Методика расчета тонкопленочных резисторов
Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов сводится к определению формы, геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определяем оптимальное значение сопротивления квадрата резистивной пленки: Для реализации пленочных резисторов выбираем резистивный материал с удельным сопротивлением, близким к расчетному. Для резисторов R1..R3,R5..R9 (rs.опт= 14.8 кОм/ð) наиболее целесообразно использовать резистивный материал кермет K50-C ЕТО.021.013 ТУ (rs=10 кОм/ð, P0=2 Вт/см2, ТКR = -5 × 10-4 ). Для резистора R4 (rs опт = 150 Ом/ð) – нихром Х20Н80 ГОСТ 2238-58 (rs = 50 Ом/ð, P0=2 Вт/см2, ТКR = -2.25 × 10-4) Проводим проверку правильности выбранного материала с точки зрения точности изготовления резисторов. Точность изготовления резистора зависит от погрешности Kф (gКф), от темпрературной погрешности (gRt°), погрешности воспроизведения удельного сопротивления резистивной пленки (grs), от погрешности старения (gст) и от погрешности сопротивления на переходных контактах (gRпк): gR = gКф + grs + gRt° + gRст + gRпк Погрешность Кф определяет точность геометрических размеров резистора: gКф = gR - grs - gRt° - gRст - gRпк Погрешность Кф зависит от погрешности геометрических размеров: Погрешность воспроизведения удельного сопротивления зависит от условий нанесения пленки. В условиях стандартной технологии и серийного производства, grs= 5%. Температурная погрешность зависит от ТКR: gRt° = aR (Tmax - 20°C) Погрешность старения зависит от материала пленки, защиты и условий эксплуатации: gRст = 3% Погрешность переходных контактов зависит от геометрических размеров контактных площадок и площади перекрытия их и резистивной пленки. gRпк = 1%
Погрешность Кф для первого материала (кермет):
gRt° = -5 × 10-4 (55 - 20) = -1.75% gКф = 30 - 5 + 1.75 -3 -1 = 22.75%
Погрешность Кф для второго материала (нихром):
gRt° = -2.25 × 10-4 (55 - 20) = -0.79% gКф = 25 - 5 + 0.79 -3 -1 = 16.79% Определяем геометрические размеры резисторов по значению коэффициента формы. Так как коэффициент формы лежит в пределах от 1 до 10, то наиболее оптимальной будет прямоугольная форма резистора. bрассч ³ max íbточн., bmin, bрý Для масочного способа получения конфигурации bmin = 200мкм. bрассч= 200 мкм bтоп - ближайшее кратное шагу координатной сетки. При масштабе 20:1 шаг координатной сетки равен 50 мкм. bтоп = 200 мкм lрассч = bрассч × Кф= 200 × 2.2 = 440 мкм lполн = lтоп + 2e e = 20 мкм lтоп = 450 мкм lполн = 450 + 40 = 490
Определяем площадь, которую будет занимать резистор на подложке. S = b × lполн = 200 × 490 = 98000 мкм
Результаты расчета резисторов при помощи программы представлены в таблице 3.
Таблица 3
Результаты расчета тонкопленочных резисторов
Популярное: Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе... Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной... ![]() ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (213)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |