Параметры контроля и регулирования

Сведения о контролируемых параметрах сведены в таблицу 5.1.

Таблица 5.1. - Контролируемые параметры

Наименование параметра	Обозначение	Номинальное значение	Пределы измерения	Требования к точности измерения
Температура воз-духа в камере нагрева	Тв	400 ºС	350-500 ºС	5 ºС
Скорость воз-духа в камере нагрева	Sв	25м/с	20 - 30м/с	1м/с

Регулируемые параметры сушильной камеры:

температура воздуха в камере нагрева - Тв;

Управляющие параметры:

включение и выключение основного и вспомогательного ТЭНов.

Возмущающие параметры:

загрузка печи;

температура и влажность воздуха на входе в камеру;

Принципиальная электрическая схема состоит из трех блоков; измерительный блок И-С-62, регулятора типа РП-2-СЗ и системы импульсного фазного устройства (СИФУ).

Измерительное устройство представляет собой мост переменного тока, одним из плеч которого является термопара ТП. Заданное значение температуры может устанавливаться за датчиком R2 или корректором R7. Питание моста осуществляется от вторичной обмотки трансформатора TV2. Изменение температуры вызывает изменение ЭДС термопары. На диагонали моста появляется переменное напряжение. Напряжение питания изменяется резистором R8. С помощью этого резистора устанавливается чувствительность измерительного блока. Появившееся напряжение сигнала ошибки поступает через входной трансформатор ТV1 на транзисторный усилитель, затем сигнал поступает на выходные и соответственно на входные клемы электрического регулятора, демпфируется с помощью цепочки R14-С3. Постоянная времени этой цепочки может изменятся с помощью сопротивления R14. Сумма сигналов через защитное сопротивление R16 поступает на модулятор образованный диодами VD5, VD6 и резисторами R17, R 18, R19. С помощью резистора R18 мост балансируется при отсутствии сигнала на входе. Мост питается от генератора переменного напряжения частотой 500 кГц, собранного в модуле питания. С этого же модуля через конденсатор С5 подается напряжение прямоугольной формы частоты 50Гц, формируемое с помощью опорного диода VD10. Ёмкость р-n-перехода диодов VD5 и VD6 зависит от величины и направления приложенного к диодам напряжения. Поэтому напряжение 50 Гц разбалансирует мост и напряжение 500 кГц, подаваемое на другую диагональ, проходит через разбалансированный мост. При этом амплитуды сигнала 500 кГц одинаковы в оба полупериода сигнала УТЗ изменяется направление тока в управляющих обмотках. Таким образом, модуль усилителя в целом имеет на входе и выходе сигналы постоянного напряжения. Наличие модулятора и демодулятора приводит к существенному уменьшению дрейфа усилителя.

Управляющая обмотка магнитного усилителя расположена в модуле триггера. Модуль триггера состоит из магнитного усилителя, охваченного положительной обратной связью с тиристором на входе. Два магнитных усилителя собраны на четырех пермаллоевых сердечниках каждый. Обмотки 1-1 и 2-2 служат для питания магнитного усилителя. Они же являются выходными (рабочими) обмотками усилителя. При появлении импульсов определенной полярности на обмотке 3-4 индуктивное сопротивление одной из включенных навстречу обмоток 1-1 и 2-2 изменяется между средними точками 2’-1’ обмоток появляется разность напряжений. Под действием этой разности открывается один из тиристоров VS1 или VS2. При этом выпрямленное напряжение от обмотки 1-2-3 трансформатора ТV7 подается на один из зажимов Б или М. при появлении напряжения на выходных зажимах блока загорается одна из лампочек НЛ1 или НЛ2. Разность напряжений подается на сигнальную обмотку магнитного усилителя МУ3. Магнитные усилители МУ1 и МУ2 охвачены положительной обратной связью, которая выполнена на обмотках 5-6. При появлении напряжения между точками 1’-2’ через обмотку 5-6 протекает ток, что приводит к еще большему отпиранию тиристора. Обмотки 7-8 служат для введения в блок зоны нечувствительности, изменяемой с помощью резистора R25. Па эти обмотки подается выпрямленное напряжение от обмотки 3-4 трансформатора VT6. Появление напряжения между зажимами МО и БО приводит к срабатыванию СИФУ.

СИФУ благодаря положительной обратной связи формирует прямоугольный импульс, для этого в цепь коллектора включается первичная обмотка ТУ9, ТУЮ, вторичная обмотка подключена на вход между базой и эмитером УТ4 и УТ5. При открытии транзисторов и нарастании тока в цепи коллектора ЭДС вторичной обмотки смещает транзисторы в сторону еще большего открытия, когда транзисторы входят в состояние насыщения, нарастание тока коллектора прекращается и ЭДС исчезнет, транзисторы также резко закроются, как и открылись.

Вторичные обмотки ТV5 и ТV6 подсоединены на управляющие электроды VS3 и VS4 тринисторов соответственно, снятый импульс с этих обмоток поочередно будет открывать тринисторы VD7 и VD8. Питание на СИФУ подается с трансформатора ТV8.

Сигнал с выходных клемм СИФУ поступает па входные клеммы исполнительного механизма и приводит его в действие.50 Гц. Сигнал с частотой 50 Гц не пропускается конденсатором С4. Если на входе блока появляется напряжение входного сигнала определенной полярности, то происходит дополнительная разбалансировка моста и амплитуда сигнала 500 кГц становится различной в различные полупериоды частоты 50 Гц. Фаза этого сигнала определяется полярностью входного сигнала. С модулятора через конденсатор С4 напряжение поступает на вход полупроводникового усилителя, собранного на транзисторе VТ2 по схеме с общим эмиттером. Нагрузкой усилителя служит трансформатор ТV4. Усиленный сигнал выпрямляется однополупериодным выпрямителем, собранным на диоде VD8. Переменная составляющая с частотой 50 Гц через конденсатор С8 подается на фазочувствительный транзисторный усилитель, собранный на транзисторе VT3. Напряжение высокой частотой (500 кГц) на вход этого каскада не поступает: оно отфильтровывается цепочкой С7-R25. Питание цепи эмиттер - коллектор каскада осуществляется от выпрямительного моста VD12-VD15. Нагрузкой каскада являются управляющие обмотки 3-4 магнитных усилителей МУ1, МУ2.