Мегаобучалка Главная | О нас | Обратная связь

Приложим внешнее воздействие к p-n–переходу




1) Внешнее напряжение подключено к p-n–переходу в прямом направлении, рисунок 3.6. Создается внешнее электрическое поле, направленное против внутреннего поля – результирующее электрическое поле уменьшается по величине, то есть контактная разность потенциалов будет равна j0–Ua, сузилась ширина p-n–перехода.

Рисунок 3.6 – Прямосмещённый p-nпереход

При этом увеличилась диффузия основных зарядов через границу раздела. Увеличение Ua приводит к увеличению прямого тока через переход. Вид прямой вольт-амперной характеристики (ВАХ) показан на рисунке 3.7. Если в полупроводнике неодинаковые концентрации дырок в p-области и электронов в n-области, то p-слой осуществляет эмиссию дырок через p-n–переход и называется эмиттером. Другой слой, на котором лежит p-область называется базой.

Рисунок 3.7 – Прямая ветвь ВАХ p-n–перехода

Если концентрация электронов много больше концентрации дырок, то наоборот, р-слой будет называться базой, а n-слой – эмиттером. Дырки из p-области, пройдя переход, рекомбинируют с электронами, пришедшими из Ua. Избыток электронов, прошедших через переход, уходит к Ua.

2) Внешнее напряжение подключено к p-n–переходу в обратном направлении, рисунок 3.8.

Рисунок 3.8 – Обратносмещённый p-nпереход

Поля внешнего источника и внутреннее совпадают, контактная разность потенциалов возрастает (j0 + Ua), увеличивается объемный заряд и ширина перехода. Затрудняется прохождение основных носителей через переход. А процесс рекомбинации с обеих сторон перехода не основных носителей остается неизменным – этим обуславливается обратный ток. Обратная ветвь ВАХ показана на рисунке 3.9.

Рисунок 3.9 – Обратная ветвь ВАХ p-n–перехода

Концентрация не основных носителей, то есть ток I зависит от температуры, его называют тепловым.

3) Концентрация основных носителей много больше концентрации не основных носителей, поэтому для прямого тока обеспечено IПР >> I0БР, что обуславливает вентильные свойства p-n–перехода, рисунок 3.10, а ток определяется выражением (3.5).



Рисунок 3.10 – Вентильная ВАХ p-n–перехода

, (3.5)

где I0 - обратный ток через переход при напряжении на нём, равном нулю.

4) При увеличении напряжения Ua в обратном направлении появляется участок резкого возрастания I0БР вследствие пробоя p-n-перехода, рисунок 3.11.

Рисунок 3.11 – Пробой p-nперехода

Зона электрического пробоя обратима, p-n–переход из строя не выходит; при тепловом пробое происходит разогрев перехода и выход его из строя. К параметрам p-n–перехода также относится: ёмкость,состоящая из барьерной (зарядной) и диффузионной. Барьерная ёмкость появляется из-за сосредоточения на границе раздела объемных зарядов (CБ = dQ/dU). Она зависит от величины UОБР и используется в варикапах. Диффузионная емкость CДИФ определяется зарядами неравновесных носителей слева и справа от перехода – она играет роль при прямом смещении (при образовании неравновесных носителей). Зависит от прямого тока, причём CДИФ >> СБ.





Читайте также:





Читайте также:
Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация...
Почему люди поддаются рекламе?: Только не надо искать ответы в качестве или количестве рекламы...
Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас...

©2015 megaobuchalka.ru Все права защищены авторами материалов.

Почему 3458 студентов выбрали МегаОбучалку...

Система поиска информации

Мобильная версия сайта

Удобная навигация

Нет шокирующей рекламы



(0.003 сек.)