К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ. 1. Условия заданий полностью записываются в тетрадь

Задание 1, 2

1. Условия заданий полностью записываются в тетрадь. Каждое задание следует начинать с новой страницы. Ответы должны быть исчерпывающими по существу и краткими по форме, не допускается повторения текста рекомендованной литературы.

2. Все схемы следует вычерчивать четко и аккуратно с соблюдением Государственных стандартов ЕСКД; если в ответе дается ссылка на какой-либо элемент схемы, необходимо эту схему вычерчивать полностью.

Задание 3.

Определение h – параметров транзистора по характеристикам в заданной рабочей точке выполняется по методу двух отсчетов.

Определение параметра h₁₁ в заданной рабочей точке производится по входной характеристике при неизменном напряжении на коллекторе в зависимости от тока базы в рабочей точке. На рисунках 1 и 2 представлены входные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Рисунок 1 Рисунок 2

Для определения параметра h_11Э ток базы по сравнению с его значением в рабочей точке изменяют в сторону увеличения и в сторону уменьшения на одну и ту же величину в пределах прямолинейного участка характеристики. Получаем точки С и D. Отношение приращения DU_БЭ и DI_Б дает значение параметра h_11Э:

h_11Э = DU_БЭ/ DI_Б =(U_{БЭ С} - U_{БЭ D})/( I_{Б C} - I_{Б D}), при U_КЭ – const

Если рабочая точка находится на нелинейном участке характеристики, определение параметра h_11Э следует производить по методу касательной (см. рисунок 2). При этом через рабочую точку проводится касательная до пересечения с осью абсцисс (точка L).

Затем из любой точки, находящейся на касательной (например, точка К), опускается на ось абсцисс перпендикуляр КF. В получившемся треугольнике KFL сторона FL = DU_БЭ, а сторона KF = DI_Б, тогда

h_11Э = DU_БЭ/ DI_Б

Определение параметра h_21Э в заданной рабочей точке производится по выходным характеристикам в зависимости о значения U_КЭР.Т (рисунок 3)

Рисунок 3.

Значение тока базы в рабочей точке изменяют в сторону увеличения и в сторону уменьшения на одну и ту же величину (точка М и N).

Отношение приращений ∆I_К и ∆I_Б между двумя точками М и N дает значение h_21Э.

h_21Э = I_К / I_Б = (I_КМ - I_КN)/ (I_БМ – I_БN), при U_КЭ – const

Определение параметра h_22Э в заданной рабочей точке производится по выходным характеристикам (рисунок 3) следующим образом:

- при неизменном токе базы, равном его значению в рабочей точке I_БРТ, изменяют напряжение на коллекторе по сравнению с его значением в рабочей точке U_КЭ и в сторону увеличения, и в сторону уменьшения на одну и ту же достаточно большую величину в пределах прямолинейного участка характеристике EF. Отношение приращений ∆I_К^″ и ∆U_КЭ между точками E и F дает значение параметра h_22Э:

h_22Э=∆I_К^″ / ∆U_КЭ=( I_КE - I_КF) / (U_КЭЕ - U_КЭF), при I_БР.Т. – const

Расчет h – параметров приведен в общем виде. При определении числовых значений параметров следует после буквенных подстановок соответствующих приращений выполнить цифровую подстановку.

Определив графически параметры h_21Э и h_11Э, необходимо рассчитать аналитически параметры h_21Б , h_11Б ,h_22Б этого же транзистора:

Задание 4

1. Выбор оборудования усилителя.

Операционный усилитель выбирают по верхней частоте заданного диапазона f_В; параметр f₁ ОУ (граничная частота) должна быть больше или равна f_В. Таких ОУ может быть несколько. Из этих ОУ следует выбрать тот (или те), которые удовлетворяют дополнительному условию выбора (по величинам U_СМ, Кос_СФ и д.р.).

2 Расчет элементов схемы усилителя.

2.1 Выбор R_{ВХ УС}

Входное сопротивление ОУ выбирается равным сопротивлению источника сигнала. В этом случае соблюдается условие согласования на входе схемы:

R_вх ус = R_ис

2.2 Расчет коэффициента усилителя по напряжению

K=U_вых/U_вх