Ждущий блокинг-генератор

Для перевода выше рассмотренной схемы блокинг-генератора в ждущий режим необходимо транзистор VT1 запереть, а для запуска подавать отпирающее напряжение на базу транзистора. На рис. 8.4.а,б приведены схемы ждущих блокинг-генераторов.

а)

б)

Рисунок 8.4 — Схемы запуска ждущего блокинг-генератор

В обеих схемах транзистор запирается положительным напряжением и блокинг-генератор находится в состоянии равновесия. Времязадающий конденсатор C разряжен . Запирание можно обеспечить с помощью источника смещения (схема а) и делителя напряжения (схема б). Положительное напряжение, подаваемое на базы относительно эмиттера должно обеспечить запирание транзисторов. При этом напряжение для схемы а): ;

.

Рекомендуют .

Для схемы б): ;

;

Рекомендуют . Это обеспечивается напряжением делителя . При таком напряжении базо-эмиттерного перехода транзистор будет полностью закрыт. Значение емкости конденсатора определяется из выражения:

.

Параметры запускающего импульса, обеспечивающие надежное отпирание транзистора VT1, должны быть отрицательными, по модулю в 2-2,5 раза больше напряжения запирания транзисторов по длительности короче формируемых импульсов, следовательно:

– ;

– .

После прихода запускающего импульса начинается регенеративный процесс опрокидывания генератора, формируется передний фронт, крыша и задний фронт импульса в соответствии с ранее рассмотренными осциллограммами. После этого схема переходит в ждущий режим. Существуют два способа запуска заторможенных блокинг-генератора (см. рис. 8.5. а,б): а) последовательный; б) параллельный.

а) последовательный запуск

б) параллельный запуск

Рисунок 8.5 — Схемы последовательного и параллельного запуска блокинг-генератора

При последовательном способе запуска запускающий импульс включается последовательно в цепь базы транзистора. При этом источник запускающих импульсов должен иметь низкое внутренне сопротивление. Поэтому схема дополнена эмиттерным повторителем на транзисторе VT1, который имеет низкое выходное сопротивление и включен в цепь базы транзистора VT2. Если источник запускающих импульсов имеет высокое внутреннее сопротивление, применяют схему параллельного запуска.

Запускающий импульс должен открыть транзистор и вывести его из отсечки в активную область, поэтому напряжение на коллекторе должно получить положительное приращение порядка (1-2)В следовательно, рекомендуют