Укажите формулу для определения параметра h₁₁

h₁₁=

Как между собой связаны коэффициенты передачи тока b в схеме включения транзистора с ОЭ и a с схеме транзистора с ОБ?

b=a/(1-a)

Какой из h-параметров является входным сопротивлением?

h₁₁