Классификация оперативной памяти

Если от типа процессора зависит количество адресуемой памяти, то быстродействие используемой оперативной памяти в свою очередь во многом определяет скорость работы процессора, а в конечном итоге влияет и на производительность всей системы. Практически любой PC-совместимый компьютер оснащен оперативной памятью, выполненной на микросхемах динамического типа с произвольной выборкой (DRAM, Dynamic Random Access Memory). Каждый бит такой памяти представляется в виде наличия (или отсутствия) заряда на конденсаторе, образованном в структуре полупроводникового кристалла. Другой тип памяти — статический (SRAM, Static RAM) — в качестве элементарной ячейки памяти использует так называемый статический триггер. Если для реализации одного запоминающего элемента динамической памяти требуется 1—2 транзистора, то для статической их число возрастает до 4—6. Статический тип памяти обладает высоким быстродействием и, как правило, используется в самых "узких" местах системы, например для организации кэш памяти.

Теперь коротко рассмотрим принцип работы динамической памяти. Единственным способом выяснить, заряжен или разряжен конденсатор, является попытка разрядить его. Если конденсатор был действительно заряжен (то есть хранил единичный бит), то после разряда его, (разумеется, надо снова подзарядить. Ячейки памяти динамического типа конфигурируются обычно в матрицу строк и столбцов, причем процесс считывания организуется таким образом, что содержимое целой строки переносится в некий буфер, выполненный на элементах статической памяти. После считывания соответствующего бита содержимое буфера перезаписывается в ту же строку ячеек динамической памяти, то есть производится перезарядка конденсаторов, которые до считывания были в заряженном состоянии.

Не следует также забывать о том, что время хранения заряда конденсатором ограничено (из-за "паразитных" утечек). Таким образом, чтобы не потерять имеющиеся данные, необходимо периодическое восстановление записанной информации, которое выполняется в циклах регенерации (refresh cycle). Кстати, в первых моделях PC для индикации моментов времени, когда возникала необходимость регенерации динамической памяти, использовался специально выделенный таймер. Для считывания содержимого ячеек (которое, разумеется, сопровождается перезаписью информации) применялся один из каналов контроллера прямого доступа DMA. Стоит, правда, отметить, что микросхемы динамической памяти имели встроенные средства регенерации, что уменьшало загрузку процессора. Тем не менее, операции разрядки-перезарядки занимают определенное время, которое снижает скорость работы динамической памяти. Это является, пожалуй, одним из основных недостатков динамической памяти, так как по критерию, учитывающему информационную емкость, стоимость и энергопотребление, этот тип памяти во многих случаях предпочтительнее статической.

Корпуса и маркировка

Элементы динамической памяти для персональных компьютеров конструктивно бывают выполнены либо в виде отдельных микросхем, в корпусах типа DIP (Dual In line Package), либо в виде модулей памяти типа SIP/SIPP (Single In line Pin Package), типа SIMM (Single In line Memory Module) или DIMM (Dual In line Memory Module). Модули памяти представляют собой небольшие текстолитовые платы с печатным монтажом и установленными на них микросхемами памяти в DIP-корпусах. В большинстве современных модулей памяти используются микросхемы в корпусах для поверхностного монтажа (например, типа SOP — Small Outline Package). Для подключения к системной плате на SIMM- и DIMM-модулях используется печатный ("ножевой") разъем, а на SIP-модулях — штыревой. У DIMM-модулей в отличие от SIMM контакты на противоположных сторонах платы электрически не связаны между собой. Это дает возможность практически вдвое увеличить количество выводов модуля. Сами микросхемы памяти также устанавливаются на плате с двух сторон. Иначе такие модули называют двусторонними (double sided) SIMM.

Когда-то, наиболее распространенными были 30-контактные SIMM-модули с байтовой организацией и контролем четности (емкостью 256 Кбайт, 1 Мбайт, 4 Мбайта и 16 Мбайт). Здесь стоит, видимо, сказать несколько слов о контроле четности.

Так, при записи байта информации в запоминающее устройство определяется дополнительный контрольный разряд, который вычисляется как сумма по модулю 2 всех информационных битов. Обычно контрольный разряд равен нулю, если число единиц в байте было четным, и наоборот, он равен единице, если число единиц в группе было нечетным. Таким образом, при чтении ранее записанного байта, вновь получив контрольный разряд и сравнив его с уже имеющимся, можно говорить о достоверности получаемой информации. Этот метод нашел широкое распространение для контроля информации в оперативной памяти IBM PC-совместимых компьютеров.

С другой стороны, на каждые 8 информационных разрядов приходится один бит четности, то есть стоимость модуля увеличивается более чем на 10%. Современные технологические успехи производителей микросхем памяти существенно повысили степень их надежности (среднее время безотказной работы составляет теперь несколько десятков лет), что дало возможность исключить бит четности как таковой.

Другая крайность: некоторые изготовители очень мощных персональных компьютеров используют даже коды с коррекцией ошибок (ЕСС), чтобы защитить содержимое RAM так же, как это делается на жестких дисках. Это достигается либо использованием нескольких модулей RAM без четности (но при наличии запасных модулей, где и хранятся данные ЕСС), либо RAM с четностью (при сохранении данных ЕСС в объединенных битах четности).

Надоли дополнительно платить за память с четностью. Не обязательно. Такую вещь хорошо иметь, но она может и не стоить своих денег. То же можно сказать и про память с ЕСС. Возможно, решающими факторами будут объем памяти PC (чем большей памятью он обладает, тем больше вероятность однажды ошибиться) и серьезность вашего отношения к целостности данных. Чем дороже ваш PC и чем больше у него памяти, тем выгоднее иметь четность или даже ЕСС - защиту. Но даже и не думайте об этом, если вы не защитили данные, установив источник бесперебойного питания (UPS) на вашем PC. Защита с помощью UPS гораздо важнее, и если это для вас слишком дорого, значит, вам не нужна и память с четностью.

Для 32-разрядных процессоров 30-контактные модули должны были устанавливаться на системную плату в количестве, кратном 4 (для получения длины слова в 32 бита). Поскольку на плате обычно присутствует 8 таких разъемов, то максимальный объем памяти в этом случае ограничен 64 Мбайтами.

С появлением Pentium стали применяться 72-контактные 36-битовые модули (32 бита длина слова и по биту контроля четности на каждый байт), (Рис. 4). Они обозначались как 256Кх36, 512Кх36, 1Мх36, 2Мх36, 4Мх36, 8Мх36, 16Мх36, что соответствовало емкости 1, 2, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайта. Понятно, что такие модули для 486-х микропроцессоров могут уже устанавливаться и по одному. Максимально достижимый в этом случае объем памяти может быть разным, что зависит не только от количества разъемов под модули, но и от того, модули с какой максимальной емкостью поддерживаются контроллером памяти.                                                                                Рис. 4 Модуль памяти

Обычно вся оперативная память персонального компьютера делится на несколько банков, причем вид и тип элементов, используемых в них, зависят от конструкции системной платы и приводятся в ее техническом описании. Банк определяет наименьшее количество памяти, которое может быть адресовано процессором за один раз и соответствует разрядности шины данных этого процессора. Например, микропроцессор 18088 за один раз может адресовать только один байт, i80286 — 16 бит, i80386 — 32, Pentium — 64.

Модули SIMM оказались весьма популярными, однако и им нашлась замена, и они практически совсем уступили место DIMM. Причины этого лежат на поверхности. Блок памяти содержит количество микросхем или модулей памяти, достаточное, для хранения и параллельной передачи числа бит данных, равного числу линий данных CPU. Относительное соответствие всех чипов памяти в одном блоке достаточно важно. В частности, все они должны быть в состоянии хранить одно и то же число бит информации. Кроме того, все они должны отвечать на запросы чтения-записи данных примерно за одно и то же время, причем подчиняясь одинаковым сигналам. Все это может быть изначально гарантировано, если во всех разъемах, составляющих один блок, используются идентичные микросхемы или модули памяти.

Один, из простейших способов гарантировать правильное заполнение блоков памяти соответствующими микросхемами памяти заключается в использовании больших модулей памяти. У них может быть 32 или 64 линии данных (в зависимости от типа CPU), так что всего лишь один такой модуль составит целый блок памяти. Конечно, такой памяти необходимо гораздо больше контактов для установки в разъем, нежели модулю SIMM с байтовой шириной. Чтобы разместить все эти контакты, не увеличивая чрезмерно модуль памяти, производители выводят контакты по обеим сторонам печатной платы, несущей модули памяти. (Даже сами модули памяти могут быть размещены на обеих сторонах платы). Такие модули называются DIMM (Dual Inline Memory Module — модуль памяти "в две линейки").

Модуль DIMM представляет собой целый блок памяти, все элементы которого соответствуют друг другу автоматически, без особых усилий со стороны пользователя. (Более того, эти модули защищены прорезями-ключами от некорректного использования, так что вы не сможете установить DIMM, рассчитанный на 3,3 вольта в разъем для 5-вольтового DIMM, и наоборот. У модулей DIMM, кроме того, гораздо больше проводов заземления, чем SIMM, что становится критичным по мере роста скоростей, на которых работают модули памяти).

Микросхемы памяти — это изделия высочайшего технологического уровня, которые выпускаются небольшим количеством японских, корейских, американских и европейских фирм с мировым именем: Samsung, NEC, Toshiba, Mitsubishi, Oki, Hitachi, Sanyo, Goldstar, Hyundai, Motorola, Texas Instruments, Micron Technology, Siemens. Так, первой фирмой, выпустившей 256-Мбит-ную микросхему динамической памяти, стала корейская компания Samsung. Некоторые фирмы поставляют не только готовые микросхемы, но и полуфабрикаты — кремниевые пластины со сформированными на них схемами памяти. Они используются другими фирмами, которые монтируют чипы в корпус, тестируют и могут продавать под другой торговой маркой, как правило, по более низким ценам. Некоторые известные производители компьютеров (brand name) применяют в своих изделиях нестандартные модули памяти, так называемые "собственные" (proprietary memory).

Режимы работы памяти

Напомним, что для адресации к любому биту, например, 1-Мбитной микросхемы требуются 20 адресных линий, в то время как корпус такой микросхемы имеет только 18 выводов. Дело здесь в том, что для этой цели используется так называемое мультиплексирование адресов. Полный адрес ячейки данных делится на два компонента — адрес строки (row address) и адрес столбца (column address). Для сопровождения первого компонента служит сигнал RAS (Row Address Strobe), а второго — сигнал CAS (Column Address Strobe). Вообще говоря, под временем выборки для микросхемы памяти понимается длительность именно сигнала RAS.

В процессе обращения к микросхеме DRAM для записи или считывания информации необходимо сначала подать на ее адресные входы код адреса строки, и одновременно с ним (или с некоторой ненормируемой задержкой) сигнал RAS, затем через нормированное время задержки должен быть подан код адреса столбца, сопровождаемый сигналом CAS. Следующее обращение к этой микросхеме возможно только после промежутка времени, в течение которого происходит восстановление (перезарядка) внутренних цепей микросхемы. Это время называют временем перезарядки (prechargeitime), причем оно составляет почти 90% от общего времени выборки.

Одним из способов повышения быстродействия динамической памяти является метод управления памятью с чередованием адресов (interleaving mode). Дело в том, что, используя даже обычные микросхемы DRAM, задержки, связанной со временем перезарядки, можно избежать, если каждые последовательно выбираемые ячейки памяти будут относиться к разным банкам памяти. Таким образом, метод чередования адресов предусматривает деление памяти на блоки (банки), из которых процессор должен считывать данные попеременно. То есть пока считываются данные из одной группы микросхем, другая группа получает время на перезарядку.

Другим способом повышения быстродействия, требующим, как правило, небольших архитектурных добавок, является метод страничной выборки (paging mode). Он базируется на том, что повторения сигнала RAS также можно избежать, если адреса строк выбираемых ячеек памяти лежат в пределах одной страницы, то есть адрес их строк неизменен. Напомним, что в микросхеме динамической памяти считывание в статический буфер происходит для всей строки целиком, конкретный же бит выбирается уже адресом столбца. Понятно, что если следующий подлежащий считыванию бит находится в той же строке, то нет смысла читать ее в буфер еще раз. Наиболее распространены две разновидности подобного режима: с повторением сигнала стробирования CAS при изменении младшей части адреса и без повторения. В последнем случае быстродействие, естественно, увеличивается.

В стремлении создавать все более быстрые чипы DRAM производители усовершенствовали их во многих аспектах. Каждый носит свое замысловатое название и имеет особые преимущества.

Микросхемы DRAM, реализующие страничный режим, часто называют FPM (Fast Page Mode). Их принцип работы основан на том, что обычно у микросхем DRAM только половина необходимых адресных линий. Одни и те же контакты используются для адресов строк и столбцов, а их назначение определяется временем поступления сигнала. Для ускорения работы, в случае если процессор обращается к нескольким последовательным или близко расположенным ячейкам, чипу памяти адрес строки сообщается только однажды, а затем осуществляется последовательный доступ к ячейкам, расположенным в указанных далее столбцах. Новый адрес строки передается только при переходе к новой строке. Тем не менее, использование даже подобных способов повышения быстродействия оперативной памяти, выполненной на стандартных DRAM, не давало требуемых результатов.

Другая стратегия (используемая в EDO DRAM), основана на том, что считанные данные некоторое время могут накапливаться на выходе. Подобный принцип, называемый ускоренным выводом данных (Extended Data Out), позволяет обращаться к значению некоторой ячейки, и в то время как результат предыдущего запроса еще считывается, чип может подготавливать следующий бит данных.

Двухпортовые DRAM позволяют обращаться сразу к двум ячейкам (по двум адресам). Это осуществляется с помощью двух полных наборов схем для чтения данных из битового массива. Когда миллионы битовых ячеек расположены на одном чипе, дополнительные расходы на это незаметны на фоне остальной, стоимости. Такие устройства несимметричны. То есть, в то время как один порт ввода-вывода позволяет обращаться к произвольной ячейке (и имеет схемы для записи данных в произвольные ячейки), второй используется только, для чтения данных и только всей строки за один раз. Такие двухпортовые чипы DRAM, называемые также видео RAM_: (Video RAM, VRAM), особенно; полезны для кадровых видеобуферов, так как они изначально используются CPU для оперативного чтения и записи, а также для линейного чтения (схемой видеоизображения).

WRAM (Windows RAM) — это специальная версия VRAM, оптимизированная для типа доступа, обычного в ОС Windows и приложений Windows.