Порядок расчета программируемых параметров
Задание характеристик: Задание варьируемых параметров: Результаты можно получить либо в виде графика, либо в виде таблицы. Пример задания студенту Студенту задано: 1. Парциальное давление силана 2. Парциальное давление фосфина 3. Температура 4. Габариты реактора Задание: 1. При заданном полном давлении газа в реакторе определить максимальную скорость роста пленки поликремния при максимально возможном радиусе пластины и при минимальном расстоянии между пластинами при соблюдении максимального выхода. 2. При заданном радиусе пластины определить максимальную скорость роста при минимальном расстоянии между пластинами и полном удалении Практические указания Моделирование процесса осаждения тонких пленок поликремния из химической паровой фазы при низком давлении (LPCVD-процесс) с одновременным легированием начинается с задания параметров процесса, таких как: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина. Далее студенту предстоит выбрать варьируемый параметр и его пределы: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина, текущий радиус пластины. Имеется возможность начать процесс сначала, нажав кнопку «Назад». Программа предусматривает выдачу данных о величинах. Совокупность всех получаемых в результате расчета данных позволяет выбрать оптимальный режим процесса получения поликремниевых слоев с заданными свойствами. Требования к отчету Отчет должен содержать: 1. Титульный лист. 2. Цель работы. 3. Краткий конспект. 4. Результаты выполнения лабораторной работы представить в виде описания используемых материалов и компонентов. 5. Выводы по работе.
Контрольные вопросы. 1. Какие функции выполняют полупроводниковые пленки в микроэлектронике? 2. Какой метод используется в микроэлектронике для создания пленки поликремния? 3. Опишите процесс восстановления тетрахлорида кремния водородом. 4. Опишите процесс восстановления трихлорсилана водородом. 5. Объясните конструкцию реакторов в процессе производства поликристаллических пленок. 6. Расскажите как определяется скоростьи осаждения пленки поликремния.
Список литературы: 1 Осадин Б. А, Шаповалов Г. И. Физика и химия обработки материалов, № 5, с. 43, 1976. 2 Холленд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М., Госэнергоиздат, 1963. 3 Чистяков Ю. Д., Ивановский Т. Ф., Ушаков В. А., Попов Л. В., Кожитов Л. В. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 6, с. 20, 1970. 4 Александров Л. Н. Процессы роста и структуры монокристаллических слоев полупроводников, ч. 1. Новосибирск, «Наука», 1988. 5 Иванов Р. Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем. М., «Энергия», 1992 6 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Калошкин Э. П., Рыжикова Н. Е. Кинетика осаждения и свойства тонких высоколегированных поликристаллических пленок кремния, полученных методом пиролиза моносилана. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.13, № 6, с.941, 1977. 7 Ковалевский А. А., Некарюкин И. В., Рыжикова Н. Е. Комплексная микроминиатюризация и повышение качества радиоэлектронной аппаратуры. Минск, МРТИ,1976 8 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Некарюкин И. В. Влияние технологических факторов на величину поверхностного сопротивления поликристаллических пленок кремния. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 7, с.45, 1985. 9 Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М., «Наука», 1973. 10 Уикс В. Е Электроника (рус.пер.), т. 49, № 12, с.39, 1996. 11 Шварц Н., Берри Р. Физика тонких пленок, т.2. Под ред. Н. И. Елипсова и В. Б. Сандомирского. М., «Мир», 1976. 12 Кресин О. М., Харинский А. Л. Электронная техника, сер. Микроэлектроника, вып. 5, с. 24, 1967. 13 В.В.Нечаев, А.С.Турцевич. Моделирование процесса осаждения поликремния из газовой фазы. М., 1989. 14 http://avl.iatp.by/edu progs.htm 15 Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Москва: Металлургия, 1993.
Популярное: Почему человек чувствует себя несчастным?: Для начала определим, что такое несчастье. Несчастьем мы будем считать психологическое состояние... Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... Почему стероиды повышают давление?: Основных причин три... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (634)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |