Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе
Принцип и условия измерения. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянном токе коллектора и импульсном токе базы. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения UКЭО гр или равно ему. Если значение UКЭО гр не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор-эмиттер. Значения тока базы Iб и тока коллектора Iк, значение граничного напряжения UКЭО гр указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Измерение напряжения следует начинать с задержкой Dt относительно начала базового импульса и закончить до окончания базового импульса (черт. 2) по формулам
tи≥Dt≥ где tи - длительность импульса в цепи базы, h21Э max - максимальное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, h21э max - максимальное значение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала, frp — граничная частота коэффициента передачи тока. Значения статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала и граничной частоты коэффициента передачи тока указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Для транзисторов, у которых значение fгр не нормируется, используют значение предельной частоты коэффициента передачи тока fh 21 или |h21э|f, где f — частота, на которой измеряют модуль, коэффициента передачи тока на высокой частоте |h21э|. Значение |h21э| указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Допускается подавать напряжение коллектора в виде импульса, начинающегося не позднее базового импульса и заканчивающегося раньше базового импульса. Время подключения пикового вольтметра к выводам в этом случае не ограничивают.
Допускается измерение напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер при постоянном токе базы и импульсном напряжении коллектора. Допускается одновременная подача базового и коллекторного импульсов, если пиковый вольтметр подключается на Dt позднее начала базового импульса. Допускается задавать токи базы Iб и коллектора Iк от импульсных генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию:
Rвых,Б ≥ 50
Rвых,К ≥ 50 IК min и IБ min - минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
Аппаратура. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт. 3.
Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям. Пиковый вольтметрР1 должен измерять ток базы по падению напряжения на резисторе R3. Его входное сопротивление должно быть больше илиравно 100R3. Пиковый вольтметр Р2 должен измерять мгновенные значения напряжений. Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения Р2 должно удовлетворять соотношениям:
Rвх ≥
Пиковый вольтметр РЗ должен измерять ток коллектора по падению напряжения на резисторе R4. Его входное сопротивление, должно быть больше или равно 100R4. Взамен резистора R1 может быть использовано внутреннее сопротивление генератора G, а резистора R2— внутреннее сопротивление источника питания коллектора. Резисторы R1 и R2 могут отсутствовать, если токи базы и коллектора задают от импульсных генераторов тока. Резисторы R3и R4должны обеспечивать измерение токов Iк и Iб на рабочих участках шкал приборов Р1 и РЗ. Номинальные сопротивления резисторов выбирают с допускаемым отклонением от номинального в пределах ±1%. Резисторы R3, R4и пиковые вольтметры Р1, РЗмогут отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима. Частоту следования импульсов генератора G следует выбирать такой, чтобы скважность импульсов была более 10. Емкость конденсатора С следует выбирать из соотношения С ≥ Значение емкости конденсатора может быть уменьшено или конденсатор может быть отключен, если источник питания коллектора рассчитан на ток Ik =Ik max и при импульсном напряжении питания коллектора.
Подготовка и проведение измерения. При измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер мы включаем транзистор в схему измерения. По шкале P1 мы устанавливаем значение тока базы, а по шкале РЗ — значение тока коллектора, указанные в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов, или рассчитанные по заданной степени насыщения. В положении 1 переключателя S измеритель Р2 измеряет напряжение насыщения Uбэ нас. В положении 2 переключателя S измеритель Р2 измеряет напряжение насыщения Uкэ нас. Допускается одновременное измерение напряжений насыщения Uкэ нас и Uбэ нас двумя приборами (без переключателя S) если режим измерения этих параметров одинаков.
Показатели точности измерения. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
Популярное: Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе... Как построить свою речь (словесное оформление):
При подготовке публичного выступления перед оратором возникает вопрос, как лучше словесно оформить свою... Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... ![]() ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (883)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |