Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь  


Воздействие света на p-n-переход




Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

 

При воздействии электромагнитного излучения на полупроводник вблизи p-n-перехода образуются добавочные (неравновесные) носители, под действием диффузионного электрического поля p-n-перехода они разделяются: фотоэлектроны переходят в n- область, а фотодырки - в p- область (рис. 6.3). Это явление называют фотоэффектом в p-n-переходе (а также вентильным фотоэффектом или фотовольтаическим эффектом).

Перешедшие в n- область фотоэлектроны создают в ней избыточную по отношению к равновесной концентрацию электронов, т.е. заряжают n- область отрицательно. Фотодырки заряжают p- область полупроводника положительно. Процесс накопления неравновесных носителей (электронов в n- , а дырок в p- области) сопровождаются снижением высоты потенциального барьера на границе p- и n- областей и увеличением диффузии основных носителей через переход. Наступает динамическое равновесие. При этом между p- и n- областями полупроводника устанавливается некоторая разность потенциалов . Эту разность потенциалов, возникшую между p- и n- областями полупроводника в результате воздействия на p-n - переход излучения, называют фото-ЭДС, или напряжением холостого хода ( ). Значение фото-ЭДС может достигать величины »1 В, но не превышает значения, численно равного DЕ/q ( - ширина запрещенной зоны исходного полупроводникового материала, q – элементарный заряд).



Вольт-амперная характеристика освещенного p-n-перехода может описана уравнением

 

, (6.2.1)

где Iф – фототок, т.е. ток, созданный возбужденными светом носителями.

На рис. 6.4 приведены вольт-амперные характеристики p-n - перехода, при различных значениях освещенности Е*. При отсутствии света Е*=0, IФ=0, и вольтамперная характеристика проходит через начало координат. Кривые, соответствующие определенным значениям освещенности Е1*, Е2*, смещаются по оси ординат на отрезки - IФ1, - IФ2 соответственно.

 

 

На вольт-амперной характеристике p-n-перехода, на который воздействует электромагнитное излучение с энергией квантов, превышающей ширину запрещенной зоны, фотодиодному режиму работы соответствует часть характеристик, расположенная в третьем квадранте. В рабочем диапазоне напряжений при освещении фотодиода обратные токи практически не зависят от приложенного напряжения, а зависят от освещенности.

Режиму работы фотоэлемента (режиму генерации фото-ЭДС) соответствует часть характеристик, расположенная в четвертом квадранте. Точки пересечения вольт-амперной характеристики с осью напряжений соответствуют значениям фото-ЭДС (или напряжениям холостого хода - Uхх). Фото-ЭДС при слабых световых потоках пропорциональна освещенности, а при больших потоках стремится в постоянному значению. От площади p-n-перехода фото-ЭДС не зависит. У кремниевых фотоэлементов фото-ЭДС примерно равна 0,5 В.

Точки пересечения вольт-амперной характеристики с осью токов соответствуют токам короткого замыкания. Ток короткого замыкания пропорционален световому потоку (при небольших потоках), а значит, площади p-n-перехода. Поэтому часто приводят значения плотности тока короткого замыкания. Так, например в кремниевых фотоэлементах плотность тока короткого замыкания при средней освещенности солнечным светом составляет 20-25 мА/см2. Световые характеристики p-n-перехода приведены на рис 6.5.

 

 

 


 




Читайте также:
Как распознать напряжение: Говоря о мышечном напряжении, мы в первую очередь имеем в виду мускулы, прикрепленные к костям ...
Почему двоичная система счисления так распространена?: Каждая цифра должна быть как-то представлена на физическом носителе...
Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной...



©2015-2020 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (2131)

Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы



(0.051 сек.)
Поможем в написании
> Курсовые, контрольные, дипломные и другие работы со скидкой до 25%
3 569 лучших специалисов, готовы оказать помощь 24/7