Дополнительное задание к лабораторной работе №7-2
При приложении к p-n-переходу прямого напряжения часть основных носителей заряда преодолевает понизившийся потенциальный барьер. Преодолевшие потенциальный барьер носители заряда оказываются в соседней области неосновными. Таким образом, через p-n-переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к p-n-переходу. Когда к p-n-переходу приложено обратное напряжение, неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p-n-переход и проходят через него в соседнюю область – происходит так называемая экстракция. Процессы инжекции и экстракции описаны в п. 1, 2 данной работы. Если протекание тока через p-n-переход обусловлено только процессами инжекции и экстракции носителей, вольт-амперная характеристика может быть описана формулой: , (1) где - элементарный заряд (заряд электрона), Is- ток насыщения, - постоянная Больцмана, T - температура, U- напряжение, приложенное к p-n-переходу (считаем U > 0 при прямом включении и U < 0 – при обратном). При прямом включении p-n-перехода обычно ( »0,025 эВ) и единицей в формуле (1) можно пренебречь, тогда
[1]) (2) При обратном включении <<1 и можно пренебречь экспонентой, тогда (3) Кроме составляющей тока, описываемой формулами (1, 2, 3) могут присутствовать и другие составляющие тока, из которых наиболее существенной является генерационно-рекомбинационная составляющая. При обратном напряжении на p-n-переходе образующиеся из-за тепловой генерации носители заряда разного знака «растаскиваются» электрическим полем переход в разные стороны и не рекомбинируют (в области шириной ). Обратный ток, вызванный генерацией носителей в p-n-переходе, называют генерационным током. При прямом напряжении носители разных знаков подходят к p-n-переходу. Если прямое напряжение мало, то высота потенциального барьера ещё велика и основная часть носителей не может преодолеть потенциальный барьер, но вблизи середины перехода может происходить их рекомбинация. Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации в p-n-переходе, называют рекомбинационным током. Рекомбинационный ток зависит от напряжения тоже экспоненциально, но показатель экспоненты в 2 раза меньше, чем в случае инжекционного тока: ~ (4)
На рис.5 показаны описанные выше составляющие тока.
Рис.5. Зависимость от напряжения составляющих тока: вызванных только процессами инжекции и экстракции (1) и только процессами генерации и рекомбинации (2) носителей заряда.
Дополнительное задание к данной работе: ОПРЕДЕЛИТЬ ПРЕОБЛАДАЮЩИЙ МЕХАНИЗМ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА в изучаемом Вами диоде. По виду обратной ветви, построенной вольт-амперной характеристике, определить преобладающий механизм протекания обратного тока. (Генерационный ток не имеет участка насыщения.) Чтобы определить механизм протекания прямого тока, необходимо построить зависимость от . Угловой коэффициент получившейся прямой линии равен ½ для рекомбинационного тока и 1 для инжекционного. При расчёте, возможно, следует учесть сопротивления электроизмерительных приборов.
Сделать выводы.
Оглавление Теоретическое введение к лабораторным работам по физике твёрдого тела.. 3 1. Образование энергетических зон в кристалле. 3 2. Металлы, диэлектрики, полупроводники. 4 3. Собственная и примесная проводимость полупроводников. 4 4. Примесная проводимость полупроводников. 4 5. Вопросы к теоретическому введению.. 4 6. Литература. 4 Лабораторная работа №7-1 Исследование температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников.. 4 1. Постановка задачи. 4 1.1. Сопротивление, концентрация носителей заряда, подвижность. 4 1.2. Электропроводность металлов. 4 1.3. Электропроводность полупроводников. 4 2. Описание лабораторной установки. 4 3. Порядок выполнения работы.. 4 4. Обработка результатов измерений. 4 5. Требования к отчёту. 4 6. Контрольные вопросы.. 4 7. Литература. 4 Лабораторная работа №7-2. Исследование электронно-дырочных переходов в полупроводниках.. 4 1. Постановка задачи. 4 1.1. Проводимость полупроводников. 4 1.2. Электронно-дырочный переход. 4 1.3. Вольт-амперная характеристика. 4 1.4. Применение полупроводниковых диодов. 4 2. Описание лабораторной установки. 4 3. Порядок выполнения работы.. 4 3.1. Исследование вольт-амперной характеристики p-n-перехода при комнатной температуре. 4 3.2. Измерение температурной зависимости обратного тока p-n-перехода 4 4. Обработка результатов. 4 5. Требования к отчёту. 4 6. Контрольные вопросы.. 4 7. Литература. 4 Дополнительное задание к лабораторной работе №7-2. 4
Методические указания к лабораторным работам по физике (раздел ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА, часть 1) для студентов всех технических специальностей
Составили: Агеева О.С., Строганова Т.Н., Агеев В.В., Антипьева В.А., Новиков В.Ф.
Редакторы: Агеева О.С., Строганова Т.Н.
Библиотечно-издательский комплекс Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Тюменский государственный нефтегазовый университет» 625036, г.Тюмень, ул. Володарского, 38.
Типография библиотечно-издательского комплекса 625039, г.Тюмень, ул. Киевская, 52 [1]) Инжекционный ток часто называют диффузионным током, т.к. он вызван диффузией основных носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер.
Популярное: Как распознать напряжение: Говоря о мышечном напряжении, мы в первую очередь имеем в виду мускулы, прикрепленные к костям ... Личность ребенка как объект и субъект в образовательной технологии: В настоящее время в России идет становление новой системы образования, ориентированного на вхождение... Организация как механизм и форма жизни коллектива: Организация не сможет достичь поставленных целей без соответствующей внутренней... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (540)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |