ЗАДАНИЯ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ

 

Первый вариант

Задание 1.

1.1 Какие два вида подвижных носителей заряда обуславливают собственную электропроводность полупроводника? В результате каких процессов они появляются и исчезают?

1.2 Назовите полупроводниковый диод, который работает при обратном включении р-п перехода, когда он находится в состоянии электрического пробоя. Изобразите вольтамперную характеристику этого прибора, обозначьте на ней рабочий участок; укажите область применения прибора.

Задание 2.

2.1 Что такое коэффициент инжекции? Чем определяется его значение? Какой параметр транзистора зависит от его величины?

2.2 На стоковой характеристике МОП – транзистора с индуцированным каналом типа n обозначьте рабочую область, соответствующую насыщению.

Задание 3.

Биполярный транзистор МП 38 А типа n-p-n включен по схеме с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения названного транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источников питания. Стрелками на схеме покажите направление токов. Обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что Uкэ=7,5 В, Iб=150 мкА. Определив в рабочей точке Iк, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой РKmax. Сделайте выводы о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в РТ значение параметров h_21Э и h_22Э укажите их наименование и размерность (см. методические указания к задаче 3).

3.4 Определив графические параметры h_21Э и h_22Э, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_22Б, этого же транзистора.

3.5 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП 38А, выпишите значения параметров предельного режима U_{КБ max} и U_КЭmax; поясните физический смысл этих параметров, укажите, чем они ограничиваются.

Задание 4.

4.1 Дайте определение операционного усилителя ОУ. Опишите область применения ОУ. Приведите пример ОУ, выполненного в интегральном исполнении.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по напряжению, иначе называемой последовательной по входу и параллельной по выходу.

6.2 Поясните, как при такой отрицательной обратной связи изменится выходное сопротивление усилителя.

6.3 Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент гармоник К_Г , т.е. на нелинейные искажения, возникающие в усилителе?

 

Второй вариант

Задание 1.

1.1 Чем определяется электропроводность примесного полупроводника при температуре выше и ниже критической? Укажите диапазон рабочих температур для германия и кремния; поясните, почему у кремния он выше, чем у германия.

1.2 Какие недостатки точечных диодов устраняются в микросплавных диодах? Почему в справочниках для высокочастотных диодов приводится емкость между выводами?

Задание 2.

2.1 Изобразите вольтамперную характеристику динистора; отметьте участки характеристики, соответствующие открытому состоянию прибора, закрытому и переходному. Укажите, какому значению каждого из трех переходов соответствует закрытое и открытое состояние прибора.

2.2 В каком МОП-транзисторе токопроводящий канал создается инверсным слоем? Изобразите стоко-затворные характеристики выбранного транзистора с указанием типа канала (p или n), обозначьте на них величину порогового напряжения U_з.п.,, указав физический смысл этой величины.

Задание 3.

Биполярный транзистор МП 37 типа n-p-n включен по схеме с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения названного транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания; стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового и коллекторного; обозначьте буквенно, какой из обозначенных токов транзистора входной, какой выходной?

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора, нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=5В, I_Б=1200мкА. Определите в РТ ток коллектора I_к. Рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметра h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указанию к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметры h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП37, выпишите значения параметра I_кmax; поясните физический смысл этого параметра; укажите факторы, ограничивающие его значение.

Задание 4.

4.1 Объясните отличие аналоговых интегральных схем от цифровых.

4.2 дайте определение интегрального компаратора. Опишите область применения названного прибора. Приведите пример интегрального компаратора, выполненном в интегральном исполнении.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с частотно-зависимой отрицательной параллельной по входу и по току по выходу (К-связь).

6.2 Поясните, зависит ли выходное сопротивление усилителя от способа введения отрицательной обратной связи в его входную цепь.

6.3 Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в усилителях постоянного тока?

 

Третий вариант

Задание 1.

1.1 Укажите, как прямое включение р-п перехода сказывается на высоте потенциального барьера, сопротивлении и толщине запирающего слоя по сравнению с их значением в состоянии равновесия.

1.2 Назовите полупроводниковый диод, в котором начальный участок вольтамперной характеристики соответствует туннельному механизму передвижения носителей заряда. Изобразите характеристику этого прибора; Обозначьте названный участок; укажите область применения прибора.

Задание 2.

2.1 Какое включение переходов биполярного транзистора называется нормальным, какое инверсным? Какому режиму работы биполярного транзистора соответствует нормальное включение переходов?

2.2 Почему сечение токопроводящего канала полевого транзистора с управляющим р-п переходом не везде одинаково?

Задание 3.

Биполярный транзистор П 701 типа р-п-р включен по схеме с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=20В, I_Б=20мА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора П 701, выпишите значения параметра Р_кmax; приведите его наименование; укажите факторы, ограничивающие его значение, конструктивные способы увеличения значения.

Задание 4.

4.1 Каково назначение аналоговых интегральных микросхем? Перечислите виды аналоговых ИМС

4.2 Объясните назначение интегральных аналоговых перемножителей. Назовите область применений этих микросхем, приведите примеры некоторых серий ИМС.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя со смешанной обратной связью и по току и по выходу, иначе называемой смешанной по входу и последовательной по выходу.

6.2 Поясните, какого вида отрицательная обратная связь увеличивает выходное сопротивление усилителя.

6.3 Дайте определение частотно-зависимой и частотно-независимой обратной связи.

 

Четвертый вариант

Задание 1.

1.1 Кратко поясните природу диффузионного и дрейфового токов (за счет чего они образуются). Укажите, каким из названных токов обусловлен прямой ток через р-п переход и, каким – обратный.

1.2 Какое свойство р-п перехода используется в варикапах? Назовите основные параметры и область применения варикапов.

Задание 2.

2.1 Приведите наименование тока, протекающего через коллекторный переход биполярного транзистора в схеме с ОЭ при I_Б=0; поясните природу этого тока. Сравните его с величиной тока, протекающего через коллекторный переход при I_Э=0 в схеме с ОБ.

2.2 От чего зависит высокочастотные свойства полевых транзисторов чем определяется их инертность?

Задание 3.

Биполярный транзистор МП 42 Б типа р-п-р включен в схему с ОЭ.

3.1Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=5В, I_Б=300мкА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП 42 Б, выпишите значения параметра I_КБО, поясните физический смысл этого параметра, его наименование.

Задание 4.

4.1 Назовите особенности работы интегральных микросхем на МДП (МОП) – транзисторах. Какова область применения данных ИМС?

4.2 Какой усилитель называется операционным? Назовите назначение и область применения ОУ. Приведите пример ИМС, представляющих собой ОУ.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с параллельной отрицательной обратной связью по входу и смешанной по выходу, иначе называемой параллельной по входу и смешанной по выходу.

6.2 Поясните, какого вида отрицательная обратная связь уменьшает входное сопротивление усилителя.

6.3 По каким причинам может появиться в усилителе обратная связь?

 

Пятый вариант

Задание 1.

1.1 Изобразите диаграмму энергетических зон полупроводника. Дайте краткое определение каждой из названных зон. Укажите условно принятое значение ширины запрещенной зоны полупроводников вообще и для германия и кремния в частности.

1.2 Почему в выпрямительном полупроводниковом диоде обратный ток во много раз меньше прямого? Как зависит величина обратного тока от температуры?

Задание 2.

2.1 Какой коэффициент учитывает рекомбинацию в базе? От чего зависит и как влияет на коэффициент передачи тока эмиттера?

2.2 Какие транзисторы, биполярные или полевые, являются приборами управления по току, какие управления по напряжению? Почему полевые транзисторы иначе называются униполярными (в отличие от биполярных)?

Задание 3.

Биполярный транзистор П 701 типа n-p-n включен по схеме с ОЭ.

3.1Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=15В, I_Б=20мА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э и h_22Э, указав их наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.5 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора П 701, выпишите значения параметра С_К; поясните его физический смысл, укажите какие свойства транзистора зависят от его величины.

Задание 4.

4.1 Объясните основные особенности тонкопленочных и толстопленочных гибридных интегральных микросхем.

4.2 Назовите интегральные микросхемы, разработанные для радиоприемной аппаратуры. Приведите примеры некоторых серий ИМС, используемых в устройствах радиоприемной аппаратуры.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя со смешанной отрицательной обратной связью по напряжению, иначе называемой параллельной по входу и выходу (Y- связь).

6.2 Поясните, как в вышеуказанной схеме отрицательная обратная связь изменит входное сопротивление усилителя.

6.3 Как отрицательная обратная связь влияет на помехи, возникающие в усилителе?

 

Шестой вариант

Задание 1.

1.1 Укажите, как обратное включение p-n перехода сказывается на высоте потенциального барьера, сопротивление и толщине и запирающего слоя по сравнению с их значениями в состоянии равновесия.

1.2 изобразите принципиальную схему однополупериодного выпрямителя на полупроводниковом диоде. Обозначьте полярность выпрямительного напряжения; стрелкой покажите направления выпрямительного тока, протекающего по нагрузке. Приведите их параметры предельного режима работы полупроводникового выпрямительного диода.

Задание 2.

2.1 Что такое коэффициент инжекции? Чем определяется его значение? Какой параметр транзистора зависит от его величины?

2.2 Поясните, в чем заключается управляющее действие напряжения на затворе полевого транзистора с p-n переходом. Почему этот транзистор является прибором с управлением по напряжению?

Задание 3.

Биполярный транзистор МП 42 типа p-n-p включен в схему с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=5В, I_Б=900мкА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП 42, выпишите значения параметра f_гр, приведите его наименование и физический смысл.

Задание 4.

4.1 Назовите разновидности интегральных микросхем для взаимного преобразования аналоговой и цифровой информации.

4.2 Дайте определение интегральных компараторов; укажите область применения этих микросхем. Приведите примеры некоторых серий ИМС, представляющих собой интегральные компараторы.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя со смешанной отрицательной обратной связью и по напряжению и по выходу, иначе называемой смешанной по входу и параллельной по выходу.

6.2 Поясните, какого вида отрицательная обратная связь увеличивает входное сопротивление усилителя.

6.3 Как частотно-независимая отрицательная обратная связь влияет на частотную характеристику?

 

Седьмой вариант

Задание 1.

1.1 Какие носители заряда являются основными и неосновными в примесном полупроводнике с трехвалентной примесью.

1.2 Как рост температуры влияет на положение вольтамперной характеристики выпрямительного диода и его параметры? Объясните, дополните графиком.

Задание 2.

2.1 Почему система h – параметров называется гибридной? Приведите физический смысл всех h – параметров.

2.2 Почему стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным каналом строятся при положительном, и при отрицательном и при нулевом напряжении на затворе?

Задание 3.

Биполярный транзистор КТ 803 А типа р-п-р включен по схеме с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=20В, I_Б=100мА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КТ 803 А, выпишите значения параметра R_{пер-охр}, R_{пер-кор}; поясните их физический смысл.

Задание 4.

4.1 поясните отличие полупроводниковых интегральных микросхем от гибридных. Кратко охарактеризуйте и те и другие.

4.2 Назовите назначение интегральных аналоговых перемножителей.

Укажите область их применения. Приведите пример некоторых серий, на безе которых выполняются интегральные аналоговые перемножители.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по току, иначе называемой последовательной по входу и по выходу (Z-связь).

6.2 Поясните, как в вышеуказанной схеме отрицательная обратная связь изменит входное сопротивление усилителя.

6.3 Дайте определение понятий положительной и отрицательной обратной связи.

Восьмой вариант

Задание 1.

1. Укажите, как прямое включение p-n перехода сказывается на высоте потенциального барьера, сопротивление и толщине и запирающего слоя по сравнению с их значениями в состоянии равновесия.

1.2 Какова особенность характеристик параметров полупроводниковых точечных диодов по сравнению с плоскостными? Укажите область применения и тех и других.

Задание 2.

2.1 Поясните природу внутренней обратной связи между входной и выходной цепями биполярного транзистора. Какой параметр транзистора характеризует эту связь?

2.2 Укажите основные достоинства полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Дайте краткое описание.

Задание 3.

Биполярный транзистор КТ 803 А типа р-п-р включен по схеме с ОЭ.

3.1 Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного; обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.

3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_КЭ=20В, I_Б=75мА. Определите в РТ ток коллектора I_К, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h_21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).

3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h_11Э, указав его наименование и размерность.

3.5 Определив графически параметры h_11Э и h_21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h_21Б и h_11Б этого же транзистора.

3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КТ 803 А, выпишите значения параметра R_{пер-охр}, R_{пер-кор}; поясните их физический смысл.

Задание 4.

4.1 Поясните устройство полупроводниковых интегральных микросхем. Укажите их преимущества.

4.2 Назовите интегральные микросхемы разработанные для радио приемной аппаратуры. Приведите примеры некоторых серий ИМС, используемых в устройствах радиоприемной аппаратуры.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с параллельной отрицательной обратной связью по току, иначе называемой параллельной по входу и последовательной по выходу.

6.2 Поясните, как в вышеуказанной схеме отрицательная обратная связь изменит выходное сопротивление усилителя.

6.3 Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в широкополосных усилителях?

 

Девятый вариант

Задание 1.

1.1 Какое включение р-п перехода называется прямым, какое обратным (с точки зрения способа подключения внешнего источника к его выходам). Какие носители заряда (основные или неосновные) создают прямой ток и какие обратный?

1.2 Какого типа переход используется в диоде Шоттки? В чем преимущества этого диода по сравнению с другими импульсными диодами?

Задание 2.

2.1 Укажите назначение управляющего электрода в тиристоре. Ответ дополните графиком вольтамперных характеристик прибора с обозначением напряжения включения для каждой из них.

2.2 Почему стоковые характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом на затворе смещаются вверх, а полевого транзистора с р-п переходом – вниз?

Задание 3.

Полевой транзистор с изолированным затворам (МДП) КП 304 А включен по схеме с общим истоком.

3.1 По виду стоковых характеристик названного транзистора определите и укажите тип канала: р или n, индуцированный или встроенный. Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания, обозначьте на схеме входное напряжение; стрелкой на схеме покажите направление выходного, стокового тока.

3.2 Приведите стоковые характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_зи=-7В, U_си=10В. Определите в РТ ток стока_, рассчитайте мощность рассеивания на стоке, указав ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров S и R_i, указав их наименование и размерность. Пользуясь полученными значениями S и R_i рассчитайте параметр µ аналитически по внутреннему уравнению; укажите наименование параметра µ.

3.4 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КП 304 Л, выпишите значения параметра U_зиmax; U_сиmax; U_зсmax; I_сmax, физический смысл.

Задание 4.

4.1 Поясните устройство гибридных интегральных микросхем. Укажите их достоинства и недостатки.

4.2 Дайте определение интегрального компаратора. Опишите область применения названного прибора. Приведите пример некоторых серий ИМС, на базе которых выполнены интегральные компараторы.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по входу и смешанной по выходу.

6.2 Поясните, зависит ли входное сопротивление усилителя от способа снятия отрицательной обратной связи с его выхода.

6.3 Как частотно-зависимая отрицательная обратная связь влияет на частотную характеристику усилителя?

Десятый вариант

Задание 1.

1.1 Изобразите энергетическую диаграмму зон полупроводника. Покажите на ней энергетический уровень донора. Сравните энергию ионизации донора с шириной запрещенной зоны германия.

1.2 В каком режиме работает стабилитрон? Изобразите вольтамперную характеристику стабилитрона. Обозначьте на ней рабочий участок. Назовите области применения стабилитронов.

Задание 2.

2.1 Почему толщина базы биполярного транзистора должна быть значительно меньше диффузионной длины носителей, инжектируемых в нее? Чему при этом оказывается равным коллекторный ток?

2.2 Что называется напряжением отсечки U_зи полевого транзистора с управляющим р-п переходом? Изобразите стоко-затворные характеристики названного транзистора с указанием типа канала (р или п), обозначьте на них указанное напряжение.

Задание 3.

Полевой транзистор КП 103 М с управляющим р-п переходом включен по схеме с общим истоком.

3.1 По виду стоковых характеристик названного транзистора определите и укажите тип канала: р или п, индуцированный или встроенный. Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания, обозначьте на схеме входное напряжение; стрелкой на схеме покажите направление выходного, стокового тока.

3.2 Приведите стоковые характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что U_зи=1В, U_си=7В. Определите в РТ ток стока_, рассчитайте мощность рассеивания на стоке, указав ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Р_Кmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.

3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров S и R_i, указав их наименование и размерность. Пользуясь полученными значениями S и R_i рассчитайте параметр µ аналитически по внутреннему уравнению; укажите наименование параметра µ.

3.4 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КП 103 К, выпишите значения параметра С₁₁; С₂₄; С₁₂₄, поясните их физический смысл, а так же укажите, какие свойства транзистора зависят от величины емкостей.

Задание 4.

4.1 Что такое аналоговые интегральные микросхемы? Каково их отличие от цифровых ИС?

4.2 Дайте определение операционному усилителю ОУ. Опишите область применения ОУ. Приведите пример некоторых серий интегральных микросхем, на базе которых выполняется ОУ.

4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.

Задание 5.

Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (С_Ф, R_Ф) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.

Задание 6.

6.1 Приведите структурную схему усилителя с частотно-зависимой отрицательной обратной связью, последовательной по вх<