В.1. Основные этапы развития физики полупроводников

Белорусский государственный университет

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Курс лекций для студентов

Специальностей

Радиофизика и

Физическая электроника

Факультета радиофизики и компьютерных технологий

ВВЕДЕНИЕ

Термин полупроводник был, по-видимому, введен автором учебника "Начальные основания опытной физики" Иваном Двигубским в 1826 году. "Тела, кои в рассуждении способности проводить электричество, занимающие как бы среднее место между проводниками и непроводниками, обыкновенно называются полупроводниками". Из этой фразы следует, что уже около 200 лет назад различали вещества, которые "обыкновенно назывались полупроводниками". Термины "проводник" и "изолятор" ввел в 1739 году профессор физики и теологии Оксфордского университета Дезагюлье, отразив этим способность тел передавать или не передавать электризацию на расстояние.

В.1. Основные этапы развития физики полупроводников.

«От живого созерцания к абстрактному мышлению и от него к практике – таков диалектический путь познания»

В.И.Ленин ПСС, т.29

В истории развития физики полупроводников можно выделить четыре периода.

Первый период – обнаружение необычных свойств и накопление экспериментальных данных – занимает период серединаXIX – начало XX века. О том, что существует класс веществ со свойствами, отличающимися как от проводников, так и от изоляторов, следовало из некоторых наблюдений начала XIX века. Так, в 1821 году, Томас Зеебек приваривал друг к другу два разнородных металла, соединял их медным проводником и помещал внутрь петли, образованной проводником магнитную стрелку. Нагревая место спая с помощью свечи, Зеебек обнаружил, что магнитная стрелка, расположенная вблизи проводника отклоняется. Был сделан вывод, что нагревание спая двух разнородных металлов порождает электрический ток. При этом когда одним из элементов спая служил теллур, сульфид свинца отклонение стрелки резко возрастает. В чем причина этого эффекта так и осталось не выясненным.

В 1833 году, Майкл Фарадей, изучая зависимость электропроводимости сернистого серебра, которое в то время считали металлом, установил, что электропроводимость его не падает, а возрастает с ростом температуры. В течение последующих пяти лет Фарадей обнаружил, что таким же образом ведет температурная зависимость проводимости во фториде свинца, сульфиде ртути, PbF₂, HgS и других материалах. Фарадей был первым, кто высказал предположение о возможном существовании целого класса веществ с необычными свойствами. В 1873 г., через сорок лет после пионерской работы Фарадея, инженер-электрик из Лондона В. Смит занимался испытанием подводного телеграфного кабеля. Для изоляции кабеля использовался селен. Селен, будучи расплавленным, а затем быстро охлажденным, застывает в стекловидную массу с очень большим сопротивлением. Эта масса и использовалась в качестве изоляции. Помощник Смита Мей заметил, что на свету сопротивление селена резко уменьшается. Сообщение об этом факте Смитом стимулировало целый шквал экспериментов. Было установлено, что селен чувствителен даже к слабому свету Луны. Как оказалось, способность селена модулировать электрические сигналы светом отвечала насущным потребностям. Селеновые устройства стали использоваться в различных оптических устройствах, в том числе и для передачи звука на большие расстояния.

В 1879 г. Е. Холл обнаружил, что при протекании тока в веществе, находящемся в магнитном поле, возникает разность потенциалов в направлении, перпендикулярном к направлению тока. Этот эффект, известный теперь под названием эффекта Холла, позволил определить знак (отрицательный или положительный) и концентрацию носителей, их подвижность. В частности, благодаря применению эффекта Холла удалось установить, что подвижность ионов, как правило, в тысячи раз меньше, чем подвижность электронов. Раздельное определение концентрации и подвижности носителей тока явились основанием для заключения о том, что электропроводность многих веществ имеет электронную природу, а не ионную, как предполагалось ранее. Другими словами, удалось отделить электронные материалы от ионных (электролитов).

В конце ХIХ столетия физики начали интенсивно изучать материалы, которые нельзя было отнести ни к проводникам, ни к диэлектрикам. Обратили внимание и на другие особенности в электрических свойствах веществ, которые из-за своей проводимости были названы полупроводниками: на спае теллура или сульфида свинца с металлом при нагревании возникала необычно высокая эдс, контакт сульфида свинца с металлом хорошо проводил ток в одном направлении и плохо - в другом. Формирование представлений о физических процессах, происходящих в полупроводниках затруднялось многообразием обнаруженных явлений. Тем не менее, уже в начале ХХ века природа электропроводности полупроводников получила правильное объяснение. Этому успеху в значительной степени способствовали работы немецкого электрохимика И.Кенигсбергера.

Казалось бы теперь все ясно? Однако в 1935 году другой ученый, один из самых известных в то время исследователей в области полупроводников, Б. Гудден опубликовал обширный обзор "Электропроводность электронных полупроводников" в котором пишет, что "полупроводников в кенигсбергеровом смысле не существует... Металлы, как например, графит, КРЕМНИЙ, титан цирконий ни в коем случае нельзя смешивать с электронными полупроводниками".

Второй период — период становления физики полупроводников как науки и создания приборов на основе полупроводниковых материалов — начался после возникновения кванто­вой механики и разработки более совершенной технологии выращивания чистых монокристаллов. К 1930 г. трудами А. Вильсона и Н. Мотта в Англии, В. Шоттки и К. Вагнера в Германии, А., Ф. Иоффе и Я. А. Френкеля в СССР были заложены основы современной физи­ки полупроводников. Теория Вильсона позволила установить связь между строением электронным оболочек атомов и тем, окажется ли кристалл, составленный из этих атомов, металлом диэлектриком или полупроводником.

После создания квантовой механики и зонной теории твердо­го тела удалось получить ответ на вопрос: в чем причина столь специфичного поведения веществ, относящихся к классу полупроводников. Более того, только в рамках зонной теории классификация веществ на проводники, изоляторы и полупро­водники получила законченную и обоснованную форму.

Концентрация и движение носителей заряда в полупровод­никах сильно зависят от наличия примесей в кристалле и от температуры, весьма чувствительны к действию электриче­ского и магнитного полей и светового облучения. Появляется обширная литература, посвященная исследованию всех этих эффектов и созданию на их основе разнообразных приборов. Однако в этот же период электронная лампа вытесняет кри­сталлические детекторы. К началу второй мировой войны они почти полностью сошли со сцены.

В 1948 г. Д. Бардин, В. Брэттен и В. Шокли открыли тран­зисторный эффект и создали первый полупроводниковый три­од (транзистор) — аналог усилительной лампы. С этого вре­мени начался новый, третий период – период бурного развития дискретной полу­проводниковой радиотехники, автоматики и телемеханики.

Работа электронной лампы и транзистора основана на уп­равлении потоком свободных или квазисвободных электронов. Чтобы создать поток электронов в лампе, необходимо затра­тить энергию на нагревание катода и обеспечить на их пути высокий вакуум. В транзисторе необходимые электроны вво­дятся путем легирования кристалла при его выращивании и изготовлении прибора. Концентрация и плотность потока электронов в полупроводнике во много раз больше, чем в электронной лампе. Поэтому полупроводниковые приборы миниатюрны, экономичны, механически прочны и всегда готовы к действию. Уже во время войны создателям радиолокационных установок пришлось вспомнить о кристаллических детекторах, поскольку электронно-вакуумные выпрямители и преобразо­ватели частоты в области сантиметровых волн работали неэффективно. Электронные лампы исчерпали свои возможности и для развития других областей радиотехники. После создания транзистора широко развернулись научно-исследовательские работы по физике, химии и технологии полупроводников. Тео­ретически и экспериментально изучаются зонная структура полупроводников, поверхностные и контактные явления, р -п переходы и гетеропереходы, рассеяние электронов в кристалла и другие явления. Разработана технология синтеза и выращивания сверхчистых полупроводниковых монокристаллов. Про­мышленность ежегодно выпускает многие миллионы полупроводниковых диодов и транзисторов, которые повсеместно вытесняют электронные лампы. По сей день продолжается триумфальное развитие полупроводниковой техники, основан­ной на применении и совершенствовании этих приборов.

Однако в начале 60-х годов начали вырисовываться новые направления развития техники, и стало ясно, что полупровод­никовые диоды и транзисторы ожидает та же судьба, которая постигла электронные лампы. Они будут применяться для решения ограниченного круга задач, а дальнейший прогресс техники связан с переходом от дискретных систем к инте­гральным схемам и более широкому использованию оптиче­ских явлений в полупроводниках.

Создание в 1957 году прототипа ИС, в 1962 г. инжекционных лазеров, в следующем году генераторов Ганна, появление нелинейной оптики, микро­электроники и оптоэлектроники, несомненно, свидетельствовало о начале нового, четвертого, этапа в развитии физики и тех­ники полупроводников. Характерная особенность этого эта­па — непрерывный поиск новых полупроводниковых материалов, совершенствование технологиии получения классических полупроводников, широкое применение и непрерывное совершенствование оптических методов изучения свойств полупроводников, иссле­дование их взаимодействия с мощными потоками излучения, разработка и создание приборов, в основе механизма действия которых лежат различные физические явления.

Изучение полупроводников ведется широким фронтом, и поток литературы, посвященной отдельным вопросам, исклю­чительно велик.

Особенности электрофизических свойств полупроводников обу­словили их широкое применение для создания самых различных приборов. Полупроводниковые приборы используются для выпрям­ления переменного тока (диоды), преобразования или смещения частот, усиления и генерации электрических колебаний (транзи­сторы, СВЧ-диоды, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды, туннельные диоды), преобразования тепловой энергии и энергии излучения в электрическую (термоэлементы и фотоэлементы), для преобразования электрической энергии в световую (фосфоры, светоизлучающие диоды, лазеры). Полупроводниковые приборы применяются также в качестве датчиков для измерения температуры (термисторы), регистрации светового и корпускулярного излучения (фоторезисторы и дозиметры), для измерения давления (тензодатчики) и магнитных полей (датчики Холла).

В основе работы каждого прибора лежит определенные физические процессы и явления. Другими словами, физика полупроводников представляет собой теоретическую основу полупроводниковой электроники. Успехи в области получения новых материалов и изготовленных на их основе приборов различного назначения во многом определяются уровнем знаний в области физики полупроводников.