Исследование вынужденных колебаний в объемном резонаторе»

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

(ТУСУР)

Кафедра ЭП

Отчет по лабораторной работе №2

по дисциплине ЭиМТ

«Исследование вынужденных колебаний в объемном резонаторе»

Выполнили

                                                                                  Студент Гр.350-1

                                                                                        Даулетбаев В.

                                                                                     Меньшов А.

                                                                             Рожнев А.

                                                                          Островерхов Е.

                                                                Медведев М.

                                           Проверил

           Башкиров А.И.

                                                                       « »                    2013г.

2013

Введение.

Целью данной работы является определение нагруженной добротности объемного резонатора и приобретение навыков экспериментального исследования объемных резонаторов СВЧ.

1.Схема экспериментальной установки:

Схема экспериментальной установки приведена на рисунке 1.1.

Рис.1.1

Список оборудования:

1) Генераторы сигналов СВЧ Г4 – 82,Г4 – 83.

2) Измерительная линия волноводная Р1 – 28.

3) Объемный резонатор.

4) Коаксиальная детекторная секция.

5) Микроамперметр.

2. Основные расчетные формулы

                                                                              (2.1)

Где -нагруженная добротность,

- резонансная частота.

3.Результаты измерений и их анализ.

Результаты измерений приведены в таблицах 3.1.- 3.3

Таблица 3.1 – зависимость I(f) при высокой добротности.

Рис.3.1 – зависимость при высокой добротности резонатора.

Таблица 3.2 – зависимость I(f) при средней добротности.

Рис.3.2 – зависимость при средней добротности резонатора.

 Таблица 3.3 – зависимость I(f) при низкой добротности.

Рис.3.3 – зависимость при низкой добротности резонатора

Рассчитаем нагруженные добротности по формуле (2.1):

При средней добротности резонатора:

При высокой добротности резонатора:

f₁=15,034 ГГц;

f₂=15,037 ГГц;

Q_n=5,012∙10³;

При средней добротности резонатора:

f₁=9,9288 ГГц;

f₂=9,9354 ГГц;

Q_n=1,505∙10³;

При низкой добротности резонатора:

f₁=7.5125 ГГц;

f₂=7.5232 ГГц;

Q_n=702,617;

Вывод:

В ходе данной работы был изучен объемный СВЧ – резонатор и определены значения его нагруженной добротности .