МДП ТРАНЗИСТОР С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ

Если U34 = 0, то между стоком и истоком два встречно-включённых p- n перехода:

n+ - p и p – n+. Поэтому, приложив напряжение Uc, получим очень малый ток в цепи С.

                                   C                                     Увеличение отрицательного напряжения

диэлектрик                 Р подножка на затворе приведёт к увеличению

                    - n+                         «дырок» в приповерхностном слое и

  3                                                ток в цепи стока практически не изме

  +                                                                       нится. Если полярность U3>0, то

Uc                                                                                  сначала образуется обеднённый (акцен-

        U                                         торный) слой (пока все «дырки» вслед-

         +  -n+                            ствие эффекта поля не оттеснятся

U34                                                                                         вглубь ПП), а затем образуется инверс-

                                                                                ный слой n – проводимости, т.е. инду-

                                                         цируется. При дальнейшем увеличении

                                                                                U3>0 ширина канала практически не         

                                                           изменяется (1-2 мкм), а изменяется концентрация n- носителей (е). Передаточные характеристики Iс = ( Uз) для МДП транзисторов с индуцированным n каналом изображены на рисунке.

Ic                                                    Характеристикой является точка по оси Х, соответ-

Uc3      Uc2                                ствующая напряжению на затворе, при котором

                                                            индуцируется канал (пороговое напряжение). Из

           Uc1                     характеристики видно, что МДП транзистор может

                                                                                 работать только в режиме обогащения (при положи-

                                                                                 тельных напряжениях на затворе). Выходные

       Uc3 >Uc2 >Uc1 характеристики имеют вид:

                                                                       Ic

          Uз

На характеристиках видны 2 области: крутая и пологая. Uз3

Пологая область объясняется теми же процессами, что   Uз2

и в полевом Т. Усилительные свойства транзистора                                      

характеризуются крутой областью.                                      Uз1

g = dIc/dUз, при Uc = const                               Uз = Uпотока

В общем случае транзистор можно рассматривать как

Четырёхполюсник (четвёртый электрод – подножка),    Uз3 >Uз2 >Uз1>0   Uc

Которая может выполнять функции затвора. Поэтому иногда вводят параметр – крутизна по подножке, в отличие от крутизны по затвору.

gп = dIc/dUп, при Uc = const

МДП ТРАНЗИСТОРЫ СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ

Можно создать приповерхностный канал путём легирования слоя в процессе изготовления Т. Передаточные характеристики такого Т будут иметь вид:

                                                    Т.е. транзистор может работать как в режиме обогащения

Ic                                           канала, так и в режиме обеднения. Входное напряжение

                                                    может быть разнополярным.

                                                   Выходные характеристики будут иметь вид:                                  

                            Несмотря на свойство МДП        Ic

                                                   транзистора со встроенным

                                                   каналом усиливать разнопо-

                                                   лярные сигналы, Т с индуци-

                                                   рованным каналом применяется  Uз > 0

                Uз      чаще.                                                           

    Uотс                                                                                    Uз = 0

Транзисторы с изолированным затвором обладают:            Uз < 0

- большим Rвх, чем у полевых Т                                        Uз = Uотсечения

- большей радиационной стойкостью

- большим быстродействием, особенно Т с n - каналом                                                  Uc

(подвижность n – носителей примерно в 3 раза > чем р).

В дальнейшем будем рассматривать схемы, построенные на транзисторах с изолированным затвором.