Чистка манипулятора типа мышь

"Проскальзывание" механической мыши чаще всего происходит из-за того, что внутрь

корпуса попали пыль и грязь.. Можно использовать кисточку или ватные палочки для прочистки нутра мышки, а с валиков спичкой удалить пояс из грязи. При этом желательно не трогать оптическую систему: фото- и светодиоды. При их смещении мышь может оказаться неработоспособной.

Очень часто при эксплуатации, как механической, так и оптической мыши, по причине частого перегибания, происходит обрыв проводов в кабеле. Как правило, о такой неисправности говорит тот факт, что мышь то работает, то нет. Провода в кабеле обычно обламываются рядом с корпусом мышки или рядом с еѐ разъѐмом. Определит место обрыва можно с помощью тестера или с помощью шевеления кабеля одной рукой, а мыши другой.

При повреждении кабеля около корпуса мыши кабель отрезается на расстоянии примерно 5 см. от корпуса. Отпаиваем остаток старого кабеля и припаиваем новый.

Сложнее при повреждении кабеля около разъѐма так как он неразборный. Можно взять кабель с разъѐмом, с какой-нибудь мыши или поискать новый разъѐм.

Диагностика и обслуживание флэш - накопителей

Флэш-память - разновидность ЭСППЗУ, ее полное название - Flash Erase EEPROM (Electronically Erasable Programmable ROM) - можно перевести как "электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство". Другими словами, флэш-память - это энергонезависимая (т.е. не потребляющая энергии при хранении данных) перезаписываемая (т.е. данные можно стереть и записать заново при помощи электрического тока) память, содержимое которой можно быстро стереть (Flash Erase).

Флэш-память - это полупроводниковая память. Ее элементарная ячейка, в которой хранится один бит информации, представляет собой не конденсатор, а полевой транзистор со специальной электрически изолированной областью, которую называют "плавающим затвором" (floating gate). Электрический заряд, помещенный в эту область, способен сохраняться в течение многих лет. При записи одного бита данных ячейка заряжается - заряд помещается на плавающий затвор, при стирании - заряд снимается с плавающего затвора и ячейка разряжается.

Преимущества флэш-памяти по сравнению с другими средствами переноса и хранения данных очевидны: высокая надежность и ударопрочность (результат отсутствия движущихся компонентов и простоты механической конструкции носителей и накопителей), малое энергопотребление, компактность. Однако у нее есть недостатки - ограниченное количество циклов перезаписи (от 10 тыс. до 1 млн.) и относительно медленная работа.

Флэш-память имеет несколько типов организации массива. Наибольшее распространение получила память типов И-НЕ (NAND), ИЛИ-НЕ (NOR). По архитектуре эти два типа имеют существенные различия.

Тип ИЛИ-НЕ (NOR)содержит ячейки, включенные параллельно друг другу и обеспечивает относительно быстрый произвольный доступ к данным, возможность побайтной записи информации. однако, этот тип архитектуры имеет ячейки относительно большого размера, потому плохо масштабируется. Время стирания или записи гораздо больше, чем у других типов флэш-памяти.

Идеально подходит для хранения программ (BIOS, ПЗУ сотовых телефонов и т.д.), а так же для замены микросхем EEPROM.

Тип И-НЕ (NAND),содержит ячейки, включенные последовательно (гирляндой), между

двумя линиями выборки. Группы ячеек объединяются в страницы. Страницы в блоки. Стоки разных транзисторов такой гирлянды находятся на разных страницах. Поэтому произвольный доступ к ячейкам не возможен. Чтение, запись осуществляются одновременно только в пределах одной страницы, а стирание, осуществляются одновременно только в пределах одного или нескольких блоков. Однако, осуществляется быстрее, чем у типа ИЛИ-НЕ. Стирание/запись блока происходят так же достаточно быстро.

Устройство

Основные элементы ФЛЭШ – установлены на многослойной плате PCB (см. Рисунок81):

USB разъѐм тип А;

стабилизатор питания контроллера и флэш из 5 в 3,3 вольт; микросхема контроллера;

микросхема энергонезависимой NAND памяти; кварцевый резонатор, обычно на 12 Mhz.

Рисунок 83 - Блок-схема флеш накопителя